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121.
纳米银胶的光化学制备及其特性研究   总被引:8,自引:3,他引:8  
黄华  吴世法 《光子学报》2005,34(11):1643-1646
采用紫外光化学法制备了黄色银胶,并研究了硝酸银和柠檬酸三钠的浓度对制备的银胶吸收光谱的影响,发现随着硝酸银浓度的增加银胶的吸收峰先兰移然后红移;当柠檬酸三钠的浓度增加时,硝酸银吸收峰的位置几乎不变,而吸收峰强度增大.最后通过透射电镜成像研究其尺寸,发现其尺寸分布在5~20 nm之间.  相似文献   
122.
阳离子香豆胶热裂解红外光谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了香豆胶原粉、阳离子香豆胶的红外光谱归属,并测定了它们的热失重及相应热效应峰值的红外光谱(TG-IR)。根据不同温度下阳离子香豆胶光谱基团的吸收峰变化和热失重-红外光谱的分析,推断该样品可能的热解过程。  相似文献   
123.
利用石墨烯独特的吸收特性以及双芯光纤两芯之间的耦合作用,提出并设计了一种基于石墨烯的D型双芯光纤(DTCF)调制器的结构,该结构结合了吸收调制和耦合调制的优势。仿真验证了结构的调制可行性,基于有限元法数值模拟分析了调制器传输模式、两纤芯半径、纤芯距、石墨烯层数、过渡层材料对调制器性能的影响,并通过性能优化最终实现了调制带宽为8.557GHz、消光比为67.64dB、半波电压为1.763V、调制深度为98.75%、插入损耗为1.4dB、调制器长度为3.07mm的高性能调制器。  相似文献   
124.
彭宏安  泰克诚  何祯民 《中国物理 C》1994,18(12):1078-1085
讨论从ISR到SSC能区p+p(p)→p+J/ψ(Υ)+X过程.假定Pomeron(p)的结构以胶子为主且在小x处有的行为后,在QCD最低阶计算了两个主要子过程的硬衍射截面和作为背景项的Drell-Yan模式的相应截面.与背景项在高能时随Ins增加不同,硬衍射项基本上随(InS)2增加,因而在TeV能区以上时后者将大大超过前者.这种性质对其它硬衍射过程具有普适性.因此如果关于P的上述假定正确,在准确地测定P的结构后,选择适当的硬衍射过程,可能在超高能时提供探测物理粒子的新实验方法.  相似文献   
125.
光学双焦非球面圆柱面塑料集光透镜模芯制造技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
骆有桂  杨相利 《光学技术》2001,27(6):568-569
介绍一种由一面为圆柱面 ,另一面为非球面圆柱面构成的尺寸较小的光学塑料集光镜模芯制造技术。产品技术要求 F1=∞ ,F2 =4 5 ± 0 1mm ,集光效率 >85 %。内容包括CAM软件开发、线切割加工工艺、研磨抛光技术。采用该工艺制造的模芯经检测 ,表面粗糙度Ra=0 0 35 μm ,面形误差为 0 63μm。用该模芯加工的塑料产品经美国有关公司检测 ,F1=∞ ,F2 =4 5± 0 1mm ,集光效率≥ 90 %,质量达到了设计和使用要求 ,目前已批量生产。  相似文献   
126.
正电性胶态纳米银中加入凝聚剂后的表面增强拉曼光谱   总被引:1,自引:0,他引:1  
在柠檬酸还原制备的正电性胶态纳米银中加入凝聚剂HNO3和NaNO3后,用波长为633 nm的激光激发,获得了较强的表面增强拉曼散射光谱(SERS谱),通过讨论及实验明确该SERS谱是来自于还原剂中的柠檬酸根离子,并说明该方法制备的纳米银的吸附层是带正电的银离子,扩散层是带负电的柠檬酸根离子。  相似文献   
127.
周亚训  陈芬  徐铁峰  聂秋华 《光子学报》2006,35(7):1038-1042
利用光波导理论及均匀展宽四能级模型,研究了宽带放大器用阶跃型折射率分布碲基掺铒光纤的结构参量—纤芯半径和相对折射率差的设计考虑.理论研究表明,在单模传输条件下,为获取最大信号增益,宜选择相对折射率差大的碲基掺铒光纤来构建光纤放大器.相对折射率差一定的情况下,在高泵浦功率、小信号输入或光纤长度短于各信道最佳增益长度时,选择纤芯半径大的碲基掺铒光纤可以得到大的信号增益;反之,宜选择纤芯半径小的碲基掺铒光纤.  相似文献   
128.
郭云  王恩科 《中国物理 C》2006,30(5):417-422
在e-A深度非弹性散射过程中, 喷注穿过冷核介质时, 多重散射诱导胶子辐射会导致对碎裂函数的修正及喷注的能量损失.前期研究中关于计算e-A深度非弹性散射中胶子辐射振幅的两种方法: 螺旋振幅近似和微扰QCD严格计算都异常繁杂. 本文发展了一种新的方法, 可以方便计算出多重散射导致胶子辐射的振幅, 得到的碎裂函数的修正以及能量损失与严格计算的结果一致.  相似文献   
129.
130.
厚胶光刻非线性畸变的校正   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用厚胶光刻技术制作大深度微结构元件是一种有效的途径,但厚胶光刻过程中的非线性畸变对光刻面形质量的严重影响限制了该技术的应用,基于此,提出了一种对掩模透射率函数进行校正的方法。分析空间像形成及其在光刻胶内传递、曝光、显影等过程中非线性因素的影响,利用模拟退火算法对掩模透射率函数进行校正,以提高光刻面形质量,并以凹面柱透镜为例,给出了校正前后的显影轮廓模拟结果,其校正后浮雕面形的体积偏差仅为2.63%。该方法在有效改善面形质量的同时,并没有引起掩模的设计、制作难度及费用增加,这对于设计、制作高质量的微结构元件有重要意义。  相似文献   
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