碳钢膏剂无孔渗硅工艺的研究

本研究用膏剂法进行无孔渗硅研究,透射电镜、电子探针和M351腐蚀仪分析证实:获得了致密、无孔隙、具有良好耐磨性和耐腐蚀性的渗硅层,并分析了渗硅层形成机理及表层疏松层以及内部孔隙成因。     

单标准光度法快速测定钢中硅

单标准光度法快速测定钢中硅邹亚联，张胜义（合肥轴承厂化验室２３００３３）（安徽大学化学系合肥２３００３９）硅是钢中重要的合金元素之一。对于硅的分析方法，常见的有重量法和容量法［＇］，电化学分析法［２］，荧光光谱法＊１，原子发射光谱法［＇＇，原子吸收光...     

激光开槽、埋槽电极硅太阳电池

报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在ＡＭ１．５，２５℃，１００ｍＷ／ｃｍ２的条件下，以面积为４５ｃｍ３的３６片硅片研制的硅太阳电池的输出参数的平均值为ＪＳＣ＝３６．１ｍＡ／ｃｍ２，Ｖ∞＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ．＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后分析了种高性能硅太阳电池的设计特点。     

高密度聚乙烯硅芯塑料管环刚度测量的不确定度评定

介绍了测定地下通信管道用高密度聚乙烯硅芯塑料管环刚度的试验方法，并对试验结果的测量不确定度进行分析评定，找出王影响环刚度测量结果的主要因素。     

MEMS三维光刻技术的研究

微细加工技术是MEMS技术的核心技术，本文详细介绍了常用的MEMS三维加工工艺、应用现状和发展趋势，并提出了目前这些方法中存在的缺陷。     

射频溅射金属前驱体硫化法制备的Cu2ZnSnS4薄膜

采用射频溅射技术沉积Cu／Sn／Zn金属前驱体叠层结合硫化技术在玻璃衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4薄膜。X-射线衍射分析表明，通过优化制备条件可以获得单一黝锡矿结构且具有（221）择优取向的Cu2ZnSnS4薄膜。霍尔效应和紫外可见透过谱测量表明，样品的薄膜电阻、吸收系数和光学带隙分别达到0．073Ω·cm，10^4cm^-1和1．53eV，具有适合作为薄膜太阳电池吸收层应用的可能性。     

多孔硅的形成及可见光发射

多孔硅是晶体硅片在氢氟酸溶液中进行阳极氧化，在硅衬底上形成多孔态的硅材料。本文介绍了多孔硅的形成和结构形貌，对其光学性质和发光机制进行了扼要讨论，并介绍了当前多孔硅研究中的一些热点问题。