具有共轭体系的酮类烯醇硅醚与全氟碘代烷的反应

应用连二亚硫酸钠的引发，通过全氟碘代烷与醛类，酮类烯醇硅醚的反应，合成α－全氟烷基羰基类化合物的方法。利用该方法，还可以用“一锅法”合成含氟β－二酮类化合物。本文报道了在类似的反应条件下，与苯环或双键共轭的烯醇硅醚和全氟碘代反应的结果。     

硅钨杂多酸与牛血红蛋白相互作用的研究

多金属氧酸盐作为抗艾滋病病毒、抗流感病毒和抗肿瘤的药物,引起了人们对多金属氧酸与蛋白质之间相互作用的极大关注。蛋白质空间结构的任何变化引起的构象变化都意味着蛋白质分子的活性改变,因此,蛋白质与内源性化合物及许多药物分子之间相互作用的研究一直受到人们关注[1￣3]。血红蛋白是动物及人体内执行输氧任务的蛋白质,是生命机体进行各种生理活动的主要承担者。血红蛋白分子中每条α链和β链含有的色氨酸(Trp)残基分别为α-14Trp、β-15Trp、β-37Trp。Alpert[4]等认为位于疏水腔内的β-37Trp是血红蛋白内源荧光的主要来源,同时β…     

稀土对硅青铜和铝青铜凝固组织和耐磨性的影响

锡青铜是一种用途广泛的优良耐磨材料,但锡的价格贵来源缺乏,使其应用受到一定限制,因此,寻求一种无锡材料以取代锡青铜是国内外冶金材料科学工作者致力于研究的课题。铝青铜ZQA18-2-3及硅青铜ZQSi3-1.5是两种实际应用的代用材料,然而都存在铅偏析和热裂倾向大的缺点。近年来稀土在铸造合金中的应用研究有较大进展,如在铅青铜中,稀土的加入使铅偏析显著改善。本实验通过在含铅的铝青铜和硅青铜中加入混合稀土金属,探讨其改善铅偏析和减小热裂倾向的问题。     

X-射线荧光光谱法测定钛铁中的硅、锰、磷、铝

介绍用X-射线荧光光谱仪测定钛铁中Si、Mn、P、Al含量的方法,通过试验确定了合适的研磨时间、压力和保压时间,用压片法制样,建立了各元素的工作曲线,各元素的测定范围分别为Si3.00%～6.00%,Mn1.00%～3.00%,P0.030%～0.070%,Al5.00%～9.00%。通过强度测量得到测定Si、Mn、P、Al的相对标准偏差分别为0.074%、0.308%、0.383%、0.040%,精密度满足测试要求。将该方法测定结果与化学法比对,准确度满足国家标准方法分析误差的要求。     

镍、铅、LB膜对n-Si光电极的修饰

本文研究了金属(镍、铅)与Langmuir-Blodgett膜对n-Si电极光电化学行为的影响, 观察到镍与铅能增强该电极的能量转换效率与稳定性。测定和讨论了八种有机物得的LB膜对n-Si/Ni电极的修饰作用, 最佳的长链香豆素LB膜使其效率倍增。还研究了具有MIS器件结构的Si/LB/Al电极的光电化学行为, 发现它具有良好的光电效应。     

基于TSV的3D IC层次化物理实现技术

随着集成电路特征尺寸逼近物理极限,硅通孔（TSV）实现层间互连的三维集成电路（3D IC）成为延续摩尔定律的一种趋势.但现有集成电路设计工具、工艺库、设计方法尚不成熟,难以实现三维集成中超大尺寸基板芯片的时序收敛问题.为此,本文提出了一种利用现有传统的EDA工具完成基于TSV的3D IC物理设计的流程.首先,用热应力模型将三维硅通孔投影成二维阻挡层,从而将三维集成电路设计转化成若干含阻挡层的二维集成电路分别实现;其次,针对超大尺寸基板芯片的时序收敛困难问题,提出了一种标准单元布局方法,通过在版图中划定若干固定放置区用于限定关键时序单元的摆放,并迭代确定这些关键单元在固定放置区中的位置,实现大尺寸芯片的时序收敛.基于所提出的三维集成电路设计流程完成了一款三维集成的网络路由芯片基板芯片的设计,结果表明,相比传统的设计流程,提出的3D IC物理设计流程可使超大尺寸基板芯片从时序无法收敛优化到可收敛并满足时序要求,验证了所提出的3D IC物理设计流程的可行性.     

硅砂表面高温改性温度水玻璃砂强度的机理

Ｘ－射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电镜（ＳＥＭ）、能谱（ＥＤＳ）等的研究表明,硅砂表面存在吸附膜,高温改性使吸附膜被牢固烧结在砂粒表面,改变了吸附膜和砂粒表面的物理和化学特性,大大改善了湿润性,使粘结桥的断裂形式从附着断裂向内聚断裂转经,提高了水玻璃砂的强度。     

硅光探测器紫外量子增益谱

对硅光探测器在紫外光波段的量子增益过程进行了分析,考虑到碰撞粒子的相对运动及终态的态密度分布,计算了增益谱,制作了紫外性能良好的硅光电二极管,测量了紫外谱响应,对实验测量与理论计算进行了比较,结果基本一致。     

Keggin结构钼硅稀土杂多蓝的合成及性质研究

合成了钼硅稀土二电子、四电子杂多蓝ＬｎＨ３〔ＳｉＭｏ１０＾ＶＩＭｏ２＾ＶＯ４０〕·１２Ｈ２Ｏ和ＬｎＨ５〔ＳｉＭｏｇ＾ＶＩＭｏ４＾ＶＯ４０〕·１３Ｈ２Ｏ,其中Ｌｎ＝Ｌａ,Ｃｅ,Ｐｒ,Ｎｄ,Ｓｍ,Ｇｄ,通过ＩＲ,ＵＶ,ＴＧ－ＤＴＡ,ＸＰＳ,ＥＳＲ磁化率等对杂多蓝进行表征。结果表明,杂多酸盐还原为杂多蓝后,结构上发生了轻微的畸变。     

纳米结构硅研究的发展动态*

本文综合归类了目前制备纳米结构硅的主要方法：等离子体化学气相沉积．激光诱导化学气相沉积和热蒸发法（制纳米晶硅）及电化学腐蚀法（制多孔硅）,给出各种方法的典型参数及其对纳米硅结构的影响,分析了纳米硅结构特征,比较分析了各种方法制备的纳米硅的光学性能,如光学能隙Ｅｏｐｔｇ,光致／电致发光谱峰位波长、半高宽及影响因素等,并对纳米硅研究的发展前景进行展望．