反对数微分简易示波伏安法的研究

在获得微分简易地波伏安图的实验线路中,增加了反对数装置,提出了反对数微分简易示波伏安法。该方法被应用于铝合金中微量铜和分子筛中微量钴的测定,获得了满意结果。     

水热反萃法制备纳米α-Fe2-O3

氧化铁;环烷酸;制备;水热反萃法制备纳米α-Fe2-O3     

反胶束笼对纳米氯化银反应性能的微环境限定

研究了反映束中直径为１０￣１７ｎｍ的ＡｇＣｌ微料与亚甲基蓝之间的作用，比较了阴离子型和非离子型表面活性剂组成的反胶束微环境的影响，讨论了亚甲基蓝在粒子上的吸附，二聚体形成的钠米ＡｇＣｌ粒子对亚甲基蓝荧光猝灭机制。     

卟啉镍分子的激发态和反饱和吸收

用INDO/CI方法研究了卟啉镍分子的电子结构、紫外光谱、激发态,并从理论上指出卟啉镍分子存在反饱和吸收的微观机制.     

4(4''''-辛氧基-4”-联苯羧酸基)苯磺酸酯类的合成

随着发现和发明液晶显示的各种原理和显示方式,促进显示用优良的液晶材料的开发,反过来新型液晶材料又促进了新型显示器开发.DOBAMBC(p-癸氧基亚苄基-p'-氨基-2-甲基丁基肉桂酸酯)[1]第一支铁电液晶(FLC)以及MHPOBC((R)-4-(1-甲基庚基氧羰基)苯-4'-烷氧基联苯)-4-羧酸盐[2]第一支反铁电液晶(AFLC)极大地推动了液晶材料的合成及液晶显示器件的开发.以S原子代替C、O原子的液晶,如硫酯、砜基、亚砜基、亚磺酸基等,不断有报道.我们设计了一种新型的含磺酸酯基团的液晶分子,4(4'-辛氧基-4”-联苯羧酸基)苯磺酸酯类,并已成功地合成其中五种新的化合物,测试了液晶性能.国内外文献上未见报道.合成路线如下:     

CoMoK／γ—Al2O3水煤气变换催化剂的硫化及反硫化

以Ｈ２Ｓ和ＣＳ２作硫化剂，用ＰＰＳ和ＴＰＤＳ方法研究了水煤气变换催化剂ＣｏＭｏＫ／γ－Ａｌ２Ｏ３的硫化及反硫化过程。用Ｈ２Ｓ／Ｈ２硫化时，只发现Ｈ２Ｓ的消耗和Ｈ２Ｏ的生成，用ＣＳ２／Ｈ２硫化时，只发现Ｈ２Ｓ的消耗和Ｈ２Ｏ的生成。用ＣＳ２／Ｈ２硫化时，首先生成ＣＯ２，然后是ＣＨ４，Ｈ２Ｏ和Ｈ２Ｓ，ＴＰＧ实验表明催化剂表面上积炭，造成催化剂和活性降低，但积炭在水煤变换反应进行了逐渐除法。ＴＰＤＳ实验表     

NaBr对C12-s-C12•2Br/氯仿体系中反胶团增溶水能力的影响

近红外(NIR)光谱技术可用于表征氯仿体系中反胶团增溶水的能力. 对于C12-s-C12•2Br (s=2, 3, 4, 5, 6, 8)系列, 不论体系是否含有NaBr电解质, 由于具有较短联接链的表面活性剂易形成较大的反胶团, 其增溶水的能力随着联接链长度增加而降低. 与未含NaBr电解质的体系相比, 当体系中存在NaBr电解质时所形成的反胶团增溶水能力降低.     

聚合物复合材料填充剂的表面性质及其分散性的研究

本文通过反气相色谱技术研究了未处理的、硅烷偶联剂处理的和钛酸酯偶联剂处理的三种Al(OH)_3粉末的表面性质,并通过塑化仪和扫描电子显微镜研究了Al(OH)_3填充聚丙烯体系的流变行为及其在聚丙烯中的分散效果.结果表明Al(OH)_3的表面性质对其在聚丙烯介质中的分散效果有着重要的影响.     

氯冉酸阴离子桥联的Nd(III)-Nd(III), Dy(III)-Dy(III)和 Ho(III)-Ho(III)双 核配合物的合成与磁性

本文合成了三个以氯冉酸阴离子为桥基的稀土双核配合物,Ln~2(Phen)~4(CA)(NCS)~4(Ln=Nd,Dy,Ho;Phen=菲咯啉;CA=氯冉酸二价阴离子)。通过元素分析,红外光谱,电导,电子吸收光谱及变温(4-300K)磁化率表征了配合物,并由变温磁化率观察到的数据和理论方程通过最小二乘法拟合,得出分子内稀土离子间的相互作用参数:Z'J'=-0.79(Nd),-0.67(Dy),-0.63cm^-^1(Ho);表明稀土离子间存在极弱的反铁磁性交换相互作用。零场分裂参数Δ=-0.16(Nd),-0.76(Dy),-2.55cm^-^1(Ho);g=0.618(Nd),1.739(Dy),1.601(Ho),拟合因子≈10^-^4。