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《中国物理快报》2004,21(10):2012-2015
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用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表征.D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基元相态决定.D2液晶态相行为是K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27~41℃,清亮点比M5降低17~18℃,液晶态温区比M5加宽10~23℃.二代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2~3℃,清亮点降低26~29℃,液晶态温区减少29~31℃.在二代树状物中观察到S=+3/2的高强向错. 相似文献
44.
根据投影综合变形公式给出刚设变形修正中的"抵偿投影面"选择方案,较好地解决了高等级公路测设中长度综合变形。 相似文献
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方企勤 《北京大学学报(自然科学版)》1992,28(3):257-261
Q表示四边形,■为Q内与四边相接触的闭曲线族,本文求出■的极值长度λ■。又Ω表示Jordan域,z_1,z_2∈Ω,(?)表示Ω内包围z_1,z_2且与αΩ相接触的曲线族,本文也求出(?)的极值长度λ(?)。 相似文献
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