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31.
研究了Yb3 掺杂铝氟磷酸盐 (AFP)玻璃的吸收光谱、荧光光谱 ,测量了Yb3 离子的荧光有效线宽 (Δλeff>5 5nm)以及2 F5 2 能级的荧光寿命 (τmax=2ms)及随掺杂浓度的变化 .应用倒易法计算了Yb3 的发射截面 ,其发射截面可达 0 6 6 82 3pm2 ,且激光增益系数τfσemi达 1 2 89ms.pm2 .评估了Yb3 在AFP玻璃中的激光性能 ,发现其具有较理想的激发态最小粒子数 (0 15 )、饱和抽运强度 (8 3kW cm2 )和最小抽运强度 (1 2 4 5kW cm2 )值及良好的热稳定性 .研究结果表明掺Yb3 氟磷酸盐玻璃是实现高功率超短可调谐激光器的理想增益介质 . 相似文献
32.
33.
LiAlO2 single crvstals doped with Ti at concentration 0.2at.% are grown by the Czochralskl technique with dimensions φ42×55mm. Ti ions in the crystal are quadrivalence proven by comparing the absorption and fluorescence spectra of pure LiAlO2 and Ti: LiAlO2. After air and Li-rich atmosphere annealing, the absorption peaks in the range of 600-800nm disappear. We conclude that 682 and 756nm absorption peaks are attributed to the VLi and Vo absorptions, respectively: The peaks at 716nm and 798nm may stem from the VLi^+ and absorptions. The colour-centre model can be applied to explain the experimental phenomena. Ti^4+-doping produces more lithium vacancies in the LiAlO2 crystal. The intensities of [LiO4] and the associated bonds remain unchanged, which improves the anti-hydrolyzation and thermal stability of LiAlO2 crystals. 相似文献
34.
本文系统研究了MFX体系中Eu3+荧光光谱特征,着重讨论了X-,M2+及杂质缺陷(主要为O2-)对Eu3+发光的影响. 相似文献
35.
钨(Ⅵ)的富集与检测方法研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
检测W(Ⅵ)对环境科学和生命科学研究具有积极意义。本文就1991年以来国内外W(Ⅵ)的富集手段,检测方法概况作一综述,其中包括,荧光光谱法,分光光度法,原子发射光谱法,质谱法,动力学方法,极普法,化学发光法,中子活化分析及联用技术等。 相似文献
36.
本文论述生物荧光激发滤片及栅滤光片的膜系设计,压缩滤光片通带的新方法以及制备滤光片所采取的工艺措施。 相似文献
37.
本文用一种特异性标记蛋白质巯基的N-(3-P)NEM为荧光探针标记毛发角蛋白,经SDS-PAGE后,通过荧光薄层扫描确定N-(3-P)NEM与含巯基蛋白结合的部位。结果表明,毛发角蛋白中的低硫蛋白分子量在45,000~63,000范围,约占总蛋白量的49.6%~68.2%;高硫蛋白分子量在4,000~20,000范围,约占总蛋白量的18.9%~36.2%。除低硫和高硫蛋白以外,毛发角蛋白中还可能存在一种极低硫蛋白,分子量位于22,000~32,000范围。对人与5种动物的毛发角蛋白组分进行比较,证实人与动物的毛发角蛋白的主要差异在高硫蛋白,不同种属的动物毛发角蛋白中低硫蛋白和高硫蛋白的含量也不相同。作者认为毛发角蛋白中含巯基蛋白的差异可为动物分类学和法医学在进行毛发比较鉴别方面提供新的重要信息。 相似文献
38.
39.
合成了两种新型噻吩基卟啉-5,15-二(2-噻吩基)-2,8,12,18-四乙基-3,7,13,17-四甲基卟啉7a(45.1%)和5,15-二(2-联噻吩基)-2,8,12,18-四乙基-3,7,13,17-四甲基卟啉7b(61.2%),并研究了它们的光谱性质,其中荧光光谱的最大发射峰蜂都在631nm处,量子产率分别为4.1%(7a)和1.4%(7b)。 相似文献
40.
本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Qc=△Ec:△Ev=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al0.3Ga0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。
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