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101.
研制出用于制备空间硅太阳电池上电极的小功率脉冲电镀仪,该电镀仪脉冲电流的频率和占空比具有较宽的调节范围,满足高效率硅太阳电池脉冲电镀的要求,与国内,外普遍采用的真空蒸镀硅太阳电池上电极相比较,脉冲电镀可以制备更窄的栅指电极,电池上电极的遮光损失从7% ̄9%降低到3%。 相似文献
102.
吕瑞芳 《浙江师范大学学报(自然科学版)》2002,25(3):237-238
环R称为准正则环,如果环R的每个右理想是由R的若干个幂等元所生成,主要结果是:(1)设R是准正则环,如果R的分式环Q作为右R模是右Noether的,则R是半单Artin环。(2)设R是准正则环,如果环R的每个素右理想都是极大右理想,则R是强正则环。 相似文献
103.
104.
We report a new approach for the self-assembly of cuboid micro-parts onto Si substrates to construct three-dimensional microstructures. To perform assembly, the Si substrates are prepared with a deep cavity array as binding sites. An aggregate composed of hundreds of uniformly aligned micro-parts is formed at the C10F18-H2O interface. The micro-parts are arranged by passing the substrate through the aggregate of micro-parts, thus the micro-parts are left on the substrate, and then the substrate is vibrated ultrasonically in the solution, making it possible for the micro-parts to fall into the cavities on the substrate. Finally the substrate is pulled out of the solution after assembly. This technique could give a high yield of up to 70%, providing a new method for micro-assembly. 相似文献
105.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
106.
107.
应用X光光电子能谱法测定了几种彩色胶片表面层中氟的1s能级的结合能;分别比较了水处理前后、溅蚀前后胶片护膜层氟的变化,表明氟化物分布在护膜最表层,是一种易溶于水的氟化物;测定了彩色片护膜层所含硅2p能级的结合能,与自制彩色片护膜层测定结果比较,优质片含一种较多负电性,用与自制片的无机硅不同的硅化物作毛面剂;对溅蚀前后优质片和自产彩色片中的硅铝比变化进行比较,提出优质彩色片F-400的护膜层可能是双 相似文献
108.
109.
采用红外光谱法测定D物质含量,以四氯化碳的为溶剂,0.1mm液体池,FT-IR进行吸光度值测量,通过回归分析,达到对D物质定量分析目的,回归方程Y=0.129x+0.2027,相关系数r=0.9990,回收率达96.80%,线线性范围为0.5~8.0g/L。 相似文献
110.
荧光XAFS研究Si晶体中等电子,缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Si区域晶格形变的影响。相对于共价键长RSi-Si(0.240nm)来说,富电子杂质As导致Si晶格在Si(111)方向的RAs-Si键长产生0.004nm的反应增长,等电子杂质Ge的R-Gre-Si和缺电子杂质Ga和RGa-Si键长收缩0.002nm。 相似文献