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121.
不同频段的位相误差对输出光束将产生不同的影响,低频段主要影响远场焦斑主斑的能量分布,中高频段影响光的散射或者可能出现的较大的强度峰值调制,高频段影响光的散射,导致能量的损失。研究光学元件引入的位相误差与输出光束之间的定性、定量关系,首先必须对位相误差进行相应的滤波处理,反映光学元件面形的细微误差。 相似文献
122.
123.
124.
125.
126.
在过去几年中,物理学家们研究出了多种可把原子云团冷却到温度低于1微开(μK)的技术。处于这些云团中的原子是如此之冷,以至于它们不能再被看作是遵守牛顿定律的经典粒子,而应被看作是由量子力学所描述的可传播、衍射和相互干涉的波。现在,人们已经可以把冷原子囚禁在横向尺寸只有100纳米的量子点内,也可使之在长的狭管中流动,就像电子在很细的导线中流动一样。人们开始注意到一种全新的技术的可能性,这一技术与微电子技术相类似,只是它基于受控冷原子流及原子之间的相互作用。这种被称为“原子芯片”的器件可以利用量子力学原理来完成非同寻常的测量或计算工作。 相似文献
127.
A new tpye of high power microwave souce operated at low magnetic filed is proposed and studied by the particle-in-cell (PIC) method.An oversized uniform backward-wave-oscillator-like structure is connected to a tapered slow-wave structure by a resonalt cavity.In this device,the electron beam current is effectively used to yield microwaves with high efficientcy,and the mode is locked in a wide range of diode voltage to reduce the requirement to the voltage wave form.The PIC siumlation results show that a peak microwave power of 2.1 GW (averaged 1.1GW) with a pure TM01 mode at 10.7GHz is radiated with 4.1GW input beam power,the frequency remains approximately the same when the diode voltage changed from 300kV to 700kV. 相似文献
128.
129.
ZhuZhiyong DuanJinlai SunYoumei Y.Maekawa H.Koshikawa M.Yoshida 《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报》2003,(1):68-70
Heavy ion irradiated polymers can be chemically etched to form track membrane with pores in the micro and sub-micro ranges. It has been reported that pore growth during etching can be related to track structures. A latent track has a track core inside and a track halo surrounding the track core. By single track etching it is observed that etching in the track core is much faster than in the track halo where the etching rate is even lower tlian that of bulk material. For multi-track etching, no such stages can be seen by the conductance measurements. 相似文献
130.
CaoYun ZhaoHongwei MaLei ZhangZimin 《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报》2003,(1):154-154
High quality ion beams are required by IMP cyclotron and atomic physics research, so it is important to research and measure beam emitt ance of ECR ion source. Intense beams extracted from ECR ion source usually have low energy, so it is suitable to use Electric-Sweep Scanner to measure the emittance. This kind of measurement is popularly used at ECR ion source, and it has some prominent merits such as high accuracy, very short time of data processing and easy expressing of the emittance pattern. So we designed and built this emittance scanner to measure emittance of the ion beams produced by LECR3 ion source. The structure of the ESS is shown in Fig.l, and the photo of the ESS is shown in Fig.2. 相似文献