全文获取类型
收费全文 | 501篇 |
免费 | 147篇 |
国内免费 | 109篇 |
专业分类
化学 | 107篇 |
晶体学 | 74篇 |
力学 | 24篇 |
综合类 | 4篇 |
物理学 | 207篇 |
综合类 | 341篇 |
出版年
2024年 | 5篇 |
2023年 | 10篇 |
2022年 | 22篇 |
2021年 | 19篇 |
2020年 | 12篇 |
2019年 | 10篇 |
2018年 | 11篇 |
2017年 | 14篇 |
2016年 | 17篇 |
2015年 | 22篇 |
2014年 | 35篇 |
2013年 | 33篇 |
2012年 | 26篇 |
2011年 | 27篇 |
2010年 | 37篇 |
2009年 | 31篇 |
2008年 | 45篇 |
2007年 | 27篇 |
2006年 | 15篇 |
2005年 | 20篇 |
2004年 | 32篇 |
2003年 | 36篇 |
2002年 | 38篇 |
2001年 | 32篇 |
2000年 | 27篇 |
1999年 | 27篇 |
1998年 | 30篇 |
1997年 | 19篇 |
1996年 | 19篇 |
1995年 | 21篇 |
1994年 | 11篇 |
1993年 | 9篇 |
1992年 | 9篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 1篇 |
排序方式: 共有757条查询结果,搜索用时 890 毫秒
131.
碳化硅粘土质耐火制品气孔率的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对有色冶金用碳化硅粘土质耐火砖的试验,得出了制品的不同性能指标。分析发现,合理地控制粘土组合的数量,碳化硅颗粒的组成,烧成温度、会明显地提高制品的气孔率,该结论能广泛应用于高性能耐火制品的研究和开发。 相似文献
132.
The diffusion behaviours of vanadium implanted p- and
n-type 4H-SiC are investigated by using the secondary
ion mass spectrometry (SIMS).
Significant redistribution, especially out-diffusion of vanadium towards the
sample surface is not observed after 1650℃ annealing for both p-
and n-type samples. Atomic force microscopy (AFM) is applied to the
characterization of
surface morphology, indicating the formation of continuous long furrows
running in one direction across the wafer surface after 1650℃
annealing. The surface roughness results from the
evaporation and re-deposition of
Si species on the surface during annealing. The chemical compositions of
sample surface are investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
The results of C 1s and Si 2p core-level spectra are presented in detail to
demonstrate the evaporation of Si from the wafer and the deposition of SiO2
on the sample surface during annealing. 相似文献
133.
李如椿 《河北理工大学学报(自然科学版)》2001,23(4)
以A2S2作为SiC颗粒间的结合相,其烧结体具有高温强度大,热震稳定性好,抗氧化能力强,热膨胀系数小等特点. 相似文献
134.
在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶凝胶甩膜并经950℃真空(10-3Pa)热解处理法,制备出晶态SiC薄膜.用FTIR,XRD,TEM,RamanXPS等方法研究了SiC薄膜的晶体结构、微结构、组成以及各元素的化学态等性质.结果表明制得的是沿(0001)高度择优取向的晶态6H-SiC薄膜.膜中SiC晶粒沿c轴柱状生长,其最大尺寸约150nm,膜厚约为0.3μm,SiC中的Si/C比约为1.表层有少许污染C(CH和CO)和少量O(Si2O3,CO态氧和吸附氧).从对比实验可知,在热解时将甩膜的Si片与另一空白Si片面面相贴可明显增加SiC的生成量.
关键词:
碳化硅
薄膜
溶胶凝胶 相似文献
135.
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在碳化硅基底上制备金刚石薄膜,采用场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、原子力显微镜研究了在不同甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜表面形貌及物相组成,在干摩擦条件下通过往复式摩擦磨损实验测试并计算了已制备金刚石薄膜的摩擦系数和磨损率,结合物相分析及摩擦磨损实验结果分析了甲烷浓度的改变对金刚石薄膜摩擦磨损性能的影响。结果表明,由于甲烷气体含量的升高,金刚石薄膜结晶质量下降,薄膜由微米晶向纳米晶转变。摩擦磨损实验结果显示:3%甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜耐磨性较好,磨损率为2.2×10-7 mm3/mN;5%甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜摩擦系数最低(0.032),磨损率为5.7×10-7 mm3/mN,制备的金刚石薄膜的耐磨损性能相比于碳化硅基底(磨损率为9.89×10-5 mm3/mN)提升了两个数量级,显著提高了碳化硅基底的耐磨性。 相似文献
136.
刘磊 《中国光学与应用光学文摘》2011,(6)
为了满足高精度相机在外场环境下的检测要求,采用碳化硅光学材料制作反射镜,碳纤/环氧树脂基复合材料制作遮光筒,设计了一套重量轻、自身精度高、温度稳定性好的离轴平行光管。在二者线胀系数保持二倍关系的情况下,在一定温变范围内保持精度的稳定性。经检测,口径为400 mm,焦距为8 m的离轴平行光管的温变为(20±10)℃,系统波像差为1/5λ(P-V值,λ=632.8 nm)和1/27λ(RMS值),达到了设计要求,能够在外场环境下使用。 相似文献
137.
138.
研究了针对600mm口径方形轻质碳化硅元件的数控抛光工艺过程,采用国产OP1000数控研磨抛光机床对一块600mm×480mm的方形碳化硅元件进行数控抛光加工。在经过两周的加工时间,碳化硅光学元件的通光口径均方根(RMS)值收敛到了35nm(大约为λ/18,λ=632.8nm)。在加工过程中针对大口径椭圆形碳化硅反射镜采用了合适的加工参数优化,例如在加工过程中的不同阶段选择了不同颗粒度的金刚石微粉作为特定阶段的抛光辅料以保证光学元件的表面粗糙度。对计算机控制数控加工技术的快速收敛过程也进行了阐释。 相似文献
139.
本文基于密度泛函理论计算分析了手性参数为(17,0)、(20,0)、(26,0) (10,10)、(12,12)、(15,15)的碳化硅纳米管的能带图,态密度及主要光学性质。结果表明:锯齿型与扶手椅型碳化硅纳米管均具有明显的半导体性质;在相近直径下,扶手椅型碳化硅纳米管带隙宽度要大于锯齿型碳化硅纳米管的带隙宽度;碳化硅纳米管的光吸收峰在100nm~200nm之间,可用于制作紫外线探测器件。 相似文献
140.
Demonstration of a 4H SiC Betavoltaic Nuclear Battery Based on Schottky Barrier Diode 总被引:4,自引:0,他引:4
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
A 4H SiC betavoltaic nuclear battery is demonstrated. A Schottky barrier diode is utilized for carrier separation. Under illumination of Ni-63 source with an apparent activity of 4mCi/cm^2, an open circuit voltage of 0.49 V and a short circuit current density of 29.44nA/cm^2 are measured. A power conversion efficiency of 1.2% is obtained. The performance of the device is limited by low shunt resistance, backscattering and attenuation of electron energy in air and Schottky electrode. It is expected to be significantly improved by optimizing the design and processing technology of the device. 相似文献