ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变

用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明，同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同，ZnSe的X点导带底具有正的压力系数，但比г点的压力系数小，这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响，表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。     

西部大开发与投资主体结构调整

投资主体结构调整是投资结构调整的重点，也是我国全面实施经济结构调整中的重要组成部分，更是西部大开发的关键。西部地区要改变以前不合理的投资主体结构，需要从转变投资观念，改善投资环境，投资主体以政府投资为主转向多元化投资，投资客体从硬件力向软件等方面来调整投资结构。     

抗地震结构的服役费用函数及其建立方法

讨论了服股工程结构的经济性问题，包括：抗地震结构在服役过程中为完成预定功能所需要的经济花费，这些花费同结构抗震可靠度的函数关系以及它们的建立方法。形成的服役费用函数可以作为决策结构最佳抗震设防标准的依据。     

环型喷嘴的实验分析

针对传统离心喷嘴存在的问题，开发了环型喷嘴；系统地介绍了其工作原理、结构特点和喷水量实验方案；实验表明，该喷嘴具有喷水量大、防堵、高效、节能等特点。     

3-芳氧基-1,2-环氧丙烷的合成

对3-芳氧基-1，2-环氧丙烷类化合物合成方法进行了研究，对反应条件、操作过程及品质控制等方面进行了改进，合成了11个3-芳氧丙烷类化合物，改进后的方法实用，产率高于文献报道，有普遍的推广应用的价值。     

纳米级自旋电子学材料取得重要进展

因为纳米级的自旋电子学器件需要在纳米尺度上仍能在较高温度下保持优异性能的高自旋极化率材料，故与半导体相容的半金属铁磁体近来受到高度重视．文章介绍作者在这个方向上研究工作的最新重要进展：通过大规模系统的高精度第一原理计算，作者发现三个3d过渡金属硫系化合物的闪锌矿相具有优异的半金属铁磁性，并且其结构性能适合做成具有足够厚度的薄膜或层状材料，便于应用于纳米级自旋电子学器件。     

[Na(18-C-6)]2[Cu(i-mnt)2]的合成与结构分析

研究了18-冠-6与Na2[Cu(i-mnt)2][i-mnt=异丁二腈烯二硫醇阴离子,S2CC(CN)2-2]的反应,得到的配合物[Na(18-C-6)]2[Cu(i-mnt)2](1)通过元素分析、红外光谱、X射线单晶衍射进行了结构分析.配合物为单斜晶系,空间群P2(1)/c.晶体学结构数据a=1.2819(11),b=1.1793(10),c=1.4928(13)nm,β=99.121(16)°,V=2.228(3)nm3,Z=2,Dcaled.=1.369g/cm3,F(000)=958,R1=0.0521,wR2=0.1003.1中的[Cu(i-mnt)2]基团通过配体i-mnt的氮原子与两个[Na(18-C-6)]基团中的钠原子成键,形成稳定的中性配合物.     

改进型磁绝缘线振荡器的设计和数值模拟

 综合两种现有磁绝缘线振荡器的优点，对器件进行改进，将双渐变结构、轭流片和阻抗渐变三种增大功率的机制综合考虑，利用二维半全电磁PIC程序进行数值模拟，设计了一种新的改进型磁绝缘线振荡器，当外加电压为550kV，电流为35kA左右时，在L波段获得了6GW的峰值输出功率。     

砖混结构住宅楼墙体裂缝的控制及预防

住宅建设中，砖混结构为主的现象极为普遍，但作为质量通病之一，墙体裂缝却会时常产生。细小的裂缝不易被人重视，不影响使用，但却会降低建筑物的抗震能力。当地震发生时，会引起墙体破坏、坍塌，是一种不安全隐患，必须重视解决，本文就裂缝产生的原因，采取切实可行的措施，预防控制裂缝、浅谈了自己的看法。     

节能建筑设计技术研究

随着我国建设节约型社会战略构想的提出，作为能源消耗相对集中，能效比相对较低的建筑，建筑节能成为当前迫切需要解决的热点问题。本文从建筑设计的角度，阐述了建筑物保温隔热的基本原理，同时分析了钢筋混凝土的弊端。