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991.
992.
Al_2O_3薄层修饰SiN_x绝缘层的IGZO-TFTs器件的性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用原子层沉积工艺(ALD)生长均匀致密的三氧化二铝(Al2O3)薄层对氮化硅(Si Nx)绝缘层进行修饰,研究了铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFTs)器件的性能。当Al2O3修饰层厚度为4 nm时,绝缘层-有源层界面的最大缺陷态密度相比于未修饰器件降低了17.2%,器件性能得到显著改善。场效应迁移率由1.19 cm2/(V·s)提高到7.11 cm2/(V·s),阈值电压由39.70 V降低到25.37 V,1 h正向偏压应力下的阈值电压漂移量由2.19 V减小到1.41 V。 相似文献
993.
通过溶剂热合成方法,以吡啶-2-甲醛肟(HPycox)和Ti(OiPr)4合成了双核钛配合物[Ti2(μ2-O)(Pycox)2(OiPr)4] (1)。通过结构分析,分别使用二苯基膦酸和苯基膦酸对其进行结构调控,成功制备了三核钛配合物[Ti3(μ2-O)2(Pycox)2(Ph2PO2)2(OiPr)4] (2)和六核钛配合物[Ti6(μ2-O)2(μ3-O)2(Pycox)2(PhPO3)4(OiPr)6]·2CH3CN (3)。配合物1~3的光学带隙分别为2.89、3.00和2.87 eV,其中配合物2的光电流密度可达0.1 μA·cm-2。 相似文献
994.
995.
模拟卤代过氧化物酶活性中心钒的配位环境设计合成了新的蝎型聚吡唑硼酸盐钒氧化合物VO(HB(3,5-Me<,2> pz)<,3>)(3,5-Me<,2>pz)(HOOCCH<,2>CH<,2>COO)(1)和VO(HB(3,5-Me<,2>pz)<,3>)(3,5-Me<,2> pz)(C<,5>H<,4>NCOO)(2... 相似文献
996.
两段式固定床富氧-水蒸气气化实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
两段式固定床富氧-水蒸气气化实验研究 《燃料化学学报》2011,39(8):595-599
以玉米芯颗粒为原料在两段式固定床气化装置上进行了气化实验,考察了当量比ER、富氧浓度OC和水蒸气配比S/B对气化温度、气化气组分、低位热值、气体产率、气化效率和碳转化率等参数的影响,并比较了两段式固定床与传统下吸式固定床的气化特性。实验结果表明,当量比为0.27时H2的体积分数、CO的体积分数和气化效率达到最大值;增加富氧浓度能优化气化效果,但富氧浓度大于90%后,燃气质量和气化效率均提高不大;增加S/B能提高H2的体积分数,但同时会降低CO的体积分数、气体热值、气化效率;当S/B为0.6时,氢气的体积分数达最高值33.3%,H2/CO比为1.32;相比于传统固定床,两段式固定床气化可明显提高气化温度、氢气的体积分数、碳转化率和气化效率,降低焦油含量。 相似文献
997.
998.
碳载Pt-P催化剂对氧还原的电催化性能 总被引:1,自引:0,他引:1
用NaH2PO2液相还原方法制得碳载Pt-P(Pt-P/C)催化剂(m(Pt)∶m(P)=5∶1)。 X射线衍射谱测量表明,Pt-P/C催化剂的Pt衍射峰的2θ值稍大于Pt/C催化剂的相应值,表明P进入了Pt晶格,形成了Pt-P合金。 电化学测试表明,Pt-P/C催化剂对氧还原的电催化性能要比商品化的E-TEK Pt/C催化剂好,其还原电位正移了40 mV。 由于Pt-P/C催化剂中Pt-P粒子的平均粒径和相对结晶度与Pt/C催化剂相似,推测Pt-P/C催化剂对氧还原的电催化性能好于Pt/C催化剂的原因可能为P的作用。 相似文献
999.
1000.
利用旋蒸法和挤压法制备脂质体,通过脂质体包埋亚铁氰化钾,利用戊二醛交联2,4-二氯苯氧乙酸(2,4-D)兔抗制成免疫脂质体,制备快速检测血液中2,4-D的夹心型免疫传感器.实验结果表明:2,4-D在75 ng/mL~50 μg/mL浓度范围内呈现良好的线性关系,检测下限达到了36.42 ng/mL.该免疫传感器选择性强... 相似文献