全文获取类型
收费全文 | 15322篇 |
免费 | 3026篇 |
国内免费 | 7054篇 |
专业分类
化学 | 10569篇 |
晶体学 | 693篇 |
力学 | 618篇 |
综合类 | 186篇 |
数学 | 73篇 |
物理学 | 5046篇 |
综合类 | 8217篇 |
出版年
2024年 | 151篇 |
2023年 | 510篇 |
2022年 | 641篇 |
2021年 | 766篇 |
2020年 | 694篇 |
2019年 | 700篇 |
2018年 | 442篇 |
2017年 | 634篇 |
2016年 | 717篇 |
2015年 | 819篇 |
2014年 | 1645篇 |
2013年 | 1382篇 |
2012年 | 1266篇 |
2011年 | 1396篇 |
2010年 | 1365篇 |
2009年 | 1466篇 |
2008年 | 1529篇 |
2007年 | 1306篇 |
2006年 | 1419篇 |
2005年 | 1386篇 |
2004年 | 1124篇 |
2003年 | 1055篇 |
2002年 | 799篇 |
2001年 | 633篇 |
2000年 | 426篇 |
1999年 | 346篇 |
1998年 | 210篇 |
1997年 | 211篇 |
1996年 | 119篇 |
1995年 | 94篇 |
1994年 | 53篇 |
1993年 | 28篇 |
1992年 | 28篇 |
1991年 | 14篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 9篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 9篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
81.
氧化硅气凝胶的超临界制备及纳米结构 总被引:8,自引:0,他引:8
简要介绍了用溶胶-凝胶法制备新型功能材料氧化硅气凝胶的方法,着重阐述了氧化硅气凝胶的各种干燥过程对其纳米结构的影响,说明了超临界干燥工艺在保持气凝胶的纳米多孔结构方面的突出重要地位,同时,用比表面积测量,扫描电镜,小角X射线菜射等研究了这种轻质纳米多孔非晶固态材料的结构特性,介绍了这种材料的应用前景。 相似文献
82.
用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比Xc为45%—50%)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着Xc的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。
关键词: 相似文献
83.
纳米TiO_2制备方法及应用进展 总被引:2,自引:0,他引:2
纳米TiO2 是重要的无机化工材料之一 ,系统地介绍了纳米TiO2 的制备方法 ,在总结和归纳的基础上 ,可分为两大类 :气相法和液相法 ,对各种方法进行了比较 ,指出了它们的优缺点及适用范围 ,并探讨了它在新领域的应用前景及其以后有待深入研究的几个问题 相似文献
84.
In-situ energy dispersive x-ray diffraction on ZnS nanocrystalline was carried out under high pressure by using a diamond anvil cell. Phase transition of wurtzite of 10nm ZnS to rocksalt occurred at 16.0GPa, which was higher than that of the bulk materials. The structures of ZnS nanocrystalline at different pressures were built by using materials studio and the bulk modulus, and the pressure derivative of ZnS nanocrystalline were derived by fitting the equation of Birch-Murnaghan. The resulting modulus was higher than that of the corresponding bulk material, which indicates that the nanomaterial has higher hardness than its bulk materials. 相似文献
85.
FENGYi-Si YAORi-Sheng ZHANGLi-De 《中国物理快报》2004,21(7):1374-1376
SnO2/SiO2 nanocomposites have been prepared by the soaking-thermal-decomposing method, tin oxide nanoparticles are uniformly dispersed in the mesopores of silica. The optical absorption edge of the obtained nanocomposite presents a redshift compared with bulk tin oxide, With the increasing annealing temperature during the procedure of the sample preparation, the optical absorption edge of the sample moves to shorter wavelength (blueshift). These optical properties can be ascribed to the amorphous structure and band defects of surface layers of the tin oxide nanoparticles. 相似文献
86.
87.
88.
Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation 下载免费PDF全文
Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved. 相似文献
89.
合成了Co@SiO2核壳式纳米粒子,并采用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)对其形状、尺寸、荧光及磁特性进行了表征,探讨了其在细胞分离和细胞芯片上的应用和原理. 相似文献
90.
Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si(111) substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed. 相似文献