高功率窄脉宽半导体激光激励器设计

为了获得高功率窄脉宽半导体激光,设计了半导体激光器相应的激励单元,论述MOSFET作为高速开关的工作机理,分析基于MOSFET作为高速开关产生窄的大电流脉冲的电路模型.为了使MOSFET开关速度尽可能快,根据前述分析,提出推挽式MOSFET栅极驱动方式并设计了触发窄脉冲的发生电路.当激光二极管接入放电回路时,实验表明:激光二极管输出光的峰值功率可达67.5 W,脉宽约为20 ns.最后,简要分析了影响光脉冲宽度的因素.     

窄线SeyfertⅠ型星系

本文将概述窄线SeyfertⅠ型星系 (包括具有类似性质但光度较大的类星体 )的主要观测特征、物理内涵及其理论解释和在活动星系核内部结构上的反映。窄线SeyfertⅠ型星系 (NLS1 ,以后NLS1都认为包括NLSI星系和NLS1类星体 )具有窄的允许线Hβ,它兼有Sy1和Sy2的某些特征。它具有强的FeⅡ光学线和弱的 [OⅢ ]λ5 0 0 7禁线 ,这明显不同于Sy2。在观测相关量的主成分统计分析中表明NLS1是活动星系核第一主向量表现为极端的一类。这包括 :( 1 )HβFWHM取极小 ;( 2 )FeⅡλ45 70 /Hβ 取极大 ;( 3)SⅢ ]λ1 892 /CⅢ ]λ1 90 9取极大 ,亦一定范围内宽线区电子密度取大值 ;( 4 )CⅣλ1 5 4 9线中心蓝移取极大 ;( 5 )高光度NLS1的软X射线光子数谱指数Γx 取极大 ;( 6)X射线相对流量变化方差最大等。基于以上观测结构和相应统计规律 (观测量与HβFWHM的关系 ) ,解释NLS1现象最佳的模型是高相对吸积率L/LEdd模型。NLS1比之典型宽线活动星系核具有较低的中心黑洞质量MBH。进一步 ,还发现这一模型是活动星系核主...     

窄能隙导电高分子设计、合成新进展

详细介绍国内外在一类新型导电高分子材料 (CPs)—窄能隙导电高分子材料主要研究成果 ,这一领域正成为掺杂导电材料的有力挑战 ,为有机金属的研究提供了理论依据和新的发展方向     

氮化对单体液压支柱焊缝组织和性能的影响

对单体液压支柱氮化焊接工艺与规程进行了系统的分析和研究，优化了产品生产工艺，取得了较好效果。     

北方城市无絮窄冠杨苗期选择及无性系测定试验初报

以抗寒性较强的杨树做母本，以冠形窄的杨树做父本杂交，进行品种改良，增强速生性和适应性，并使其子代具有独特的树体形状，选育出了窄冠杨树品系钻×俄、斯×施和A118杨，其冠形可与早年引进的钻天杨相媲美，而耐寒性超过了钻天杨；前者为雄性，后二者为弱雌性，是无飞絮或飞絮极少的绿化防护树种。     

重瓦斯油及其窄馏分加氢反应性能考察

对Athabasca油砂沥青重瓦斯油以及不同馏程范围的窄馏分的物化性质进行了考察。结果显示，随着馏分沸程的增加，硫、氮等杂原子含量以及碱性氮和非碱性氮含量的增加。各种不同馏程范围馏分以及窄馏分的加氢精制反应性能表明，馏分中的氮化物含量，尤其是非碱性氮化物的含量，与其脱氮反应性能有密切关系。随着馏分终馏点的增加或者随着窄馏分馏程的变重，加氢脱硫和加氢脱氮转化率以及碱性氮和非碱性氮转化率均有所降低，其中非碱性氮的转化率下降幅度较大。由窄馏分的加氢反应性能考察可知，各类化合物的易脱除顺序为：含硫化合物，碱性氮化物，非碱性氮化物。     

现有光刻技术改进后可以制造线宽为0.13μm的集成电路

现有光刻技术改进后可以制造线宽为０．１３μｍ的集成电路１９９５年美国《固态技术》２月号和３月号连续发表文章，认为现有光刻技术经过改进，可以沿用到２００４年，用来制造线宽为０．１３ｕｍ的集成电路。随着集成电路的飞速发展，１９９５年光刻技术达到的最小线宽...     

热轧窄带钢组织性能的计算机模拟与预报

对窄带钢在轧制过程中的再结晶变化规律、轧后空冷时变形奥氏体的转变规律、相变后铁素体晶粒大小以及窄带钢的宏观性能等进行了计算机模拟与预报.实测表明该模型组合用于窄带生产实际是可行的;组织含量与力学性能的预报结果均与实测基本相符,这对调整窄带产品结构、提高窄带组织性能不但具有理论意义,而且还有实际应用价值.     

重瓦斯油及其窄馏分加氢反应性能考察

对Athabasca油砂沥青重瓦斯油以及不同馏程范围的窄馏分的物化性质进行了考察。结果显示 ,随着馏分沸程的增加 ,硫、氮等杂原子含量以及碱性氮和非碱性氮含量的增加。各种不同馏程范围馏分以及窄馏分的加氢精制反应性能表明 ,馏分中的氮化物含量 ,尤其是非碱性氮化物的含量 ,与其脱氮反应性能有密切关系。随着馏分终馏点的增加或者随着窄馏分馏程的变重 ,加氢脱硫和加氢脱氮转化率以及碱性氮和非碱性氮转化率均有所降低 ,其中非碱性氮的转化率下降幅度较大。由窄馏分的加氢反应性能考察可知 ,各类化合物的易脱除顺序为 :含硫化合物 ,碱性氮化物 ,非碱性氮化物     

窄禁带半导体材料中共振缺陷态测量

运用量子电容谱测量技术，在窄禁带半导体材料InSb和HgCdTe价带和导带中分别发现了两个共振缺陷态．根据建立的实验模型研究了这些共振缺陷态的特性 关键词：