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991.
利用化学共沉淀法制备了SrRuO3样品.X射线衍射确定样品为单相正交畸变钙钛矿结构.扫描电子显微镜观察了颗粒形貌基本成球形,颗粒尺寸分布在150~300 nm范围之间,SrRuO3样品在161 K温度以下具有铁磁性,SrRuO3样品没有表现出金属导电性.  相似文献   
992.
采用固相法制备了Pr0.45(Ca1-xSrx)0.55MnO3(x=0.0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)多晶样品.通过测量样品的X射线衍射(XRD)谱、磁化强度-温度(M~T)曲线、电阻率-温度(ρ~T)曲线,研究了Sr^2+替代Ca^2+对Pr0.45Ca0.55MnO3体系磁性和电性的影响.实验发现:...  相似文献   
993.
毕科  艾迁伟  杨路  吴玮  王寅岗 《物理学报》2011,60(5):57503-057503
采用化学镀和黏接法制备层状磁电复合材料Ni/PZT/TbFe2,研究其磁电性能及谐振频率随Ni层厚度的变化情况. 结果表明:Ni/PZT/TbFe2层状磁电复合材料与其他结构的磁电性能不同,其一阶弯曲谐振峰值和纵向谐振峰值都很大. 随着Ni层厚度的增加,Ni/PZT/TbFe2层状磁电复合材料的一阶纵向谐振峰值逐渐增大. 结合实验数据和理论计算值得出了材料的一阶弯曲谐振频率fr1和一阶纵向谐振频率f 关键词: 磁电效应 正磁致伸缩 负磁致伸缩 谐振频率  相似文献   
994.
利用固相反应法制备了用Sr部分替换GdMnO3中Gd的锰基钙钛矿氧化物Gd0.7Sr0.3MnO3.X射线衍射表明其晶体结构为正交晶系,空间群为Pnma.通过测量样品在零场冷却和加场冷却下的磁化强度及磁化率随温度的变化曲线,得出样品显示亚铁磁特性,Mn和Gd两个子晶格相互反平行.根据居里-外斯定律得知其居里温度为61 ...  相似文献   
995.
王立勇  曹永军 《物理学报》2011,60(9):97501-097501
本文采用平面波展开法数值计算了由铁圆柱分别按正方排列、三角排列以及六角排列在氧化铕基底材料中构成的二维磁振子晶体带结构,讨论了散射体的不同排列方式对磁振子晶体带隙结构的影响.计算结果表明,三角排列散射体的磁振子晶体能够获得最大的自旋波带隙结构. 关键词: 磁振子晶体 带隙 排列方式  相似文献   
996.
闫静  祁先进  王寅岗 《物理学报》2011,60(8):88106-088106
采用磁控溅射方法制备了结构为IrMn/CoFe/AlOx/CoFe的磁性隧道结多层膜,样品置于真空磁场中进行退火处理. 将在不同温度退火的磁隧道结结构多层膜置于负饱和场中等待,研究退火温度对样品热稳定性的影响. 结果表明:退火提高了多层膜反铁磁层的单轴各向异性能,增加了样品的交换偏置;随着负饱和场等待时间的延长,被钉扎层的磁滞回线向正场偏移,交换偏置单调减小,但退火减弱了这种趋势. 关键词: 磁隧道结 交换偏置 磁化反转  相似文献   
997.
吴丽君  韩宇  公卫江  谭天亚 《物理学报》2011,60(10):107303-107303
采用Anderson模型哈密顿量和非平衡态格林函数方法对量子点环以不同构型嵌入A-B干涉器中电子输运的退耦合态及反共振现象进行了理论研究. 结果表明,量子点环A-B干涉器的结构对称性以及穿过A-B干涉器的磁通量是诱发退耦合现象的两种物理机理. 耦合量子点结构的对称性越高,体系在相干电子输运过程中表现出来的退耦合及反共振现象越明显. 而且在具有高度对称性的耦合量子点结构中,通过磁场调节体系的结构参数可以分别使第奇数或第偶数分子本征态从电极上退耦合,从而使电子输运电导表现出奇偶对等振荡现象. 这为设计纳米电子开关器件提供了一个新的物理模型. 关键词: 量子点环 A-B干涉器 退耦合 反共振  相似文献   
998.
磁过滤器电流对非晶碳薄膜摩擦学特性影响的研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
韩亮  杨立  杨拉毛草  王炎武  赵玉清 《物理学报》2011,60(4):46802-046802
研究了过滤阴极真空电弧技术中,不同的磁过滤器电流下(5—13 A),制备的四面体非晶碳(ta-C)薄膜对摩擦学特性的影响.通过对薄膜厚度,薄膜结构以及薄膜表面粗糙度随磁过滤电流的变化结果进行了测试,结果表明,随着磁过滤器电流的增大,薄膜的sp3键含量逐渐减少,表面粗糙度从0.13增大到0.38.磁过滤器电流在5 A时,薄膜的摩擦系数最小约为0.08,当电流增大到7 A时,摩擦系数显著增大,磁过滤器电流从7 A增大到13 A时,薄膜的摩擦系数再次减小约为0.1. 关键词: 四面体非晶碳 过滤阴极真空电弧 磁过滤器电流 摩擦系数  相似文献   
999.
任树洋  任忠鸣  任维丽 《物理学报》2011,60(1):16104-016104
为了研究强磁场下薄膜取向生长规律,采用真空蒸发气相沉积法分别制备了不同磁场方向生长的Zn和Bi薄膜.XRD结果发现磁化率差异较小的Zn薄膜在4T时产生了明显的取向生长,而磁化率差异较大的Bi薄膜在5T磁场强度还没有发生取向生长.SEM结果显示Zn薄膜和Bi薄膜晶粒尺寸上有明显的差别,利用Zn薄膜在4T磁场下的取向建立晶粒尺寸和取向生长的对应关系,提出薄膜发生取向时晶粒的磁化能须大于热能kT的420倍.薄膜是否发生取向生长取决于三个因素:薄膜单个晶粒的大小V,材料不同晶向的磁化率差异Δ关键词: 强磁场 磁取向 薄膜生长 材料电磁加工  相似文献   
1000.
椭圆管矩形翅片间空气流动的扰流特征   总被引:3,自引:0,他引:3  
针对椭圆管矩形翅片间的空气流动特性,将应用于直接空冷电站椭圆管矩形翅片的几何中心相对于椭圆管的几何中心偏置.针对不同偏心距离x,以及不同入口风速u,得到空气侧对流换热系数h和压差P随u的变化规律.模拟结果表明翅片的偏置会对着空气侧的流动与换热产生不同影响:翅片向前偏置,低速尾流区对翅片表面换热的影响减小,空气侧总的表面...  相似文献   
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