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61.
Monte Carlo (MC) simulations are used to simulate the voltage profile and the ionic conductivity s of Li ions in LixMn2O4 and its dependence on the lithium concentration x. The open circuit potential shows clearly the two plateaus in the charge/discharge curve, which agrees well with the experimental results. The two plateaus become more and more steep when the temperature is increased. The simulated ionic conductivity shows an M-shaped curve in the plot of ionic conductivity cr versus x when the simulation temperature is low. Interestingly,the minimum valley, which lies at the middle single-phase area near x=0.5, disappears gradually when the temperature increases to 453K. 相似文献
62.
提出了在聚乙烯醇存在下,Fe(Ⅲ)-磺基水杨酸-甲基紫三元配合物光度法测定Fe(Ⅲ)的方法.该法灵敏度高(ε=3.44×105L@mol-1@cm-1),选择性及精密度均好,用于水中痕量铁的测定,结果满意. 相似文献
63.
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好,薄膜的电阻温度系数(TCR)最高可达4.23%/K.从成膜机理出发,较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为,单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度,使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原
关键词:
VO2多晶薄膜
离子束增强沉积
热电阻温度系数 相似文献
64.
利用动力学蒙特卡罗方法模拟了异质外延超薄膜生长中的成核过程.研究了薄膜与衬底的晶格失配对超薄膜生长中成核密度、平均核尺寸、标度关系及生长模式的影响.结果发现产生压(张)应变的晶格负(正)失配使生长过程更早(迟)从成核区进入过渡区,失配越大,这一效应越明显.在相同的沉积条件下,负失配导致超薄膜形成较低的成核密度与较大的平均核尺寸,而正失配则相反.成核密度满足标度关系Ns≈(F/D)χ,随着失配度从-0.04增加到0.02,标度系数χ从0.37逐渐减小到0.33,对应超薄膜生长过程从包含二聚体扩散模式转变到无
关键词:
薄膜生长
成核
晶格失配
蒙特卡罗模拟 相似文献
65.
66.
在硝酸介质中,痕量铬(Ⅵ)能灵敏的催化氧化DBC褪色。研究了反应的最佳条件,建立了测定痕量铬(Ⅵ)的新方法。检出限可达10^-9g/ml,测定范围为0.12--0.7μgCrC(Ⅵ)/10ml,方法简便、灵敏、快速、准确。用于测定水中的痕量铬(Ⅵ),获得了满意的结果。 相似文献
67.
用热传导方程控制激光辐照温度,建立了一种新回归方程以控制激光辐照硬化深度,选用卡尔丹公式列热传导方程及同归方程联立求解,可得到同时满足一定的硬化深度及表面最高温度双重要求的工艺参数,此种方法可作为激光硬化处理工艺参数的控制或预报,对本合金铸铁的激光硬化处理,其表面温度的下限应大于其熔点温度,即以表面产生微熔的快速冷凝处理为宜,并以选取低功率慢扫描为最佳。 相似文献
68.
谢维新 《广西民族大学学报》1996,(1)
采用壳聚糖为凝聚剂,重量法测定二氧化硅,试验了凝聚剂用量,溶液酸度、蒸发体积.放置时间及温度等对硅酸凝聚的影响,得出了最佳的沉淀条件,并测定了标准样品,测定结果的偏差较小. 相似文献
69.
70.