冲击荷载下颗粒物质缓冲性能的试验研究

颗粒物质是一种复杂的能量耗散体系. 颗粒间的摩擦和黏滞作用可使冲击荷载引起的能量有效衰减, 颗粒间的力链结构又可将瞬时局部冲击荷载进行空间扩展和时间延长, 达到良好的缓冲效果. 为研究颗粒物质对冲击荷载的缓冲性能, 本文采用重力作用下球体冲击筒内颗粒物质的试验系统, 研究了筒体底部作用力在颗粒材料、颗粒厚度等因素影响下的变化规律. 试验结果表明: 非规则颗粒具有更加良好的缓冲性能, 粗颗粒的缓冲性能略高于细颗粒. 颗粒厚度H是影响缓冲性能的重要因素, 并存在一个临界厚度H_c. 当H<H_c时, 缓冲性能随H的增加而增强; 当H>H_c时, H对缓冲效果的影响不再显著. 以上研究是在同一冲击能量下进行的, 而对于不同冲击能量下的H_c还需要深入开展. 通过颗粒物质对冲击荷载缓冲性能的试验研究, 可揭示颗粒材料的基本物理力学行为, 为其在缓冲减振领域中的应用提供依据.     

高温退火对蓝宝石基片的表面形貌和对CeO缓冲层以及Tl-2212超导薄膜长的影响

研究了蓝宝石(1102)基片在不同温度和时间下退火时表面形貌和表面相结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和T1-2212超导薄膜生长的影响.原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1000℃温度下退火,蓝宝石(1102)的表面首先局部区域形成台阶结构,然后表面形成叠层台阶结构,随着退火时间的延长.表面发生了台阶合并现象,表面形貌最终演化为稳定的具有光滑平台的宽台阶结构.XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高蓝宝石基片表面结构的完整性.在1000℃温度下热处理20 h的蓝宝石(1102)基片上可以生长出具有面内取向的CeO2(001)缓冲层.在具有缓冲层的蓝宝石基片上可以制作出高质量c轴织构的外延11-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)为104.7 K,液氮温度下临界电流密度(Jc)达到3.5 MA/cm2,微波表面电阻R(77 K,10 GHz)约为390μΩ.     

长春工业大学校园综合管网管理系统研究与设计

以MapGIS作为地理信息基本工作的平台,以组件式为开发方式,选用C#为开发工具,建立长春工业大学校园综合管网管理系统。根据系统设计的原则和管网数据的特点,说明了系统总体结构,合理组织管网数据与工作底图数据并阐述了系统各项功能。     

谈高校网络建设中的项目管理

随着信息化带动教育现代化的时代到来，高校网络建设中的问题日益凸显。只有从理论的角度探索出科学的项目管理方法，并将其很好地运用于实践，才能确保高校网络建设中的项目能高效高质地完成，进而有效地规避其中的突出问题。     

超大图形在双缓冲方式下显示的一种方法

<正>在利用vc显示图形时,为了效果一般会采用双缓冲技术,有时使用双缓冲显示图形到一定的大小后就会失败。查阅相关资料后发现,windows系统中规定了用于     

基于java的动画编程设计

本文针对java动画设计中出现的图像闪烁、残影、程序不能响应别的请求的逻辑错误、图像传送易丢失等问题，提出了几种有效的解决方案，从而使得复杂的动画设计变得相对简单。     

Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy

This paper reports that the GaN thin films with Ga-polarity and high quality were grown by radio-frequency molecular beam epitaxy on sapphire （0001） substrate with a double A1N buffer layer. The buffer layer consists of a high-temperature （HT） A1N layer and a low-temperature （LT） A1N layer grown at 800℃ and 600℃, respectively. It is demonstrated that the HT-A1N layer can result in the growth of GaN epilayer in Ga-polarity and the LT-A1N layer is helpful for the improvement of the epilayer quality. It is observed that the carrier mobility of the GaN epilayer increases from 458 to 858cm^2/V.s at room temperature when the thickness of LT-A1N layer varies from 0 to 20nm. The full width at half maximum of x-ray rocking curves also demonstrates a substantial improvement in the quality of GaN epilavers by the utilization of LT-A1N layer.     

一种低成本计算机花型显示系统的设计

计算机花型显示系统包括微型计算机、彩色图形显示器、帧缓冲存贮器、图形显示接口等4大部分。根据系统的总体要求首先要选择合适的主机和彩色图形显示器,为接口和缓存的设计提供依据。本文详细介绍了显示控制脉冲频率的确定、帧缓冲存贮器的模块结构、缓冲存贮器与微机之间接口、伪彩色解码、行数控制电路、象素控制电路和显示地址信号产生电路。本设计全部采用常用的中小规模集成电路。系统价格低廉,性能稳定。     

聚丙烯酰胺凝胶电泳——曙红Y染色法

十二烷基硫酸钠—聚丙烯酰胺凝胶电泳已广泛用于分子生物学和医学临床等领域,但该技术的染色方法多沿用考马斯亮蓝和银染色,这两种方法均有其局限性,如蛋白凝胶染色前须经酸或醛固定,不易洗脱且操作繁琐,脱色耗时等。而曙红Y染色具有检测灵敏度高,操作简便,染色时间短,可对各种蛋白质染色,染色后的蛋白质可直接进行电泳转移印迹,也可将凝胶中蛋白质电泳转移后染色。染色后的蛋白质仍具有抗原性。此外,还具有试剂便宜,使用安全,便于推广应用等优点。