Bei四羧酸二酰亚胺系化合物的合成及结构分析

以北四羧酸酐和相应的烷胺、芳胺或双胺反应而制得１８个北四羧酸二酰亚胺化合物。反应分别在喹啉，含有吡啶的盐酸溶液，以及胺类水溶液中进行，苯骈咪唑北类化合物是以双异构体的混合物形式存在。由元素分析、红外光谱等方法证实了化合物的结构。     

从猪血中制备原卟啉甲酯的新方法

本文报导由猪血制备原卟啉甲酯的一种新方法,木法成本低廉,设备简单,产率较高,得到的产物容易纯化,并对产物进行了IR_.~iHNMR.UV等波谱解析。     

芳香酮与芳香醛及芳香胺的Mannich反应

醛、酮与芳香醛及芳香胺的 Mannich 反应,文献[1]曾报道在 HCl-EtOH 溶液中苯乙酮及甲醛与芳香胺的 Mannich 反应。本文在此基     

用原子位形几率波理论研究插层化合物MxTX2中M离子的有序结构

本文就插层化合物M_xTX₂中占据八面体间隙的M离子建立了离子-空位格气模型.用原子位形几率波理论研究了M离子的有序结构,得到了3种最稳定的有序结构,并定量地分析了相互作用参数对有序结构形成的决定作用.最后对已有实验结果进行了分析和讨论.     

N-烷基-O-烷基-O-(1,2,2,2-四氯乙基)硫代磷酰胺酯的合成研究

合成了9个未见文献报导的四氯乙基硫代磷酰胺酯,并对它们的合成、结构和性质以及杀蚜虫、线虫活性等进行了初步研究。     

Theoretical Design of High-spin Organic Molecules with —^＊N—S— as a Spin-containing Fragment and Heterocycle as End Groups

IntroductionDesigns and syntheses of organic molecules withvery high-spin ground states have been a topic of greatinterest[1—8].One of the rational approaches to desig-ning high-spin molecules,which has been proposedand studied by several groups[9,10],in…     

聚芳香杂环甲烯的三阶非线性光学效应与时间分辨光克尔效应

合成了一系列聚芳香杂环甲烯,包括聚吡咯甲烯和聚噻吩甲烯.采用四波混频法研究材料的共振三阶非线性光学效应(λ＝532nm),其共振二阶超分子极化率γ三阶非线性光学系数分别达到10^-30esu和10^-8esu.选择具有良好溶解性、成膜性的聚吡咯对二甲氨基苯甲烯(PPDMAB),采用飞秒时间分辨光克尔效应方法研究材料的非共振三阶非线性光学效应(λ=790nm).实验表明,翠绿亚胺碱溶液的光克尔信号仅表现一超快响应的成分,归功于π电子云扭转产生的非共振激发.PPDMAB的非共振二阶超分子极化率γ三阶非线性光学系数分别达到γ=5.78×10^-32esu和χ⁽³⁾=1.26×10^-10esu.     

Multiple—Scattering of Near—Edge x—ray Absorption Fine Structure of Sulphur—Passivated InP（100） Surface

We use the multiple-scattering cluster method to calculated the sulphur 1s near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) of S-passivated InP(100) surface.The physical origins of the resonances in the NEXAFS have been unveiled.It is shown that the most important resonance is attributed to the photoelectron scattering between the central sulphur and the nearest indium atoms.The studies show that two S-S dimers with the bond lengths of 2.05A and 3.05A coexist in the surface,meanwhile the bridge and antibridge site adsorption of single S could not be ruled out.We support the scanning tunnelling microscopy result that the S-passivated InP(100) surface exhibits significant discorder.