谈介质中BIOT SAVART‘S定律的应用

用矢量场理论，推导出介质中Ｂｉｏｔ ｓａｖａｒｔ’ｓ定律的基本形式，论述了介质中应用该定律的条件及内涵，进而拓宽了该定律的适用范围。     

介质中磁场强度及性能方程的讨论

本文论述了磁介质中安培环路定理的物理意义.运用安培环路定理和高斯定理.论证了磁场强度只与传导电流有关时介质必须满足的条件,阐明了介质“均匀充满”的含义,并简述了磁介质性能方程的适用范围.     

动物节律与地磁场的变化关系

动物在地震前出现行为异常现象，已被国内外多次震例所证实。但是，对于其产生异常的原因和各种动物自身正常生活节律的形成，至今仍是个探索性的问题。地球磁场的变化大体上可分为长期变化和短期变化。长期变化如磁极移动、西向漂移、磁场强度的稳定衰减以及地史上曾多次发生过的地磁极性倒转等；短期变化又可分为扰动变化和非扰动变化。     

→↑H与介质无关的充要条件的另一种论证方法

利用矢量场的唯一性定理直接推出静磁场中→↑H与介质无关的充分必要条件，并推出两个有用的结论。     

交变磁场平行水平井测距定位实验研究

随着钻探平行水平井数量的增多,使得磁性导向技术被引入水平井钻井施工中,利用电磁学理论建立了平行水平井形式的磁场正反演计算分析模型,导向定位系统利用磁源产生低频交变磁场,对磁场信号数据进行采集与处理,通过提取有效的交变磁场数据,依据反演计算理论模型进行计算,得到磁源与测量装置间的相对距离和方位,建立了地面测试系统,并进行了导向定位实验研究。研究结果表明,反演计算所得数据结果与实际测试数据基本一致,每组数据所得结果较为明显的表现为平行形式,同时验证了数据采集处理方法和反演计算方法的有效性。     

The nonlinear optical properties of a magneto-exciton in a strained Ga0.2In0.sAs/GaAs quantum dot

The magnetic field-dependent heavy hole excitonic states in a strained Gao.2Ino.sAs/GaAs quantum dot are investi- gated by taking into account the anisotropy, non-parabolicity of the conduction band, and the geometrical confinement. The strained quantum dot is considered as a parabolic dot of InAs embedded in a GaAs barrier material. The dependence of the effective excitonic g-factor as a function of dot radius and the magnetic field strength is numerically measured. The interband optical transition energy as a function of geometrical confinement is computed in the presence of a mag- netic field. The magnetic field-dependent oscillator strength of interband transition under the geometrical confinement is studied. The exchange enhancements as a function of dot radius are observed for various magnetic field strengths in a strained Gao.2Ino.sAs/GaAs quantum dot. Heavy hole excitonic absorption spectra, the changes in refractive index, and the third-order susceptibility of third-order harmonic generation are investigated in the Gao.2Ino.8As/GaAs quantum dot. The result shows that the effect of magnetic field strength is more strongly dependent on the nonlinear optical property in a low-dimensional semiconductor system.     

磁场测量方法及其应用

磁场测量的发展有着悠久的历史,早在两千多年前,人们就用司南来探测磁场,用于指示方向。随着物理学、材料科学和电子技术的不断发展,磁场测量技术取得了很大进展,磁场测量方法也越来越多。当前,磁场测量技术已广泛应用于地球物理学、空间科学、生物医学、军事技术、工业探伤等领域,成为不可或缺的手段。磁场测量常以磁场强度的大小作为度量标准,针对不同场合下磁场强度的不同,需要采用不同的测量方法。本文将总结与讨论磁场测量的常用方法及其应用。     

抛物线型量子阱中的强耦生磁极化子

本文用Pekar型变分法研究了抛物线型量子阱中的强耦合磁极化子,给出了垂直于磁场方向的极化子的有效质量的新的定义,并作为在磁场不存在时有效质量的自然推广,平行和垂直于磁场方向的有效质量和基态能量被写作磁场强度和三维量子阱维数的函数。     

A new gaseous detector — micro mesh gaseous structure

The structure and working principle of Micromegas （MICRO Mesh Gaseous Structure） is discussed. Some radiation sources of α and X rays are used to test this detector. The optimized electric-field intensity of the conversion gap is obtained. The transmission of electrons and the uniformity of the amplification gap are also presented. The energy resolution of the 5.9 keV peak is better than 27%.     

平行共轴线圈的磁场特征研究与实验设计

通过计算机及相关的传感器和数据采集接口辅助,研究了平行共轴双线圈间距分别为0.5R,R,1.5R时,轴线方向磁场强度的分布规律及特征.从平行共轴双线圈间距为R的亥姆霍兹线圈所形成的均匀磁场出发,结合理论推导,自己设计并组装了三线圈实验装置,实现了平行共轴三线圈均匀磁场区域扩大、强度增强的实验设计,在一定程度上弥补了传统亥姆霍兹线圈磁场测量的不足并有助于对其深入的理解和研究.