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181.
182.
采用机械合金化方法,在摆振式高能球球磨机上制备Fe-Co-Nb-B纳米晶合金粉末,计算球磨后应力带来的晶格畸变对X射线衍射峰宽化的影响.样品有较高的比饱和磁化强度和矫顽力,在1 073 K烧结后,虽然消除了内应力的影响,但也使晶粒尺寸有所长大. 相似文献
183.
高压变质二氧化硅矿物的合成及表征 总被引:1,自引:0,他引:1
根据高能机械球磨与地球板块碰撞之间具有的碰撞局域性和剪切应力相似的特点, 采用高能机械球磨和静高温高压技术, 以α-石英与石墨混合粉末为原料, 提出了人工合成地表柯石英的一种新方法. 利用高能机械球磨制备了α-石英和石墨纳米非晶混合粉末, 其高温高压合成柯石英的最低条件是970 K和3.7 GPa. 合成的柯石英有10个Raman峰, 分别位于120, 152, 179, 206, 270, 329, 357, 428, 467和521 cm-1, 是目前最全的柯石英Raman谱. 相似文献
184.
超细颗粒分散过程分析 总被引:45,自引:0,他引:45
对超细颗粒在液体介质中的分散过程进行了分析,总结了增强超细颗粒分散的手段在于合适的分散剂(最有效的分散剂为超分散剂)和高效的分散机械(提高分散有效体积和能量利用率),从而为超细颗粒这一新型材料应用打下了基础。 相似文献
185.
聚乙烯醇硫酸钾水凝胶电机械化学行为研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过将交联聚乙烯醇硫酸酯化的方法制备了一种新型电刺激响应性聚乙烯醇硫酸钾(PVSK)智能水凝胶,并探讨了溶液离子强度和pH对PVSK水凝胶的溶胀吸水率、机械性能以及电机械化学行为的影响.结果表明,制备的PVSK水凝胶的平衡溶胀比随NaCl溶液离子强度的增大而减小,在pH2.39~10.83范围内基本不受溶液pH的影响;经不同离子强度和pH的NaCl溶液充分溶胀的PVSK水凝胶具有良好的机械性能,在非接触的直流电场作用下,该水凝胶向电场负极弯曲,凝胶的弯曲速度和弯曲偏转量随外加电场强度的增加而增大,随NaCl溶液离子强度的增大出现临界最大值,但不随溶液pH(2.08~10.53)的改变而改变;在循环电场作用下,PVSK水凝胶的电机械化学行为具有良好的可逆性. 相似文献
186.
187.
采用机械球磨法成功制备Ag_3PO_4/MoS_2纳米片复合催化剂。运用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见漫反射光谱(UV-Vis)和荧光发射光谱(PL)对复合催化剂的结构和形貌进行了表征。结果表明,Ag_3PO_4纳米粒子均匀地附着在MoS_2纳米片层结构上,两者形成紧密结合。以亚甲基蓝为模拟污染物,研究复合催化剂在可见光照射下的光催化特性;通过循环实验考察复合催化剂的稳定性。结果显示,含有1%的MoS_2纳米片与Ag_3PO_4形成的复合催化剂在30 min内对亚甲基蓝的降解率为95%,其降解动力学常数是纯相Ag_3PO_4的2倍。经过5次循环实验后复合催化剂对于亚甲基蓝的降解率为84%,而纯Ag_3PO_4对于亚甲基蓝的降解率仅为35%。Ag_3PO_4/MoS_2纳米片复合催化剂具有优良的光催化活性和高稳定性,主要归因于二硫化钼纳米片与磷酸银形成异质结,磷酸银激发的电子和二硫化钼纳米片产生的空穴直接复合,从而促使光生电子从磷酸银晶体表面快速分离,减轻了磷酸银的光电子腐蚀,同时也提高了复合物的光催化活性。 相似文献
188.
采用超高压毛细管黏度计考察了磷酸酯合成油和常压下黏度与之相近的合成油A及合成油B的压黏关系,并进行了磷酸酯合成油在高压下固化现象的研究,利用红外光谱和凝胶渗透色谱对固化前后的磷酸酯合成油进行了分析,并从机械力化学角度分析了产生固化的原因.结果表明:磷酸酯合成油的压黏关系上升速度远大于合成油A和B;固化后,磷酸酯的物理状态由液态变成"玻璃态",颜色由透明色变成乳白色;磷酸酯合成油发生了氧化反应,分子量增大;磷酸酯合成油经高压高剪切速率作用后,发生化学反应的原因是机械力作用导致较长分子链断裂,形成大分子自由基,具有很高活性的大分子自由基发生氧化等化学反应. 相似文献
189.
空化和空蚀是影响水力机械能否安全、经济运行的主要因素之一.为了研究新的翼型结构——多孔翼型对于水力机械的空化及空蚀现象的影响,利用PROE建立具有不同微孔数的翼型模型,再借助Fluent软件对多孔翼型的三维绕流流场进行了定常数值模拟计算.基于伯努利定律,对具有不同孔数的翼型绕流流场进行流态分析.根据模拟结果显示的不同翼型结构的速度场和压力场的分布特征,从能量转换的角度出发,揭示了多孔翼型绕流流场的内在特性,即绕流翼型的流场(速度场、压力场)是随着孔数而变化的.结合空化发生的条件,说明采用多孔翼型结构对改善水力机械内部空化现象是有一定的作用的,通过数值模拟方法来分析研究水力机械内部的空化空蚀现象,可以作为实验与理论分析的参考.从一个新的角度,为改善水力机械的空化和空蚀现象提供了新思路. 相似文献
190.
半导体芯片化学机械抛光过程中材料去除机理研究进展 总被引:8,自引:7,他引:8
就国内外关于集成电路芯片化学机械抛光(CMP)材料去除机理研究的现状和进展进行了评述,总结了集成电路芯片常用介电材料二氧化硅以及导电互连材料钨、铝及铜的化学机械抛光研究现状和进展,进而分析了化学机械抛光过程中化学作用同机械作用的协同效应,指出关于芯片化学机械抛光的材料去除机理尚存在争议,因此有必要在CMP研究领域引入原子力显微镜和电化学显微镜等先进分析测试设备和相关技术,以便在深入揭示CMP过程中材料去除机理的基础上,为更好地控制CMP过程和提高CMP效率提供科学依据. 相似文献