氧化物半导瓷中晶界势垒的起源

提出了一个关于氧化物半导瓷晶界势垒起源的新观点，认为晶界势垒起源于烧结过程中外界氧在晶界中的扩散，与材料的结构、化学缺陷、掺杂、外界气氛、烧结工艺、组成状态等有密切关系，并用此理论解释了许多实验现象。     

浅谈萨特的自由观

文章探讨了萨特自由现的主要思想来源和出发点；指出其自由现的本体论基础和伦理学意义；并重点说明萨特自由观的局限性以及对广大青少年的危害性所在．     

管道纺包芯纱的研究

本文研究了在管道纺纱机上不添加构件而进行包芯纱的纺制。分析了其包芯纱的成纱机理。观察了实际成纱的横截面,证实了棉纤维能够均匀地、完全地包覆在芯丝的周围。也对不同性质的芯丝所纺包芯纱的结构作了观察,并对不同成纱的性质随速度增加而变化的规律作了研究。     

Fabrication and Characterization of Ni Thin Films Using Direct-Current Magnetron Sputtering

Ni films are deposited by using ultra high vacuum dc magnetron sputtering onto silicon substrates at room temperature, and the high-quality and high-density films are prepared. The parameters, such as thickness, density and surface roughness, are obtained by using small-angle x-ray diffraction (XRD) analyses with the Marquardt gradient-expansion algorithm. The deposition rate is calculated and the Ni single layer can be fabricated precisely. Based on the fitting results, we can find that the surface roughness of the Ni films is about 0.7nm, the densities of Ni films are around 97% and the deposition rate is 0.26nm/s. The roughness of the surface is also characterized by using an atomic force microscope (AFM). The changing trend of the surface roughness in the simulation of XRD is in good agreement with the AFM measurement.     

Au吸附在GaAs（110表面的研究

研究了Au吸附在GaAs(110)表面的吸附构型,并计算了表面态密度和表面能带结构.计算结果表明,可以认定Au与Ga的悬挂键杂化成键,从而引起2条附加的能带,一条位于禁带之中,距价带顶为0.9ev;另一条与价带共振,离价带顶为0.7ev,所得结果与实验结果相一致.     

表面驰豫效应对界面区域CBED的影响

对Ａｌ２Ｏ３颗粒增强铝复合材料与Ｋ２ＴｉＯ１３晶须增强铝复合材料中的增强相／金属界面区域点阵位移场进行ＣＢＥＤ研究，并对其进行电子衍射动力学理论模拟计算，结果表明：表面驰豫效应对晶须／铝界面法线方向上位移分量大小的分布影响显著，而对界面切线方向上位移分量的影响很小。这一结果对于解决ＣＢＥＤ法测量界面应变场时遇到的表面驰豫效应问题是有意义的。