HL-2A装置器壁硅化实验

中国环流器2A（HL-2A）是我国第一个运行于偏滤器位形的托卡马克装置，为在较高等离子体参数下深入开展改善约束、大功率二级加热和电流驱动和加料等国际前沿工程与物理课题的实验研究，其第一壁将覆盖大面积的石墨材料和碳纤维保护瓦。因此，HL-2A装置器壁原位处理技术的应用和发展，涂层与等离子体相互作用特性的研究对有效控制杂质的产生，改善等离子体约束性能，提高装置实验运行参数都具有重要的意义。     

MoSi2薄膜电子性质的第一性原理研究

采用第一性原理计算方法, 研究了四方MoSi₂薄膜的电子性质. 计算结果表明, 各种厚度的薄膜都是金属性的, 并且随着厚度的增加, 其态密度与能带结构都逐渐趋近于MoSi₂块体的特性. 通过对MoSi₂薄膜磁性的分析, 发现三个原子层厚的薄膜具有磁性, 其原胞净磁矩为0.33 μ_B; 而当薄膜的厚度大于三个原子层时, 薄膜不具有磁性. 此外, 进一步对单侧加氢饱和以及双侧加氢饱和结构下三原子层MoSi₂薄膜的电子性质进行了研究, 发现单侧加氢饱和的三原子层MoSi₂薄膜具有磁性, 其原胞净磁矩为0.26 μ_B, 而双侧加氢饱和三原子层MoSi₂薄膜是非磁性的. 双侧未饱和与单侧加氢饱和的三原子层MoSi₂薄膜的自旋极化率分别为30%和33%. 这些研究结果表明, 三原子层厚的MoSi₂ 超薄薄膜在悬空或者生长于基底之上时具有金属磁性, 预示着它在纳米电子学和自旋电子学器件等方面都有潜在的应用前景.     

Wall Conditioning Operation on the HL-2A Tokamak and Conceptual Design for the Device Modification

During the 2006 experiment campaign of HL-2A, about 2000 shots have been implemented, the plasma current of 433 kA and 3.0 s duration have been obtained. The wall conditioning methods such as glow discharge cleating （GDC） , siliconization and Ti sublimation were applied. The experiment results of wall conditioning research will be introduced in this report. At the same time, the conceptual design of modification of HL-2A tokamak has obtained great progress, two modification schemes have been obtained, and the conceptual design results will be presented.     

MoSi_2高温磨损行为的配副特性研究

在XP-5型高温摩擦磨损试验机上考察了MoSi2与Al2O3、SiC和Si3N4配对副在1000℃大气环境不同滑动速率下的摩擦磨损行为,利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析了试样的磨损表面形貌和相组成.结果表明:随着滑动速率的增加,摩擦系数和MoSi2的磨损率均呈下降趋势,SiC为更适合于MoSi2的高温配对副材料.与Al2O3配对时,MoSi2的磨损机理主要表现为黏着和氧化;与SiC和Si3N4配对时,MoSi2的磨损机理为研磨、轻微氧化和点蚀.     

高温处理后大理岩的损伤指标分析及强度预测

为量化岩石受高温后的损伤程度,以高温处理后的房山大理岩为研究对象,从基本物理参数、细观结构和微观结构等多角度对岩石热损伤程度及演化过程展开研究.首先,选取25～850℃8个温度水平对试样进行热处理;然后,采用CT扫描和SEM技术分别获得热处理后岩石细微观结构随温度的演化过程;最后,结合大理岩受热后的细观特点,提出物相变...     

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对HL-2A装置限制器位形和偏滤器位形下放电气体分别为氘和氦时的等离子体热辐射测量结果做了初步分析,分析结果表明：在偏滤器室注入惰性气体能够有效的降低到达靶板的热辐射;超声分子束注入时,观测到注入粒子在等离子体中输运过程;氦放电时的辐射比值明显高于氘放电时的比值;真空室器壁的处理能够有效地降低辐射损失,硅化对器壁条件的改善效果明显。     

Investigation of SOI Substrates Incorporated with Buried MoSi2 for High Frequency SiGe HBTs

Highly arsenic-doped Si-on-insulator （SOI） substrate incorporated with buried MoSi2 layers is fabricated aiming at decreasing the collector series resistance of SiGe heterojunction bipolar transistors （HBTs） on SOI, thereby enhancing cutoff frequency （fT） performance and increasing the maximum value of fT （fTMAX ）. The .fT performance at medium current is enhanced and current required for fT = 15 GHz is reduced by half The value of fTMAX is improved by 30%.     

壁涂覆后和LHCD期间HL—1M装置辐射损失测量

本文叙述了第一壁涂覆和低杂波电流驱动对ＨＬ－１Ｍ装置等离子体辐射损失的影响。     

GexSi1—x／Si超晶格PIN波导探测器电输运过程分析

文章定性和定量地分析了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格ＰＩＮ波导探测器的电输运过程，具体说明了量子效率，光电流，频率响应带宽等重要参数的物理意义。并将理论分析与实验结果进行比较，结果表明，两者符合得较好。