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用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量
关键词:
薄氧
可靠性
击穿电压
击穿电量 相似文献
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目的 :探讨光量子氧透射治疗对冠心病患者血清脂蛋白的影响。方法 :按入院先后随机分为实验组和对照组 ,每组 6 0例 ,两组常规治疗的药物相同 ,实验组加用光量子氧透射治疗 ,并测定两组患者治疗前后血清脂蛋白的变化。结果 :与对照组比较 ,治疗组TC、apoB、LDL -C显著降低 ,HDL -C升高。结论 :光量子氧透射治疗具有显著的调脂功能 相似文献
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