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72.
本文用多离子晶场方法分析了Nd_2T_(14)B的自旋再取向现象,并计算了低温下Nd_2T_(14)B的磁结构。用数值拟合方法得到了一组晶场系数,自旋方向在低温和C轴的夹角和自旋再取向的温度,它们和实验值相符。并由计算求得了低温下Nd离子的磁距。 相似文献
73.
刘永益 《云南师范大学学报(自然科学版)》2002,22(3):34-36
磁矢势在理论物理中是一个重要的物理量,文章通过简单的数学分析,利用格林定理求解磁矢势A,获得任意域中磁矢势A的积分计算公式,并利用无穷远边界条件获得无界空间中磁矢势A的计算公式。 相似文献
74.
阮世勋 《广西大学学报(自然科学版)》1988,(3)
本文简述定义两个新系数对Camp公式进行变换,以编制磁致伸缩换能器谐振尺寸和频率设计计算用表的方法,分别举例说明利用该表进行考虑修正和不考虑修正的换能器计算的方法。 相似文献
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利用102MeV的^28Si束流,通过^60Ni(^28Si,2pn)熔合蒸发反应布居了^85Zr核的高自旋态,测量了γ-γ符合及DCO比值,建立了一个有43条能级,75条γ跃迁的能级纲图,新增加了36条γ跃迁,25条能级。将能级自旋推高到(49/2^ ),首次观察到了转边带的第二回弯。并确认了一条建立在17/2^-负字称带上的磁转动带。 相似文献
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在磁电子学领域,自旋极化输运与分子器件的结合是一个热门研究方向.最近,来自美国康奈尔大学的Pasupathy等,采用纳米加工技术,将单个C60分子吸附在一对Ni电极之间,构成了“铁磁电极-C60量子点”器件.量子点的Kondo效应和铁磁性交换耦合,原本是相互排斥的,在Pasupathy的实验中,两者被首次结合在一个器件中并加以观察.研究结果表明,如果器件的质量能够保证两种效应之间的竞争得到有效控制, 相似文献
80.
中在获得温度低,数目多的冷原子基础上,研究了冷原子传输速度与推的脉冲光各种参数之间的关系。 相似文献