准晶理论的新进展

准晶的高分辨电子显微像常显示为直径为2nm、呈十重对称的圆盘,它们还经常重叠。据此,Gummelt在1995年设计出一种内部涂有两种颜色的正十边形,并且证明只要在覆盖时两个十边形中同一颜色的部分相重,就会给出准周期的Penrose图。这种覆盖理论只需要一种正十边形的“准单胞”,覆盖部分是相邻“准单胞”生长的核。覆盖越多,结构越稳定。Gummelt在1999年将正十边形中的两种颜色去掉,既可给出准周期结构,也可给出周期结构,以及介于它们两者之间的各种中间结构。     

Mo2C膜表面粗糙化规律的计算机模拟

引入晶粒边界修正,改进了Ｍｏ２Ｃ膜表面粗糙化物理模型,将ＤＴ２模型推广到包括有温度的情况对Ｍｏ２Ｃ膜表面形态进行计算机模拟并统计模拟图的高度分布,确定表面粗糙度随沉积时间和基底温度的变化规律,结果表明：引入晶粒边界修正大大促进了理论与实验结果的一致,Ｍｏ２Ｃ膜表面粗糙化属快速粗造化,粗造度随基底温度升高在而非线性地增大。     

纳米晶类钙钛矿型锰氧化物导电性的高压研究

研究了纳米晶类钙钛矿型锰氧化物La0.7Sr0.3Mn0.95Fe0.05O3和La0.7Ca0.3MnO3在不同压力、高温处理后的导电性质.结果表明,在室温高压成型样品具有很高的电阻率,居里温度TC附近磁电阻效应很小 随处理压力的增加,电阻率先是降低,至11GPa时达最低点,之后升高.高温处理过的样品经一定压力处理后,其电阻随温度变化曲线的金属绝缘体转变峰向低温跃变,并伴随电阻率的大幅增加. 关键词：     

基于多功能数据采集卡和变速PID的转台控制系统设计

为了提高采用转台对惯导系统和惯性仪表进行误差模型标定时的可靠性和精度,对角位置转台的控制系统进行了研究。首先借助NI公司PXI-8101控制器和功能强大的数据采集卡PXIe-6363对转台控制系统进行了硬件设计。随后在对转台常规PID控制方法研究的基础上提出了一种能随系统调节偏差自动改变积分项累加速度的变速PID控制方法。接着又对基于软件实现的双通道旋转变压器轴角解调算法进行了研究并提出了一种粗精组合角纠错方法。最后对本文设计的转台控制系统进行了测试实验,结果表明提出的轴角解调算法具有较好的解码速度和精度,并且变速PID控制方法大大提高了转台控制系统的自学习能力和鲁棒性,显著地改善了转台控制过程的稳定性。     

丁胺包裹的CdSe量子点敏化的TiO2纳米晶薄膜电子转移机制

利用超快光谱技术系统研究了在丁胺包裹的CdSe量子点敏化的TiO₂纳米晶薄膜起始时刻界面间电子转移动力学。与之前的报道不同,该实验结果表明:CdSe量子点经过表面修饰后,两相电子注入机制--热电子和冷电子注入得以被证实,即:电子能分别从CdSe量子点导带中高的振动能级和导带底转移到TiO₂的导带。该机制详细描绘了电子在纳米界面间转移的图景。进一步研究发现:热电子注入的电子耦合强度(3.6±0.1 meV)比弛豫后的基态电子注入高两个数量级,基于Marcus理论,伴随着0.083 eV的重组能,冷电子注入的耦合强度值为~50 μeV。     

Mn掺杂Zn-In-S量子点的制备及发光性质研究

制备了Mn掺杂Zn-In-S量子点并研究了Zn/In的量比和反应温度对其发光性质的影响。在Mn掺杂的Zn-In-S量子点的发光谱中观测到一个600 nm发光带。通过改变Zn/In的量比,掺杂量子点的吸收带隙可从3.76 e V(330 nm)调谐到2.82 e V(440 nm),但600 nm发光峰的波长只有略微移动。这些掺杂量子点的最长荧光寿命为2.14 ms。当反应温度从200℃增加到230℃时,掺杂量子点的发光强度增加并达到最大值;而继续升高温度至260℃时,发光强度迅速减弱。此外,测量了Mn掺杂Zn-In-S量子点的变温发光光谱。发现随着温度的升高,发光峰位发生蓝移,发光强度明显下降。分析认为,Mn掺杂Zn-In-S量子点的600 nm发光来自于Mn2+离子的4T1和6A1之间的辐射复合。     

双模随机晶场对纳米管上Blume-Capel模型磁化强度和相变的影响

近年来, 磁性纳米管的物理性质和相关应用得到了人们的广泛关注. 利用有效场理论研究了纳米管上双模随机晶场中Blume-Capel模型的磁化强度和相变性质, 得到了系统的磁化强度与温度和随机晶场的关系及其相图. 结果表明: 系统在稀释晶场、交错晶场和同向晶场中会表现出不同的磁学性质和相变行为; 稀释晶场和交错晶场会抑制系统的磁化强度, 导致其基态饱和值小于1, 而同向晶场则不会; 随着随机晶场参量的变化, 系统存在多个相变温度, 并呈现出三临界现象和重入现象.     

分子动力学模拟纳米晶体铜的结构与性能

通过分子动力学方法模拟纳米面心立方晶体铜的结构，并对模拟的结果进行了不同晶粒尺寸的纳米晶体的密度、能量分布以及弛豫前后的X射线衍射、径向分布函数等计算.结果表明，大体积分数的晶界和畸变的晶粒是纳米晶体有别于传统的粗晶粒晶体材料结构的重要方面，由此导致纳米晶体一系列不同性能. 关键词：     

光在按特殊准晶方式排列的媒质中的传播

简单介绍Fibonacci-class准晶(FC(n))的结构特性，利用电场理论和二阶单位模矩阵的特殊性质，研究了光在按FC(n)准晶链排列的多层介质膜中传播时的光透射性质，发现FC(2m)的透射系数具有开关性质，FC(2m+1)的透射系数具有六循环性质，它们的最大值在π(1/2±k)附近具有有趣的性质. 关键词：     

掺铒硅发光的晶场分裂

测量了掺铒硅的高分辨光致发光光谱，得到9条铒发光分裂谱线.利用群对称理论指出9条谱线来自Er³⁺中⁴I_13/2到⁴I_15/2光跃迁在T_d晶场下的分裂.Er³⁺的第一激发态⁴I_13/2最低能量的两个Stark能级为Γ₈，Γ₆(能量递增)，它们到基态⁴关键词：