Au/SiO2纳米多层薄膜的制备及其性质表征

利用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO₂纳米颗粒分散氧化物多层复合薄膜.研究了在保持Au单层颗粒膜沉积时间一定时薄膜厚度一定、变化SiO₂的沉积时间及SiO₂的沉积时间一定而改变薄膜厚度时，多层薄膜在薄膜厚度方向的微观结构对吸收光谱的影响.研究结果表明：具有纳米层状结构的Au/SiO₂多层薄膜在560 nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰，吸收峰的强度随Au颗粒的浓度增加而增强，在Au颗粒浓度相同的情况下，复合薄膜 关键词： 2纳米复合薄膜')" href="#">Au/SiO₂纳米复合薄膜 多靶磁控溅射 吸收光谱 有效介质理论     

基于超分子结构共掺杂纳米复合薄膜的制备与荧光特性

为改善功能分了的特性,提出一种基于金属纳米粒子-偶氮染料复合物共掺杂超分子结构功能材料的设计新方法.并依照此方法制备出复合材料,观测了其显微结构,测量了其紫外-可见光吸收,研究了该超分子结构复合体系的荧光特性.实验发现,由于金属银纳米粒子的掺杂,使得超分子结构复合体系中功能分子甲基橙在溶液态体系的荧光强度增强近5倍,而在两种不同结构(共混结构和包覆结构)的薄膜态超分子结构体系中,其荧光强度分别被猝灭15%和20%.研究结果表明,复合膜中采用超分子结构完全能够改善功能分子的特性.     

纳米电光学的进展纳米光学系统的工业应用和动力学

本书主要论述纳米电光学的工业应用动力学的新进展，由18位专家学者撰写。     

无催化纳米氧化锌的制备及其光学性质研究

本文采用无催化剂直接蒸发高纯Zn粉,在800℃氧气氛条件下,在Si(111)衬底上生长得到以四角状为主的纳米ZnO(T-ZnO)。T-ZnO纳米线每个角约互成110°,长度约为1.5μm,直径100nm左右;Raman分析表明E2(H)普遍存在于各形态的ZnO;光致发光光谱表明,T-ZnO纳米线的光致发光除了与材料性质有关,还与杂质缺陷有关,蓝绿光带是ZnO的缺陷产生的。     

纳米计量与原子光刻技术分析

为了说明原子光刻（Atom Lithography）在纳米计量及传递作用中的特殊地位，首先对纳米计量标准及其现状进行了简要介绍，提出纳米计量中原子光刻的基本概念和优势，结合原子光刻实验装置对原子光刻技术的工作机理进行了分析。结果表明，可以通过原子光刻技术得到纳米量级刻印条纹，为纳米计量及标准传递提供更加精确的手段。最后对常见的2种原子光刻技术——沉积型原子光刻和虚狭缝型原子光刻进行了阐述，指出2者的不同之处，为不同条件下原子光刻提供了一定的借鉴。     

退火温度对Fe基纳米晶粉芯磁致频移特性影响的研究

研究了充有不同温度退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移特性（MFS），发现充有不同温度退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移不同，充有经600℃退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移最灵敏。     

纳米磷灰石晶体/聚酰胺66复合材料的制备和界面研究

作者通过溶液法制备了纳米磷灰石晶体／聚酰胺66复合材料，用燃烧法测试了纳米磷灰石晶体在复合材料中的含量及其均一性，并用红外和拉曼光谱及X－射线衍射对复合材料的界面进行了初步研究。结果表明，纳米磷灰石晶体在复合材料中呈均匀分布，且在复合材料的两相界面间有新的化学键形成。     

纳米氧化锌粉的表面改性研究

以Zn(NO3)2·6H2O和CO(NH2)2为原料,采用均相沉淀法制备纳米氧化锌粉.用扫描电镜对产物粒度大小、形貌进行观察,并对其影响因素进行了探讨.结果表明,在反应温度为120℃,反应时间为2.5h时,所制的纳米氧化锌的产率最大.用不同的表面改性剂对纳米ZnO进行表面改性,粉体不再发生团聚.图6,表7,参5.     

聚氧化乙烯介质中的掺杂硫化锌纳米晶的制备及光学性质

简述了聚氧化乙烯介质中的铽、铕、铥、钆、钇、镓、锰掺杂的硫化锌纳米晶的制备方法以及紫外吸收光谱、激发光谱和光激发发射光谱.制成的硫化锌纳米晶直径为3.0～3.5nm.     

偶联剂修饰纳米磁性粒子红外光谱及相关分析

以三氯化铁水溶液作前驱体，采用部分还原沉淀法，通过控制一些影响反应的参数，制备纳米磁性粒子(magnetic nanoparticles，MNes)，并分别用Z-6020，Z-6030和Z-6040硅烷偶联剂对其进行表面修饰．利用红外光谱、古埃磁天平、可见光分光光度计等手段，对MNPs的表面包覆官能团、磁化率、稳定性等进行表征．红外光谱分析表明，选用不同的偶联剂修饰MNPs，可以在其表面包覆各种活性的有机基团，除都含有大量-OH之外，用Z-6020修饰的MNPs还含有-NH2和-NH；用Z-6030修饰的，还含有-C-O和-C-C；用Z-6040修饰的，还含有-C-O，-C-O-C和-C-OH．同时，用Z-6020修饰的MNPs磁化率最高，稳定性较差；用Z-6040的，磁化率次之，稳定性最好；用Z-6030的，磁化率最低，稳定性最差．