电路过渡过程的计算机辅助分析

电路过渡过程所列方程是微分方程，本文中采用的是方框图模型分析法，即将微分方程的复杂示解分解成最基本的加（减）、乘（除）、积分（微分）、增益等运算，采用VB设计用户界面产进行计算，并给出了一算例。     

记忆效应之管见

记忆效应之管见王怀亮山西师大化学系０４１００４临汾一、前言记忆效应［１］（ｍｅｍｏｒｙｅｆｆｅｃｔ）是Ｊ．Ａ．Ｂｅｒｓｏｎ在１９６８年提出的，其含义是在一多步的碳正离子重排反应中，用构型上不相同的反应原料，经过首次异裂产生在结构上相同的碳正离子中间体...     

静脉滴注的临床决策

提出了静脉滴注的动力学一般模型，讨论了模型的性质，在给药剂量确定的条件下，探讨了调整滴注速率使治疗效果达到最佳的临床决策方法。     

高维量子可积系统的精确解

量子多体问题或量子场论中有一类模型是可以精确求解的,这类模型称作量子可积模型.量子可积模型的主要特征是:系统的守恒量数目与系统自由度的数目相同(对于具有无限自由度的系统,守恒量的数目亦为无限),从而使系统的本征态、本征能谱及热力学量都可精确求得.自从1931年Bethe～[1]首次求得一维Heisenberg链的精确解后,许多一维量子多体物理模型或(1+1)维(一维空间加一维时间)量子场论模型都获得了精确解.这些精确解曾对于人们理解许多物理现象(如稀磁合金中的Kondo效应)起到了极为重要的作用.如何将这方面的理论推广到高维空间,即寻找并精…     

硅烷、锗烷和锡烷的沸点与其分子结构间的关系

本首次用图论方法探讨了硅烷、锗烷和锡烷的沸点与其分子结构之间的关系，提出一结构基础明确的、普遍适用于硅烷、锗烷和锡烷的定量关系。计算结果表明，沸点预测值都接近实验值。应用本定量关系，不仅能够预测硅烷、锗烷和锡烷的沸点，而且有助于揭示物质结构性能关系之间的奥秘。     

四面体区域的讨论

给出四个平面可围成一个四面体区域的充要条件，推证出该区域的解析表达式的简单式法。     

硅栅CMOS集成电路测试图形的研究

本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。     

第二类三分子模型的球对称不稳定性

本文采用Hopf分岔理论对第二类三分子模型进行了详细的研究。结果表明,在固定边界条件下,自振荡不稳定性只能出现在稀释过程中。此外,本文还给出了时间周期解的解析表达式。