Rapid synthesis of MoSi2-Si3N4 nanocomposite via reaction milling of Si and Mo powder mixture

The nanocomposite of MoSi2-SiaN4 （molybdenum disilicide-silicon nitride） was synthesized by reaction milling of the Mo and Si powder mixture. Changing the processing parameters led to the formation of different products such as a- and B-MoSi2, SiaN4, Mo2N, and M05Si3 at various milling times. A thermodynamic appraisal showed that the milling of Moa2Siss powder mixture was associated with highly exothermic mechanically induced self-sustaining reaction （MSR） between Mo and Si. The MSR took place around 5 h of milling led to the formation of a-MoSi2 and the reaction between Si and N2 to produce Si3N4 under a nitrogen pressure of 1 MPa. By increasing the nitrogen pressure to 5 MPa, more heat is released, resulting in the dissociation of Si3N4 and the transformation of a-MoSi2 to β-MoSi2. Heat treatment was also performed on the milled samples and led to the formation of Mo2N and the transformation of a-MoSi2 to β-MoSi2 at the milling times of 10 and 40 h, respectively.     

三甲基硅化腈在有机合成中的应用

三甲基硅化腈是一种常用的有机合成试剂. 对近年来三甲基硅化腈在有机合成中的应用进行了简要的总结和概述, 重点介绍了三甲基硅化腈作为强的亲核试剂广泛用于环氮和环氧化合物的开环反应、亚胺和醛酮类化合物的加成、胺与醛或酮参与的多组分反应、偶联反应以及对炔和具有较高活性的碳碳双键的氰化加成等反应.     

表面预处理对SiO2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响

采用S iH4-C3H8-H2气体反应体系在S iO2/S i复合衬底上进行了S iC薄膜的APCVD生长。实验结果表明,H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面S iO2层熔化再结晶或被腐蚀掉。通过“先硅化再碳化”的工艺方法可以较好地解决S iO2/S i复合衬底上S iC成核困难以及粘附性差的问题,同时还可以有效抑制S iO2中的O原子向S iC生长膜扩散。选择预处理温度和薄膜生长温度为1180℃、H2预处理、S iH4硅化和C3H8碳化时间均为30 s的最佳生长条件时,可以得到<111>晶向择优生长的多晶3C-S iC外延薄膜,薄膜生长速率约为2.0~2.5nm/m in.     

Bootstrap Current Increment After Siliconization on the HT—7 Tokamak

We present some results for the estimation of the bootstrap current after sillconization on the HT-7 tokamak.After siliconization,the plasma pressure gradient and the electron temperature near the boundary are larger than before siliconization.These factors influence the ratio of the bootstrap current to the total plasma current which increases from several per cent to above 10%.The results are expected to explain the previous experimental phenomena that,after siliconization,the plasma current profile is broadened and the higher current can be obtained easily on the HT-7 tokamak experiment.     

FeSi掺杂的MnNiO热敏材料的研究

本文采用ＦｅＳｉ掺杂的方法，在材料常数Ｂ值改变较小的情况下，明显的提高了热敏材料的电阻率，为获得具有较大实用价值的热敏电阻提供了非常有效的方法。通过分析表明：ＦｅＳｉｒ和ＭｎＮｉＯ发生反应，有利于尖晶石结构的形成。     

超高压接触变质过程中元素迁移的SRXRF研究

采用独特的样品组装方法,实验模拟超高压榴辉岩相接触变质条件,研究斜长角闪岩-CaCO₃(－H₂O)体系在超高压变质作用条件下元素的迁移特性.对经接触变质后的岩石样品进行SRXRF研究,表明压力增加不利于Ca,Sr,Fe的扩散迁移,而温度的作用则不如压力明显.超高压变质条件下Sr的迁移性比Ca,Fe要高,Sr与Ca将发生分离,而Fe的迁移特性与Ca相似;而H₂O的参与将大大促进各元素的迁移速率,其作用远远超过同样为地球内部主要流体组份的CO₂.     

大理岩和砂岩动态本构的实验研究

探讨了在Ｈｏｐｋｉｎｓｏｎ压杆装置上进行岩石长杆冲击实验。用多组埋入式聚偏四氟乙烯薄膜应力计，进行了波衰减的测量，获得了大理岩、砂岩在干燥、饱水、饱油情况下的衰减系数。对实测波形运用拉格朗日分析和路径线方法获取了大理岩、砂岩动态本构关系。     

ZrO2颗粒弥散MoSi2陶瓷力学性能及氧化性能

研究了ＺｒＯ２颗粒弥散ＭｏＳｉ２陶瓷的力学性能及氧化性能。结果表明，ＺｒＯ２颗粒同时实现了室温相变韧化和高温弥散强化双重作用，显著提高了复合材料的室温强韧性及高温强度，同时复合材料仍具有较优良的抗氧化性能。     

MoSi2基高温结构陶瓷及应用

ＭｏＳｉ２是高温下使用的重要选材料，本文阐述了ＭｏＳｉ２作为高温结构陶瓷的强韧化途径、性能及其广阔的应用前景。     

锦屏层状大理岩断裂特征的微细观分析

锦屏二级地下洞室群围岩处于埋深大、高地应力状态,开挖卸荷后围岩变形破坏引起的工程问题十分突出。根据锦屏二级交通辅助洞所取得盐塘组大理岩的层状及白山组大理岩均质的特性,利用SEM高温疲劳试验系统,开展了对盐塘组大理岩不同层理方向受力及白山组大理岩的变形破坏特征及断裂机理的三点弯曲试验。试验过程中,将岩样加工成盐塘组大理岩平行层理、垂直层理及白山组大理岩3组试件。研究结果表明：盐塘组大理岩的层状特性是由于其矿物成分的方解石矿物颗粒及白云石矿物颗粒呈条带状相间分布所致,而矿物颗粒单一的白山组大理岩试件则较为均质;层状大理岩的断裂机理取决于对层理的作用力方向及矿物组成,并且表现出力学参数上的差异,而受矿物颗粒间的胶结能力及颗粒大小的影响,白山组试件强度则最小;盐塘组大理岩两组试件变形破坏过程表现出明显的3个阶段,而白山组试件变形破坏特征则划分为峰前及峰后阶段,受不同断裂机理的影响盐塘组荷载平行层理方向较之垂直方向试件的塑性变形特征明显,且白山组试件峰后阶段较为完整的表现出了其变形破坏过程。