对公路雷达面层测厚的检验及评估测厚精度的方法

国内首次使用试验公路模型来检验探地雷达测厚的准确性,并提出雷达测厚精度的评价方法,为今后衡量雷达测厚精度的规范化提供依据.     

无线传感器网络中簇树骨干网的维护和更新算法

无线Adhoc传感器网络中的路由设计将能效高放在首位,设计用于路由基础的高效能簇树骨干网是延长网络寿命很有效的方法.文中利用图论中极大权独立集和根树的概念给出一种求簇树骨干网的EACT算法及对该骨干网的维护和更新算法.并通过仿真结果表明算法的有效性.     

动态滤波反投影图像重建算法研究

图像重建算法是过程层析成像(Process Tomography,PT)中的关键技术之一.本文提出了一种动态滤波反投影算法(Active Filter Linear Back Projection,AFLBP),并进行了实验仿真.结果表明,采用AFLBP对ECT系统中图像进行重建,可使系统在保持快速成像的同时,较好地解决了敏感场的非均匀分布和固定灰度阈值造成的成像精度问题,大大提高了系统的成像精度.     

87颗南天区射电源的高灵敏度天体测量

国际天球参考架(International Celestial Reference Frame, ICRF)由河外射电源的精确位置实现.针对参考射电源在南天区数量偏少、位置精度偏低的问题,本文利用包括中国四个甚长基线干涉测量(Very Long Baseline Interferometry, VLBI)台站在内的亚太区域网首次开展了南天区射电源的高灵敏度天体测量实验.在[-90°,-30°]赤纬范围内的87颗目标射电源中, 45颗已有少量天体测量数据,但位置精度较低,其余42颗从未进行过天体测量观测.观测实验的时间跨度为2015–2021年,自主完成了VLBI观测纲要编制、相关处理、相关后处理和天体测量参数解算,获得了87颗目标射电源的6471个观测量.综合解算结果显示,目标射电源中0448-392的位置精度最高,达到了0.14 mas.射电源实测相关流量密度结果显示,在X和S波段都小于0.3 Jy的射电源有58颗,占到了总数的67%,显示了观测实验的高灵敏度天体测量能力.本文的观测数据为24颗新的ICRF3射电源贡献了1306个观测量,其中13颗射电源是我们首次观测的,此外还有29...     

嫦娥五号着陆区热环境及其对探测器外部温度的影响

本文首次报道嫦娥五号探测器5个热电偶温度传感器超过47.2 h的连续测温数据,并对这批温度数据进行分析.结果表明,着陆之初5个传感器记录的温度较为均匀,变化范围245.68–272.52 K,随后温度升高差异加大,测温结束时温度变化范围为284.86–369.76 K,月球表面热环境对月球探测器阴面和阳面的温度均有显著影响,对于阴面的影响甚至胜过对阳面的影响.这项成果既有月球热环境变化机理理论研究意义也有探测器热管理工程应用价值.     

内燃机工作过程多维模型计算机仿真平台设计与实现

设计了内燃机工作过程仿真集成化PC平台.以缸内流体动力学为基础,耦合反映缸内工作过程的喷射、燃烧和碳烟生成等子模型构建了平台的多维模型;通过设置Compaq Visual Fortran软件的双精度运行环境,在PC微机上成功编译了KIVA-3V源代码;然后通过设计可视化模块,实现了平台计算与可视的集成化功能.试验分析表明:仿真平台能模拟内燃机缸内工作过程,准确反映客观物理因素对工作过程的影响,仿真误差小于5%,可以在内燃机行业推广.     

基于深度学习的3D分子生成模型研究进展

分子生成作为药物设计领域的一个基本问题,旨在以低成本和高效率的方式设计出具有理想生物活性和药代动力学属性的新颖分子.近年来深度生成模型在药物设计中得到了广泛应用,大量的模型结构和优化策略得到探索,其中大多是生成一维或二维的分子结构.随着深度学习在处理几何图形数据上的快速发展,面向3D分子的生成模型被提出,因其在直接生成3D分子构象和基于结构的药物设计上的优势和潜力而越来越受到关注.本文对近年来国内外学者在3D分子生成上取得的成果进行了系统的总结和分析,从3D分子生成算法输入的角度将其分为基于隐变量的生成、基于2D分子图的生成和基于3D分子构象的生成;接着从3D分子生成算法输出的角度将其分类为定向生成和非定向生成;随后总结了相关生成模型在主要的公开数据集上的性能,以探究各种生成模型的优缺点;最后对未来可能的研究方向进行了展望.     

基于分步式压印光刻的激光干涉仪纳米级测量及误差研究

针对在未做隔离保护处理的环境中,基于Michelson干涉原理的激光干涉仪测量系统存在严重的干扰误差,不适合分步式压印光刻纳米级对准测量的要求.采用Edlen公式的分析及计算,不仅在理论上揭示出环境温度、湿度、气压等变化对激光干涉仪测量准确度的影响,而且证明影响测量准确度的最大干扰源是空气流动的结果.通过气流隔离措施和系统测量反馈校正控制器,能够实时补偿激光干涉仪两路信号的相差.最终,测量漂移误差在10 min内由13 nm降低到5 nm以内,满足压印光刻在100 mm行程中达到20 nm定位准确度要求.     

分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能

采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26 meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似.