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31.
改进的多孔硅生长模型和计算机模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%. 相似文献
32.
RTP硅太阳电池的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
用快速热处理(RTP,Rapid Thermal Processing,)制备太阳电池p—n结开辟了一种新的低成本技术。这些年许多科研机构对RTP系统的设计、RTP快速扩散模型、RTP制作器件做了深入的研究。文章主要介绍了RTP快速扩散模型和回顾了RTP硅太阳电池的发展过程,提出了RTP硅太阳电池研究的一些发展方向。 相似文献
33.
掺硅对铁黄合成过程及铁黄形态的影响:I.掺硅时间和掺硅… 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了掺硅时间和掺硅量对铁黄形态及结构的影响规律,制得了分布均匀、无枝叉的超细铁黄,其平均长轴为0.2 ̄0.25μm,轴比〉9。发现反应开始时硅酸钠的添加量越大,铁黄粒子越小,分布也越均匀,最终铁黄的结构变化也越大。当反应初期合成体系中硅原子与铁原子的摩尔比大于0.015时,反应过程会生成Fe3O4。铁黄合成后期掺硅对铁黄大小和轴比影响不大,但可以有效防止铁黄粒子凝并。 相似文献
34.
用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管,在77K温度下对其I-V特性进行了测量,得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明,纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。 相似文献
35.
36.
37.
深过冷Ni—Si共晶合金中Ni3Si的生长形态 总被引:1,自引:0,他引:1
采用熔融玻璃净化和循环过热相结合的方法,使Ni-Si共晶合金获得了224K的大过冷度,对该合金深过冷快速凝固组织的形成机制和小平面相Ni3Si的生长形态的研究发现,在过冷条件下,共晶组织形成之前,往往会生成组成共晶的两相的初生相,随着过冷度的增大,Ni3Si初生相的生长形态由小平面形态向非小平面形态转变,其转变的临界过冷度约为60K。 相似文献
38.
以现有的工业ZSM-5作为原料,采用碱处理ZSM-5的浆液或滤液作为硅铝源,与表面活性剂在水热条件下进行自组装得到具有微孔、介孔双孔分布的MCM-41型结构复合分子筛,并采用X射线衍射、N2吸附脱附、红外光谱等测试手段对合成的样品进行了分析表征,考察了主要合成条件对分子筛性能的影响.结果表明,根据ZSM-5碱处理程度的不同,采用浆液得到的样品可能含有少量ZSM-5沸石的晶粒,但随着碱浓度升高或碱处理时间的延长,ZSM-5沸石晶粒的量逐渐减少,而采用滤液合成的样品中不存在独立的ZSM-5沸石的晶粒. 相似文献
39.
利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心. 相似文献
40.
低压电容器用于补偿工频电力系统感性负载的无功功率,以提高功率因数,改善电压质量,降低线路损耗,提高系统输送功率,具有有功损耗小、价格低廉、安装简单、运行维修方便等优点,因此,在电力系统中应用极为广泛。 相似文献