Electronic Properties of Red P-Type Tl2S5 Single Crystals

Single crystals of red Tl2S5 were prepared by a special modified vertical Bridgman and Stockbarger technique.This growth was performed in our laboratory. The influences of temperature on the electrical conductivity, Hall mobility, carrier concentration, and thermoelectric power (TEP) were carried out in the temperature range 277-413K. Throughout these measurements, various physical parameters such as effective mass of charge carriers,carrier mobility, diffusion coefficient, and the relaxation time for both majority and minority carriers were found.     

Indriect Determination of CTMAB with Sodium Chloride and Ammonium Thiocyanate by Floatation and Separation of Zine

A new method for indirect determination of cetyl-trimethyl ammonium bromide (CTMAB) with NaCl and NH4SCH by floatation and separation of zinc has been studied.The study shows that Zn(Ⅱ） can associate with NH4SCN and CTMAB to form insoluble ternary ion-association complex,and the precipitate can float on the surface of the liquid phase.A good linear relationship is observed between the floatation yield(E%) of Zn(Ⅱ） and the amount of CTMAB.On the ground,CTMAB Can be indirectly determined by determining E% of Zn(Ⅱ）.The results were satisfactory.     

选择性催化氧化H2S的催化剂研究

在考察了几种单组分氧化物把硫化氢催化氧化为单质硫的基础上，采用共沉淀法合成了3种复合氧化物催化剂A，B，C，并考察了它们的催化活性和选择性．结果表明，在一定条件下，催化剂B的转化率和选择性分别在90％和97％以上，在40h的催化性能稳定性测试中，其转化率和选择性均能保持稳定，具有良好的催化性能．     

实现细粒煤深度脱硫产业化的研究

根据我国高硫煤的赋存特点,提出采用微细介质重介旋流器及细泥选择性絮凝组合工艺实现细粒煤的深度脱硫,无机硫脱除率可大幅度提高,分选下限明显降低,是实现煤炭深度脱硫降灰产业化的有效技术途径.     

极低硫钢的精炼脱硫动力学模型

通过对影响脱硫反应限制性环节的分析,将持续接触和瞬时接触两种反应模式综合考虑,建立了精炼脱硫动力学模型,并通过实验室"极低硫钢精炼脱硫"实验数据对模型进行验证.结果表明,本模型的预测结果与实验结果比较吻合.     

2,3-二硫甲基-6,7-二硫十六烷基四硫代富瓦烯的合成

Langmuir-Blodgett(简称LB)法作为分子水平的成膜技术,能制备纳米级几乎无缺陷的单分子层或多分子层膜,在微电子学,分子器件,磁性有序材料,生物膜等方面有广泛的应用前景。目前,四硫富瓦烯类衍生物作为导电LB膜材料的研究,引起人们极大的兴     

硫酰胺的快速分析（Ⅱ） 

硫酰胺生产过程中副产的大量氯化铵要干扰硫酰胺的测定，采用四苯硼钠将全部氯化铵呈沉淀析出，再用次溴酸钠把滤液中的硫酰胺分解成氮气，测其体积，计算出硫酰胺的含量。对样品进行测定的结果表明，该法重现性好、准确度高、分析周期在３５ｍｉｎ内，相对误差在±１％以内。     

200A GeV硫核及其重碎片与铜核作用的电荷改变总截面的测量

测量了200A GeV的³²S及其碎片P,Si,Al,Mg,Na和Ne与Cu靶作用的电荷改变总截面.观察到次级碎片的电荷改变总截面比相同电荷的初级粒子的要高.导出的电磁散裂截面与弹丸电荷的平方成比例,与理论预言一致.     

[VS_4Cu_6(Py)_8I_3]的合成和晶体结构

在(NH4)3VS4/CuI/Py反应体系中合成了新化合物 [VS4Cu6(Py)8I3]并测定其晶体结构。该化合物(C40H40N8Cu6I3S4V)属正交晶系, 空间群为Fdd2, 晶胞参数为: a = 29.924(6), b = 13.475(3), c = 25.853(5) , V = 10425(4) ?, Dc = 2.006 g/cm3, Mr = 1573.92, Z = 8, (MoK) = 4.546 mm-1, F(000) = 6048。结构由直接法解出, 用全矩阵最小二乘法修正, 最终偏离因子R = 0.023, wR = 0.069。簇合物分子是由6个带端基配体的Cu沿着四面体单元VS4的6条SS边配位而成, 6个Cu排列成了1个八面体, V基本位于八面体的中心, 整个分子具有C2对称性。     

2,2’—二硫代双(4,6—二叔丁基苯酚)的晶体和分子结构

一种塑解剂经高压液体色谱分离制备出主要成份2,2′—二硫代双(4,6二叔丁基苯酚)。由质谱分析得到分子量为474化学式为C_(28)H_(2)O_2S_2、晶体呈现孪生。基体单晶属三斜晶系,空间群为(?)PI(NO.2),晶体结构用直接法解出,=0.07。研究结果表明该分子是二硫代酚类化合物。在EI场中,S—S键断裂是主要断裂过程。晶体中,分子的一个环上的羟基是无序分布的。羟基与最邻近的硫原子形成氢键。