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51.
52.
金属上化学吸附的族模型量子化学研究 总被引:2,自引:0,他引:2
簇模型方法是研究化学吸附的最重要的量子化学方法之一。本文对'簇--表面类比法'的物理内涵、研究现状、以及发展趋势作了简要的评述。 相似文献
53.
研究了人工施加的无机固体电解质体膜对锂碳负极电池性能的影响作用,结果表明碳电极的容量及首次充放电效率相对于未改性电极都得到了一定程度的提高。显示了以这层外界人工施加的晶体膜替代的电极体系本身所形成的钝化膜之有效性,扫描电子显微镜的研究直观地显示了这层人工施加膜的均匀,致密性质。 相似文献
54.
对盲孔法测量正交各向异性复合材料残余应力释放应变矩阵进行有限元分析.以碳/环氧正交各向异性材料板为基础,对于不同孔深的盲孔进行有限元计算,得出与其相对应的释放应变矩阵,并分析孔深对释放应变矩阵的影响.为实际工程中残余应力的测试奠定了基础. 相似文献
55.
运动学涡度及其测量方法 总被引:5,自引:0,他引:5
运动学涡度是从流体力学引入到地质学当中的,主要应用于应变非共轴程度的确定。自然界中的剪切变形通常是纯剪切和简单剪切2个端元复合作用的结果,称为一般剪切,利用运动学涡度(WK)可以定量分析两者间的相对大小。文章介绍了涡度的具体测量方法,即张裂脉中纤维法、旋转残斑法、石英C轴组构与主应变比值的方法、石英C轴组构与斜列颗粒形态的方法等。 相似文献
56.
本文综述了反射电子显微术(REM)和反射电子能量损失谱(REELS)在表面科学中的应用。较详细地给出了用这些方法研究表面原子结构、化学成份和电子态的基本实验和理论,指出了发展这一学科对表面研究的重要性。 相似文献
57.
提出了一个关于氧化物半导瓷晶界势垒起源的新观点,认为晶界势垒起源于烧结过程中外界氧在晶界中的扩散,与材料的结构、化学缺陷、掺杂、外界气氛、烧结工艺、组成状态等有密切关系,并用此理论解释了许多实验现象。 相似文献
59.
利用内径为57 mm的压缩气炮,在撞击速度为0.2~1.2 km/s(相应的靶中压力为3~15 GPa)范围内进行对称碰撞实验,以研究TC4(Ti-Al6-V4)钛合金在一维应变冲击压缩条件下的绝热剪切现象。对回收得到的受冲击样品,在扫描电镜(SEM)下进行细观金相分析。结果指出,一维应变冲击压缩条件下,TC4钛合金中绝热剪切带产生的对称碰撞速度阈值为500 m/s(相当于样品中的压力为5.87 GPa);主剪切带与冲击方向约为45°角,带上有圆形和椭圆形两种孔洞且随碰撞速度的增大而增多和长大,这是典型的韧性损伤特征。随碰撞速度增大,产生与主剪切带成15°角的支剪切带。这些与理论预言相符。X射线能谱分析结果指出,剪切带内材料发生了(α+β)→β相的转变,是典型的相变带。剪切带的温度估算与实验提供的信息吻合。 相似文献
60.
Fabrication and Characterization of Ni Thin Films Using Direct-Current Magnetron Sputtering 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Ni films are deposited by using ultra high vacuum dc magnetron sputtering onto silicon substrates at room temperature, and the high-quality and high-density films are prepared. The parameters, such as thickness, density and surface roughness, are obtained by using small-angle x-ray diffraction (XRD) analyses with the Marquardt gradient-expansion algorithm. The deposition rate is calculated and the Ni single layer can be fabricated precisely. Based on the fitting results, we can find that the surface roughness of the Ni films is about 0.7nm, the densities of Ni films are around 97% and the deposition rate is 0.26nm/s. The roughness of the surface is also characterized by using an atomic force microscope (AFM). The changing trend of the surface roughness in the simulation of XRD is in good agreement with the AFM measurement. 相似文献