电阻率法研究双液硅化加固过程中黄土的结构变化

通过连续测试双液硅化加固过程中黄土的电阻率变化。计算得到了电阻率结构特性参数的变化规律,包括土的平均结构因子、平均形状因子与各向异性系数。分析了加固过程土体结构的变化机理。试验结果表明:黄土电阻率随着电流频率的升高而逐渐减小并最终趋于稳定,当电流频率范围为50 k Hz~1 MHz时,电流频率对黄土电阻率实测值影响较小;双液硅化加固过程中,竖向和横向电阻率均随着时间的增加先减小,最终保持稳定,且减小趋势均集中在初始阶段。平均结构因子和平均形状因子均随时间的增加先减小,最终趋于稳定。各向异性系数随时间的增加先快速增大,并最终趋于稳定。     

强冲击载荷下岩石本构关系研究

研究脆性岩石在强冲击载荷下的力学响应特必和一级轻气炮驱动的飞片撞击实验技术,测量大理岩试件组成的靶板中的应力脉冲波形;应用拉氏分析方法,探讨岩石在高应变率下的力学性质和变形特征。分析得到岩石动态本构关系,深化了对岩石力学性质的认识。     

HL-1M装置真空室硅化的研究

GDC（He SiH4）是为HL－1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子－分子反应和在壁面上的He^ 诱导脱H2过程,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅（α－Si:H）薄膜。氢化硅具有良好的H（D）捕获、H2（D2）释放,能显著地降低再循环系数,有效地控制杂质水平,大大拓宽了HL－1M装置的运行范围,为HL－1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。     

Al-Mg-Si合金的价电子结构分析

用经验电子理论(EET)对Al—Mg—Si合金中主要成分(如α—Al、镁、硅，以及强化相(β—Mg2Si)的价电子结构进行计算，计算结果表明各成分晶胞最强键上的共价电子对数与其密度、熔点、硬度、电负性有对应关系；Mg、Si原子上次强键的共价电子分布有利于β相的形成。     

充填物对含孔洞大理岩力学特性影响规律试验研究

为研究充填物对含孔洞岩石的力学特性及变形破坏特征的影响规律,室内预制加工了含孔洞及石膏充填物大理岩,分别对其进行单轴压缩和声发射试验,并对破坏前后试件进行CT扫描,分析其裂纹扩展规律.试验结果表明:(1)相比于含孔洞大理岩,石膏充填使试件的抗压强度提高了10.62％.二者峰前特征相似,均表现为孔周裂纹起裂引起第一次应力跌落现象,峰后特征则有所不同,石膏充填使大理岩变形的局部化特征更为明显.(2)峰后阶段,含孔洞试件声发射特征显著,裂纹扩展迅速,石膏充填试件稍慢,表明石膏充填遏制了试件的裂纹扩展.(3)含孔洞和石膏充填大理岩的破坏模型有所区别,含孔洞试件破坏裂纹较为单一,主裂纹以张拉破坏为主,翼裂纹在试件端部较多,部分从侧面贯通,形成块体掉落.充填条件下孔洞周边的裂纹更细更分散,小裂纹相互贯通,形成"X"状剪切破坏.     

不同围压下大理岩剪胀试验研究

采用美国MTS815型电流伺服岩石力学试验系统,对大理岩岩石的18块试件进行试验,测定了其在6种不同围压下全应力应变过程中剪胀力及体积应变变化情况,在试验资料分析的基础上,获得了岩石强度、剪胀力及体积应变随围压的变化规律,这些规律对于充分利用破裂岩石本身的自稳性能,对于深入研究围岩破裂带的剪胀变形机制及支护的作用机理,从而揭示高应力大松动圈巷道围岩大变形的力学机理,以及支护与围岩的相互作用关系都具有重要意义。     

周口店车厂地区“胛痕”特征及成因分析

车厂地区房山复试岩体发育多组节理,多以胛痕的形式出现.调查统计显示车厂地区发育三组节理,分别为近南北向张节理、近东西向剪节理、北西南东向剪节理.胛痕为肉红色,呈梗状凸起,沿节理走向发育,沿裂隙面绿泥石化发育.该文旨在研究其节理伴生现象“胛痕”的特征及成因:房山岩体发育各种构造裂隙,均被富舍挥发份、石英和长石的晚期残余岩浆所充填和胶结,形成钾长石、压扁石英以及云母的富集,发生硅化,后期差异风化作用形成多条梗状凸起,即“胛采”.     

The Effect of Siliconization on Impurity Emission on HL-2A Tokamak

HL-2A is a new middle-sized tokamak device with two closed divertors. In 2004 campaign siliconization as a wall condition has been first done on HL-2A since the starting operation of the device. By using sil-iconization we observed that impurity has been obviously decreased. The character of the siliconization and the effect of wall condition on plasma have been investigated as well as on the wall recycling.     

Low Resistivity C54 Phase TiSi2 Films Synthesized by a Novel Two—Step Method

Synthesis and growth properties of the TiSi2 film on a Si (001) substrate are investigated. A novel two-step method is used for deposition of the C54 phase TiSi2 film with low resistivity. The first step is the formation ofthe C49 phase TiSi2 at a relative low substrate temperature of 400℃, followed by rapid thermal annealing processat 850℃ in N2 for the formation of the C54 phase TiSi2 as the second step. Finally, selective wet, etching isemployed to remove the un-reaction Ti on the surface and the low resistivity C54 TiSi2 film can be obtained. Thefilms deposited under various parameters are evaluated by scanning electron microscopy, x-ray diffraction and the resistivity measurement. Compared with other sputtering technologies used commonly for TiSi2 synthesis,this two-step method has apparent advantages such as the mild synthesis temperature and the high purity of the final product with low resistivity, uniform large area and improving surface roughness. In addition, the film also shows that the low coefficient of resistivity-temperature appears in the temperature range from 20℃to 800℃.     

华南地洼阶段低温地球化学作用与硅化岩-交代石英岩

本文以较全面的资料数据,论述了两种不同类型硅化岩-交代石英岩的地球化学特征、交代机制、成因及与矿的关系。