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31.
掠入射、全反射技术应用于化学的微量及超微量元素分析和表面分析,给X射线荧光分析技术带来了突存性的发展。目前,利用全反射X荧光分析技术对微量元素进行分析,其检测限已达到pg级,硅片表层杂质分析的检测限达到10^9个原子/cm^2。文章介绍了该技术的基本理论和特点、近年来国内外发展情况及应用的例子。 相似文献
32.
33.
田兴 《新疆大学学报(理工版)》1991,8(1):53-55
本文分析计算了荧光光纤温度传感器的温敏元件——GsAlAs/GaAs双异质结半导体材料的荧光辐射效率与激励光波长的关系。讨论了温度测量范围及温敏元件GaAlAs层铝含量对激励光源的限制,在0~200℃测温范围内,若采用LED作激励光源,其峰值波长应在0.70~0.76μm之间选择。 相似文献
34.
从实验上探讨了掺Nd^3+的氟化物玻璃光纤正向双程超荧光基本特性,包括输入-输出特性、输出-带宽特性以及输出-波长(激发)特性。并给出了理论上的拟合公式,实验表明利用氟化物玻璃光纤有望获得性能优异的有应用前景的低相干度集成化光源。 相似文献
35.
本文根据空心阴极放电中电子能量分布的物理图象,分析了原子从低激态向高激态弛豫的可能途径。建立高低激态集居数密度增量的关系。讨论高激态集居数密度增量获得可观量的条件。根据此条件分别选取钠原子的基态3s~2S_(1/2)和铜原子的亚稳态4s~2D_(3/2)为与激光共振的下能级,并激发具有较大自发发射几率的3s~2S_(1/2)→3p~2P°_(1/2)(和3p~2P°_(3/2))和4s~2D_(3/2)→4p~2P°_(1/2)跃迁,在远离上能级的高激态上观测到敏化荧光,并精确测得这些态的自发发射系数比值,而在更高激态上没有观测到敏化荧光,表明讨论中提出的条件是合理的。 相似文献
36.
测得了315 ̄330nm超声射流冷却下SO2^1A2-^1A1激光诱导荧光(LIF)激发谱,获得了7个有明显K结构的C型跃迁的转动子带分辨谱,并将70个转动子带归属为(1,m,1)-(0,0,0)和(0,n,1)-(0,0,0)(4≤m≤7,8≤n≤10)的跃迁带系。光谱分析得到SO2^1A2-^1A1跃迁的带源v00、^1A2态弯曲振动频率v′2,非谐性常数X22′分别为(27950±5)、(2 相似文献
37.
槲皮素-锑(Ⅲ)-Tween-80荧光光度法的研究及其应用 总被引:5,自引:0,他引:5
槲皮素与锑Ⅲ形成二元荧光络合物,Tween-80对体系有强烈的增敏作用,研究并建立了测定槲皮素的荧光光度法。在0.012mol/LHCl介质中,槲皮素浓度在1.2×10-5mol/L~2.88×10-4mol/L范围内与荧光强度呈线性关系,检出限为1.5×10-5mol/L。该法用于地锦草中槲皮素的测定,结果满意。 相似文献
38.
荧光猝灭法测定人发中微量锰 总被引:3,自引:0,他引:3
张根成 《理化检验(化学分册)》2004,40(12):708-709
异丙肾上腺素在pH9.91的伯瑞坦 罗比森缓冲溶液中被MnO-4氧化,导致其荧光强度显著减弱。最大激发及发射波长为278nm和616nm,MnO-4浓度在0.01~0.64mg·L-1范围内,荧光强度与浓度呈良好线性关系。将其用于人发中微量锰的测定,得到满意的结果。 相似文献
39.
着重研究多孔硅在阴极偏压下过硫酸铵溶液中电压调制的电致发光现象 .随阴极偏压的增大 ,电致荧光峰位蓝移 ,荧光强度增大 ,同时发现定电压下 ,发生电致发光随时间的衰减伴随着光谱的红移现象 .通过红外光谱、AFM及电化学等手段对电致发光的电位调制机理及荧光衰减机制进行了研究 ,结果表明电致发光与光致发光具有相同的起源 ,电压选择激发不同粒径的多孔硅 ,而导致了发光峰值能量的电位选择性 .在电致发光过程中 ,强氧化剂向多孔硅注入空穴使其表面氧化导致小粒径的硅晶逐渐被剥落 ,使光谱高能部分首先衰减出现了随时间的电致发光红移现象 .这些结果支持量子限制效应在多孔硅液相电致发光中起着重要作用 相似文献
40.
蛋白质与小分子结合的研究中,处理单位点结合模型的经典方法在计算解离平衡常数(Kd,Ki)时有缺点;文中推导的两个公式拟解决这个问题.公式直接使用受体总浓度([R]t)、配体总浓度([L]t)和探针分子总浓度([P]t),其适用性不受受体浓度、受体被探针饱和的程度,以及配体活性高低等因素的影响.基于这两个公式使用非线性拟合方法,可以从结合实验求得探针分子的Kd,从竞争实验求得配体的Ki.以CPA为荧光探针,运用推导的公式,则测定了PPARγ和一些配体结合的Ki,并首次报道了PPARγ-LY171883的Ki. 相似文献