基于CPCI总线的雷达数据采集与控制系统显控软件设计

CPCI总线作为PCI总线的加固版本,目前已成为计算机上流行的高速外设接口总线。在工业自动化领域,进行数据采集和控制基本上也都是通过这一成熟技术来实现的。本文简要介绍该测量雷达和数据采集与控制系统的基本结构,以及CPCI总线标准,重点分析显控软件的功能需求,采用自顶向下的设计,并在VC环境下基于MFC架构利用多线程和双缓存技术以及多种ActiveX控件进行显控软件设计。实现了对测量雷达的控制以及对雷达回波的原始数据的实时存取和绘制。     

非晶硅界面缓冲层对非晶硅锗电池性能的影响

针对非晶硅锗电池本征层高锗含量时界面带隙失配以及高界面缺陷密度造成电池开路电压和填充因子下降的问题,通过在PI界面插入具有合适带隙的非晶硅缓冲层,不仅有效缓和了带隙失配,降低界面复合,同时也通过降低界面缺陷密度改善内建电场分布,从而提高了电池的收集效率. 进一步引入IN界面缓冲层以及对非晶硅锗本征层进行能带梯度设计,在仅采用Al背电极时,单结非晶硅锗电池转换效率达8.72%. 关键词： 非晶硅缓冲层 非晶硅锗薄膜太阳电池 带隙 界面     

硬质聚氨酯泡沫塑料的缓冲吸能特性评估

在对泡沫塑料缓冲吸能特性评估的常用方法进行分析后，对四种密度硬质聚氨酯泡沫塑料在各种应变率下的缓冲吸能特性进行了评估，并介绍了本构关系在泡沫材料缓冲吸能特性评估中的应用。     

泡沫金属缓冲器的设计新方法及应用

目前对泡沫材料的吸能特性的评估主要有以下几种方法：缓冲曲线、Rusch曲线和能量吸收图。Janssen等人提出的缓冲曲线通常是由自由落体实验测定，比较繁琐。Rusch曲线依赖于经验的本构方程，对应不同的泡沫需要拟合不同的本构方程，因此在应用中也受到限制。能量吸收图将泡沫材料的吸能特性直接与材料的应力应变曲线相联系起来，具有比铰明确的物理意义，能够较好地直接运用到缓冲器的设计中。但吸能图传统上是通过手工作包络线的过程来构建，这经常带来不小的误差甚至带来不少的困难。     

包装设计中最佳状态参数计算

本文提出了商品在某一高度自由落下时,商品最小冲击加速度的计算方法,并得出在最佳状态下(即商品所受冲击加速度 G 值最小时)缓冲系统应具有的初始弹性系数 k。和最大位移 Xm,从而为缓冲系统设计提供必要数据。     

在时域实验研究扩散诱导的Ramsey压窄

基于Duan-Lukin-Cirac-Zoller(DLCZ)方案,在时域上研究了扩散诱导的Ramsey压窄.以87Rb热原子系综为研究对象,观测到缓冲气体,激光束尺寸和镀石蜡Rb池均可以导致Ramsey压窄现象.实验结果和文献中重复相互作用模型预期的一致.     

石英衬底上Au缓冲层对ZnO薄膜微结构的影响

采用单源化学气相沉积(SSCVD)法,在石英衬底上以Au为缓冲层,Zn4(OH)2(O2CCH3)6.2H2O为固相源制备ZnO薄膜。SEM和XRD测试ZnO薄膜的微结构,结果表明:相对于SiO2衬底上生长的ZnO薄膜,Au/SiO2衬底上生长的ZnO薄膜具有较好的结晶质量和表面平整度;对制备ZnO薄膜的衬底温度进行了工艺优化,结果表明:500℃时制备的ZnO薄膜颗粒大小均匀,结晶质量较好;通过荧光光谱仪对Au/SiO2衬底上的ZnO薄膜进行光致发光(PL)谱测试,ZnO薄膜在400nm出现紫光发射峰,而没有出现与缺陷相关的深能级发射峰,表明ZnO薄膜具有较好的结晶质量。     

基于磁流变阻尼器的冲击缓冲系统控制方法

针对磁流变阻尼器在冲击缓冲系统中的应用,该文对其控制方法进行理论和实验研究.设计了冲击载荷下磁流变后坐缓冲试验系统,通过磁流变阻尼器的动态试验分析选定控制区域,提出将磁流变阻尼器多项式动力学模型应用于缓冲系统的仿真建模以及输出电流的反解,分别设计了一维和二维模糊控制器.用两种量化的充满度评价后坐缓冲的控制效果,仿真和试验结果表明,相对于原始后坐缓冲效果,磁流变后坐缓冲装置在模糊控制作用下的充满度指标明显提高,其中二维模糊控制效果较一维模糊控制效果更优.