偶极磁场中的SVC辐射模型及其随磁场变化的辐射——Ⅱ.SVC辐射机制及其辐射随磁场变化

本文计算了太阳射电缓变成分(SVC)的射电辐射,着重研究了由联合辐射机制产生的SVC辐射的主要辐射特性(亮度分布、亮温度谱、流量密度谱、偏振度谱)和SVC辐射源的几何特性(高度和半径),及其随磁场强度的变化。     

束参量对X射线照射量的影响

用蒙特卡洛方法来讨论束参量（半径、发射度和能量)对轫致辐射照射量的影响．结果表明，当束击靶半径一定时，靶正前方一米处的照射量X1随发射度增加而减小；当发射度一定时，照射量先随半径增加而急速增加，在束半径大于Rbm后，随半径进一步的增加而缓慢降低．也研究了束参量对照射量角分布的影响．因为使用了电子束的K—V分布，所得X1值是偏于保守的．     

内爆靶丸X射线轫致辐射谱的重建方法及应用北大核心CSCD

提出了一种对内爆靶丸X射线轫致谱重建的方法。该方法的目的是通过重建内爆靶丸的轫致辐射谱,得到内爆靶丸有价值的信息。这种方法将轫致谱能段分为五个部分,假设每个部分的平均能量强度相等,用一种包含了五个不同滤片组的多能段针孔相机对同一个内爆靶丸进行成像,并且用IP板进行接收。五组不同的像可以给出五个不同的线形方程组,这样就可以还原出轫致辐射谱。使用该方法还原了在神光Ⅲ原型装置上内爆靶丸的轫致辐射谱,并据此给出了内爆热斑的温度,所得的结果与用示踪元素特征谱线给出的温度符合得较好,证实该方法和结果是可靠的。     

HL-2A 装置中利用可见光谱段轫致辐射测量有效离子电荷数

通过测量可见光谱段的轫致辐射(λ=535.1nm)强度,结合等离子体电子密度和电子温度,HL-2A     

X射线在影像增强器中散射特性的研究

Ｘ射线在影像增强器中的散射是影响Ｘ射线影像增强器输出图像对比度和分辨率的主要因素。首先用Ｍｏｎｔｅ Ｃｓｒｏｌｏ方法模拟了轫致辐射Ｘ射线与影像增强器的输入转换屏（ＣｓＩ：Ｎａ）的作用过程,给陋了透过转换屏的Ｘ射线的能谱。然后以无限大平面铁板作为增强器内电极和客壳的几何模型,以ＣｓＩ：Ｎａ的透过Ｘ射线能谱为铁板模型的入射能 ,分析了Ｘ射线在影像增强器中的背向散射特性。Ｘ射线管电压为２０～１２０ｋＣＶ     

不同Z-箍缩负载磁绝缘传输线电流损失特性

 在装置“S-300”上,通过测量真空磁绝缘传输线中电极间电子流轫致辐射和负载上的电流、电压等参数,研究了磁绝缘传输线中的电流损失特性。实验中使用了阻抗特性不同的3种负载,结果表明,磁绝缘传输线中的电流损失特性显著地取决于负载。当负载为丝阵靶时,电流损失出现在丝阵等离子体最大箍缩时刻,且其值不超过负载总电流的5％。     

强流电子束轫致辐射复合薄靶设计

针对目前脉冲硬X射线源能谱硬、辐照面积小、辐射场电子份额高无法开展系统电磁脉冲效应实验研究的技术难题,提出了采用复合薄靶软化脉冲硬X射线能谱、降低电子份额的方法。采用MCNP程序数值模拟了电子和光子在不同材料中的输运规律,分析了复合靶结构和材料厚度对X射线能谱、电子份额的影响。以闪光二号加速器为电子束源,设计了复合薄靶、X射线窗。实验得到的X射线参数：平均能量121 keV;均匀性2∶1情况下,700 cm2平均剂量40 rad（Si）,500 cm2平均剂量170 rad（Si）;光子数与电子数的比值大于103,可以开展系统电磁脉冲效应初步实验研究。     

强流电子束入射叠靶能量沉积计算

计算了多脉冲相对论强流电子束入射钽-石墨叠靶的能量沉积和轫致辐射谱。能量沉积采用Geant4程序计算,轫致辐射谱根据基本的辐射理论和蒙特卡罗方法计算。结果显示,各层的热区能量沉积呈由大到小的递减分布,截面轫致辐射分布和电子束径向分布主要受钽层的影响。石墨层的低能量沉积率和高热容能改善叠靶的性能。对于单脉冲,钽-石墨层厚比为1∶1时,石墨能全部吸收相邻钽层的热沉积,轫致辐射效率为35.4%;4脉冲情况下,钽-石墨层厚比应为1∶13,总轫致辐射效率降到19.9%。考虑轫致辐射剂量和质量,钽-石墨两者的厚度比为1∶5时,钽层的总厚度应为1.2 mm;当钽-石墨层厚比为1∶10时,钽层的总厚应降到0.7 mm。     

耦合同轴磁绝缘传输线的低阻抗大面积轫致辐射二极管设计

为了设计与前端低阻抗同轴磁绝缘传输线耦合的大面积轫致辐射二极管,提出了一种利用锥形磁绝缘传输线（MITL）结合阴极开孔结构来对电子输运进行调节的二极管设计方案。该结构的主要特点是在不外加电子输运调控装置的前提下,利用大角度的入射电子产生轫致辐射,在靠近二极管出射窗附近形成大面积准均匀辐射区。采用二维粒子模拟与蒙特卡罗模拟（MCNP 4C）相结合的数值模拟方法对二极管进行了模拟和分析,对于如何构建更好反映角向均匀的MCNP源提出了新的想法。模拟结果表明,该设计方案可以实现在不外加电子输运调控装置的情况下,在二极管后端得到均匀大面积轫致辐射区。