碳化硅：最近的主要进展

碳化硅领域的基础及开发已经有了很大的进展。本书是由世界上第一流的碳化硅研究人员和设计工程师组成的杰出团队撰写的。     

陶瓷人工关节的跑合和摩擦性能研究

研究３种生物陶瓷材料（氧化铝，氮化硅和碳化硅）在水中的跑合及其摩擦特性。结果表明：跑合前，氮化硅－氮化硅摩擦副的起始摩擦因数和稳态摩擦因数最高，碳化硅－碳化硅磨擦副的起始摩擦因数和稳态摩擦因数最低，跑合后，氧化铝－氧化铝摩擦副的稳态摩擦因数最高，碳化硅－碳化硅摩擦副的起始摩擦因数和稳态摩擦因数仍然最低。当摩擦副表面均加工到超光洁状态（表面粗糙度Ｒａ为纳米数量级）时，碳化硅－碳化硅摩擦副的摩擦性能最     

高炉有水炮泥的研制

在实验室进行了有水炮泥改性的研究，结果表明，加入适量的硅灰能显著改善炮泥性能，配比合适的炮泥完全能满足某高炉的生产需要。     

多热源碳化硅合成炉热源参数与产率的关系研究

利用ANSYS软件对多热源炉温度场数值计算的模拟结果,系统地分析了热源数目、炉芯间距与产率之间的关系.研究发现,炉芯间距过大或过小,产率均有一定程度的下降。对于10 000 kVA的变电系统和炉长L×炉宽B×炉高H=20 m×5 m×5 m的炉子而言,热源数目为4,对应的炉芯尺寸为H=B=0.34 m,炉芯间距d=1.0 m时,产率最高。这一结果通过工业生产得到了验证。     

电致发热SiC多孔陶瓷导电性能研究

研究了Al，B和Zr元素对电致发热多孔碳化硅陶瓷导电性的影响。室温电阻率测定表明，加入Al，B和Zr都可显著降低电致发热多孔碳化硅陶瓷的电阻率，随着Al，B和Zr加入量的增加，试样的室温电阻率下降。讨论了Al，B和Zr在碳化硅中的存在形式，并分析了试样的导电机理。     

氧化锆——碳化硅复合材料氧化过程的研究

在空气中，800℃到1630℃温度范围内，对氧化锆——碳化硅复合材料进行氧化实验，结果表明，复合材料的SiC氧化是属于保护型氧化，试样从800℃起开始氧化；1100℃时氧化反应加快；1450℃以后材料表面形成致密的SiO2保护层;1627℃时，SiO2保护层受到破坏，从而加剧了SiC的氧化。     

SiC2分子电子光谱的ab initio研究

在ＭＲＳＤＣＩ／ＤＺ＋Ｐ水平上，计算了ＳｉＣ２分子７个电子态Ｘ＾１Ａ１，＾３Ｂ２，＾１Ｂ２，＾３Ｂ１，＾１Ｂ１，＾３Ａ２和１＾Ａ２的平衡构型和激发能。所得Ｘ＾１Ａ２和＾１Ｂ２态的平衡构型以及Ｘ＾１Ａ２→＾１Ｂ２的激发能和实验值符合很好。     

TiN/SiC纳米多层膜的生长结构与力学性能

研究了TiN/SiC纳米多层膜中立方SiC（B1cubic SiC）的形成及其对TiN/SiC多层膜力学性能的影响.结果表明：在TiN/SiC多层膜中，非晶态的SiC层在厚度小于0.6nm时形成立方结构并与TiN形成共格外延生长的超晶格柱状晶，使多层膜产生硬度和弹性模量显著升高的超硬效应，最高硬度超过60GPa.SiC随着层厚的增加转变为非晶相，从而阻止了多层膜的共格外延生长，使薄膜呈现TiN纳米晶和SiC非晶组成的层状结构特征，同时多层膜的硬度和弹性模量下降.TiN/SiC纳米多层膜产生的超硬效应与立方 关键词： 立方碳化硅 TiN/SiC纳米多层膜 外延生长 超硬效应