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21.
含金砷硫精矿烧渣炼铁富集金的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
提出一种处理含金砷硫精矿的新工艺,主要包括焙烧脱除硫砷—烧渣炼铁富集金—电解分离铁金等工序.对其中烧渣炼铁富集金进行实验研究,研究熔炼中C与O质量比与炉渣二元碱度(即CaO与SiO2质量比)、熔炼温度和熔炼时间对铁和金回收率的影响,确定最佳条件及在此条件下所得生铁的化学成分.研究结果表明:在C与O质量比为0.93、炉渣二元碱度为1.0、熔炼温度为1500℃、熔炼时间为90 min的最佳条件下,铁和金的回收率分别达到97.49%和99.10%,所得生铁中金质量分数为16 g/t,与烧渣金质量分数相比约提高0.63倍,铁质量分数为97.27%,碳质量分数为1.38%. 相似文献
22.
用半经验的紧束缚方法sp^3s^*计算了薄层应变超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n(001)的电子结构。给出了组份X为0.53的超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n的带隙值随层厚n的变化关系,以及超晶格(InxGa1-xAs)12/(GaAs)12的带隙值随组份X的变化关系。在得到超昌格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料GaAs和 相似文献
23.
自然界中砷和砷的化合物一般可通过水、大气和食物等途径进入人体,危害人体健康,原子荧光光谱法测定砷含量被广泛应用。为准确测定样品中砷的含量,以原子荧光光谱法(AFS)测定土壤中总砷含量为例,重点研究高价态砷(Ⅴ)还原为低价态砷(Ⅲ)的实验条件,采用正交实验进行条件优化,建立适合的实验方法。通过设计L9(34)正交实验,高价态砷的还原反应与四个因素有关,即与反应温度、反应时间、盐酸加入量和硫脲的用量呈一定的正相关,结果表明,四个因素中硫脲用量的影响最为显著,其次是盐酸加入量、反应时间和反应温度。通过对四个因素的多水平检验,优化后的实验条件为:硫脲用量2.0 mL、盐酸加入量10%、反应时间20 min、温度20~35 ℃(即普通室温)。采用土壤标准物质验证优化后条件的可行性,得出砷的测定值在标准值范围内,RSD在2.2%~4.2%,精密度和准确性均满足质控要求。优化后的实验条件使得操作简便易行,提高了工作效率。 相似文献
24.
研究目的:通过研究河流微生物与污染物的互作关系,为河流污染治理等相关研究提供新途径。创新要点:研究选择的目标河流是报道较少的辽河二级支流,该研究对于了解支流污染特别是东北地区河流污染有重要的意义。将分子生态学技术应用于分析不同污染程度的河流底泥微生物变化,建立微生物种群变化和污染物的互作关系。研究方法:选取沿条子河的8个代表性区段,分析河水和底泥中重金属和污染物的变化情况。通过变性梯度凝胶电泳(DGGE)技术分析不同河流区段内真核和原核微生物种群变化,解析河流中污染物对底泥微生物的影响,建立微生物种群变化和重金属污染的互作关系。重要结论:重金属污染物的存在能抑制底泥中微生物生长,仅少量具有较强抗性的微生物存活(见图4);有机污染物的增加使对重金属有较强抗性的Limnodrilus hoffmeisteri 大量繁殖(见图2~4),从而大量消耗溶解氧,导致好氧微生物死亡和河水自净能力退化,最终引起水质恶化。由此可见,微生物对环境污染物的变化有很敏感的响应,通过对环境中微生物的监测有助于进一步分析环境污染的变化。 相似文献
25.
Ga1—xInxAs1—ySby四元合金系光学性质的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以对GaSb为衬底、外延生长的四元化合物Ga1-xInxAs1-ySby(组分在x=0.032,y=0.94到x=0.26,y-0.9范围内)进行了远红外反射谱、喇曼散射、光吸收和光致发光的测量。结果给出外延层晶格振动的性质及不同温度下(83K-300K)四元合金的能隙,并详细讨论了能隙随温度的变化。 相似文献
26.
建立了一种基于类石墨相碳三氮四纳米片(g-C3N4 NSs)与砷之间的电子转移效应的亚砷酸根电致化学发光(ECL)检测方法。g-C3N4在S2O2-8共反应剂中发射强的阴极ECL信号。将富含G/T碱基的DNA((GT)19)组装到金纳米粒子修饰的g-C3N4(Au-g-C3N4)电极表面,(GT)19可以特异性吸附亚砷酸根,并且其DNA结构发生改变,从而拉近亚砷酸根与Au-g-C3N4之间的距离。g-C3N4和亚砷酸根之间发生电子转移,进而使g-C3N4的ECL强度降低。据此建立了亚砷酸根检测方法,线性范围为0.150mg·m-3,检测限为0.07mg·m-3,对实际水样进行加标回收实验,结果表明该方法具有很高的实用性。 相似文献
27.
28.
29.
砷(As)是一种有毒的类金属,对人体及其它生物体有毒害作用。本文对近年来国内报道的几种含砷废水处理的方法做以介绍,加以比较,并对今后的研究方向作以预测。 相似文献
30.
用自制常压MOCVD装置,在Si衬底上生长GaAs和AlGaAs外延层,在高温去除Si衬底表面氧化膜之后,采用两步法,即低温生长过渡层,再提高温度生长外延层。得到了表面镜面光亮的优质GaAs和AlGaAs外延层。X射线双晶衍射仪测试GaAs外延层,其回摆曲线半峰宽是200孤秒,GaAs和AlGaAs外延层在77K温度下,PL谱半峰宽分别是17meV和24meV。 相似文献