缓冲层InxGa1-xAs组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In_0.82Ga_0.18As材料.研究缓冲层In_xGa_1-xAs的In组分对In_0.82Ga_0.18As结晶质量和表面形貌的影响.X射线衍射(XRD)用于表征材料的组分和结晶质量.用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌.实验结果表明,低温生长的缓冲层In_xGa_1-xAs的In组分影响高温生长的外延层In_0.82Ga_0.18As的结晶质量和表面形貌.测量得到四个样品的外延层In_0.82Ga_0.18As的X射线衍射谱峰半峰全宽(FWHM)为0.596°,0.68°,0.362°和0.391°,分别对应缓冲层In组分x=0.28,0.53,0.82,0.88,当缓冲层In组分是0.82时,FWHM最窄,表明样品的结晶质量最好.SEM观察四个样品的表面形貌,当缓冲层In组分是0.82时,样品的表面平整,没有出现交叉平行线或蚀坑等缺陷,表面形貌最佳.     

含砷废酸制备亚砷酸铜及其在铜电解液净化中的应用

利用含砷废酸制备亚砷酸铜,并将所得亚砷酸铜应用到铜电解液的净化。研究结果表明:使用NaOH溶液调节废酸pH值为6.0时,废酸中Pb,Cu,Fe和Mg杂质的去除率达到90%以上,砷保留率为89.0%;除杂后,加入CuSO4和NaOH溶液,当pH=8,n(Cu):n(As)=2:1,反应温度为20℃,反应时间为1h时,亚砷酸铜的产率达到98.2%;所得亚砷酸铜为非晶体,其中Cu与As的物质的量比为2.15;当铜电解液中加入20g/L亚砷酸铜时,铜电解液中Sb和Bi分别从0.65g/L和0.15g/L降到0.30g/L和0.07g/L,Sb和Bi去除率分别达到53.85%和53.33%。     

催化动力学测定痕量砷（Ⅲ）的研究

在硫酸介质中,发现痕量砷(Ⅲ)能灵敏地催化高碘酸钾氧化中性红褪色的指标反应,研究了该催化反应的最佳条件与动力学参数,建立了一种新的测定痕量砷(Ⅲ)的方法.该法的线性范围0～40 μg/L As(Ⅲ),检测限为2.1×10-6g/L,用于环境水样中砷(Ⅲ)的测定,获得了满意的结果.     

碳钢低合金钢中磷砷连续测定

当钢中含有砷时 ,会干扰用磷铋钼蓝光度法测定磷。近几年来 ,不少资料报道了采用硫代硫酸钠掩蔽砷能排除此干扰 ,并进一步用此进行磷、砷的连续测定 ,这种方法确实有简单易行操作方便等优点 ,但对于能否掩蔽彻底尚存争议。因此 ,在参考有关文献的基础上 ,采用如下方式进行钢中磷、砷连续测定。本法仍基于磷 (砷 )铋钼蓝光度法连续测定磷和砷含量。试样用稀硝酸溶解 ,高氯酸氧化 ,氢溴酸 -盐酸混合液挥砷 ,蒸发至盐状 ,再用硫硝混合酸溶解盐类并显色测磷。同时 ,另称一份试样 ,在相同的条件下操作 ,但不作挥砷处理 ,比较两次所测的吸光度 ,用…     

ICP－AES方法快速测定工业硫酸中的砷和铁含量

本文所述方法是将工业硫酸定量稀释，直接雾化进入ＩＣＰ激发，测定其中砷和铁的光谱强度和含量。绘制校准曲线用标准溶液，加入与测定样品相同量的分析纯硫酸为基体。该方法快速、简便，合成标准样品分析结果与标称值吻合，进口工业硫酸样品中砷、铁含量测定结果与国外检验结果、国家标准方法检验结果基本吻合。     

InGaAs(P)/InP量子阱混合处理对其光电特性的影响

用离子注入诱导无序（IICD）和无杂质空位扩散诱导无序（IFVD）方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化，带隙蓝移的规律。研究结果发现，IICD造成的带隙蓝移与离子注入的种类、剂量、注入后退火温度，时间有关，也和样品存在的应力有关。具有压应力的样品产生的蓝移量比具有应力的大。IFVD方法造成的带隙蓝移量与介质膜的种类，后继退火温度，退火时间有关。同时还发现，蓝移量与半导体盖层成分和介质层成分的组合有关，InGaAs与SiO2组合产生的蓝移比InP与SiO2组合的大。介质层的掺杂也影响蓝移量，掺P的SiOxPyNx可以产生高达224meV的蓝移，目前尚未见其他报道，二次离子质谱（SIMS）研究说明，量子阱层元素的互扩散可能是造成带隙蓝移的主要原因。     

中华大蒜油软胶囊的薄层鉴别及砷盐和重金属的限量检查

采用薄层色谱法对中华大蒜油软胶囊及大蒜药材进行了薄层鉴别,对砷盐及重金属进行了限量检查,考察了不同产地大蒜化学成分的异同。结果表明:薄层鉴别色谱分离清晰,斑点颜色明显;重金属低于10ppm,砷盐低于2ppm;不同大蒜药材化学成分基本一致。     

用工业钡盐下脚料生产“钡餐”新工艺

研究了应用废料生产“钡餐”,即胃肠道X光透视用造影剂——药用硫酸钡的新工艺。该法将工业氯化钡及氢氧化钡的下脚料用盐酸浸溶后,调整pH值以除砷、硫等杂质,控制反应温度、酸度等条件,最终获得合格产品。     

石墨炉原子吸收光谱法测定食品添加剂中微量As,Cd,Cu和Pb

用于灰化法处理，石墨炉原子吸收光谱法测定食品添加剂复合粉中微量Ａｓ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｐｂ。结果满意，相对标准偏差为５．２％；回收率为９０～１０２％。方法灵敏、准确、快速。     

AsH3的同步辐射光电离研究

用５０－２００ｍｍ的同步辐射对ＡｓＨ３超声束进行了光电离研究。通过测量ＡｓＨ３光电离及解离电 生的各种离子的光电离效率曲线，获得了ＡｓＨ＾＋３的绝热电离势和ＡｓＨ＾＋２，ＡｓＨ＾＋的出现势，并由此估算出体系中有关离子的标准生成焓，自由基的质子亲合势和分子或自由基及其离子的键能。