Enhanced Raman Scattering by Quasi-phase-matched Processes in ax^（2） Photonic Crystal

An intense comb-shaped Raman spectra were obtained from a two-dimensional nonlinear x（2） photonic crystal - a hexagonally poled LiTaO3 crystal with lattice parameter 9 micros. The lowest Raman shift was down to 2 cm^-1 and the order of anti-stokes and stokes signals both achieved 11. The novel Raman spectra were mediated first by intense phonon-polariton fields, which were driven through the quasi-phase-matched coupling between the incident dual-beam both from an optical parametric oscillation laser, and further amplified greatly also by such quasi-phasematched nonlinear optical process. The dependence of the Raman spectra character on the wavelength and intensity of incident beams were studied in detail, which accordingly revealed information of the inelastic scattering and the elementary excitation in the nonlinear medium. These results on the other hand suggest technological importance for developing a novel Raman laser with the multi-wavelength output and a tunable frequency interval and for possible applications in quantum optics.     

β缓发中子探测阵列的性能优化及测试

讲述了用于β缓发中子发射测量的中子探测阵列的性能优化过程及测试结果. 对中子探测器包装用的几种反射材料、光导和光电倍增管之间用的几种耦合材料行了系统的对比和研究. 为了优化电子学和实时监测整个探测阵列的工作状态, 引入了LED光纤刻度监测系统.     

基于石墨烯超材料表面等离子体激元共振的增强太赫兹调制

基于表面等离子体共振原理,采用石墨烯超材料设计了开口环结构,用于调制太赫兹波.增加石墨烯的费米能级,改变开口环的开口距离,叠加多层石墨烯以增强石墨烯超材料的共振强度,进而增强太赫兹波调制,调制频率范围包括低频段和高频段.由于石墨烯费米能级的可调谐性,单层结构在高低两个频段的调制深度分别为81%和68%,多层结构在高低两个频段的调制深度分别增加到93%和95%,为动态调制提供了可能.该设计为调制器、吸收体等太赫兹器件的设计提供了指导和借鉴.     

ʯӢ����΢��ƽ��HL-2Aװ���ϵ�Ӧ��

在HL-2A装置上采用石英晶体微天平(QCM)测量碳元素及其化合物的沉积质量,从测量的数据可知,每次等离子体放电后QCM的沉积量都会有细微变化,每次放电测得的沉积质量约为0.1~10μg.沉积量的变化与沉积物质再腐蚀或者溅射有关.根据一天的测量结果,可以计算得出HL-2A装置偏滤器区域平均每次放电(非H模放电)的沉积厚度约为10nm.     

砷化镓光电阴极光谱响应与吸收率关系分析

为了研究砷化镓(GaAs)光电阴极光谱响应与吸收率曲线间的关系,采用分子束外延法(MBE)和金属有机化合物化学气相沉积法(MOCVD)制备了两类GaAs光电阴极,并测试得到了样品吸收率和光谱响应实验曲线.对每个样品的这两条曲线在同一坐标系中做最大值归一化处理,将归一的光谱响应曲线与归一的吸收率曲线做除法,得到了类似光电阴极表面势垒的形状.结果表明,两种方法制备的光电阴极光谱响应曲线相比吸收率曲线都发生了红移,MBE样品偏移量稍大于MOCVD样品.短波吸收率不截止,光谱响应截止于500 nm左右;可见光波段上,光谱响应曲线的峰值位置相比吸收率曲线红移了几百meV;近红外区域,光谱响应曲线的截止位置相比吸收率曲线红移了几个meV.MOCVD样品中杂质对带隙的影响更小,光谱响应相比吸收率发生的能量偏移更小.这些结论对提高GaAs光电阴极光电发射性能有指导意义.     

CaSiO3:Ce,Mn体系中Ce3+→Mn2+的能量传递研究

本文研究了CasiO₃:Ce,Mn体系中Ce³⁺和Mn²⁺的发光及Ce³⁺→Mn²⁺的能量传递特性.分别采用Forster-Dexter电多极相互作用理论和Inokuti-Hirayama能量传递理论,研究了该体系中Ce³⁺→Mn²⁺的高效无辐射能量传递情况.结果表明,Ce³⁺→Mn²⁺的高效能量传递是以电偶极—偶极相互作用为主的电偶极—偶极和偶极—四极相互作用的共同结果.     

物理学与新型（功能）材料专题系列介绍（Ⅱ）：精细复合功能材料

本文介绍了精细复合功能材料的发展概况和复会材料结构参数（如复合度．联结型、对称性、周期性和标度）的基本概念，讨论了这些结构参数对材料性能的影响；简要地叙述了精细包合功能材料的制备技术，指出了制务技术方面的难点和探索研究的方向；最后扼要地介绍了精细复合功能材料在电子技术中的应用，指出精细复合功能材料可能是一种有价值的光电子材料．     

无铅In-BCVIG单晶及其磁光特性

用无铅助熔剂法生长了掺铟的铋钙钒铁石榴石(Bi_3-2xCa_2xFe_5-x-yIn_yV_xO₁₂单晶,采用本文所述的助熔剂,均长出了线度在10mm以上的晶粒完整、包容物很少的高质单晶。选用x=0.90,y=0.12的单晶,在0.7—2.2μm波长范围内测量了法拉第磁光旋转角θ_F和光吸收系数α。我们的结果表明无铅In-BCVIG单晶是磁光优值(M=(│θ关键词：