大规模网络最大流对偶图算法模型及实现

在网络最大流算法的研究中,为了减少计算量,提出了许多改进的方法.基于图论中的最大流最小割定理,利用网络流图的对偶图的最短路径求网络最大流,对求最短路径的Dijkstra算法进行了研究,给出了一种改进的Dijkstra算法模型,该算法采用了堆排序中的小根堆来选择最短路径结点,使用集合运算对堆中的结点进行处理,使得参加运算的结点数减少,提高了算法的效率.     

高效数据包过滤器部署算法

 整合在路由器上的数据包过滤功能是网络安全的第一道防线,对保护网络的安全有着至关重要的作用。当前的研究主要侧重于对数据包的检测和过滤,忽略了数据包过滤器的部署问题,如果对其部署得当,能极大改善网络的性能和效率。在大规模的网络中,数据包过滤器被部署在管理网络的边界上,即信任网络和非信任网络之间。一般情况下,数据包过滤器被部署在网络边界的每一个路由器上,由于需要遍历路径上的过滤器,大量的时间和空间被消耗,容易造成时延、拥塞、丢包等问题,降低网络的效率。本文依据最短路径优先的思想,提出了一种新的部署算法,通过对比边界上各种风险,移除有操作风险的边界,产生一条最短虚拟路径,更加有效地部署过滤器的位置,给内部节点之间的信任网络提供保护,并使用基于风险的方法对虚拟边界进行离线计算。实验结果表明,使用该算法后,过滤器的数量减少20%～50%,网络的延迟时间变小,网络的连通性也得到改善。     

计算机教学现状的几点思考

当今计算机专业的一部分毕业生在校期间的学习效果并不十分理想,这跟计算机的发展历史相对较短,课程设置、教材的编写还不成熟有一定的关系,另外教师对计算机教学的经验相对其它经典学科还比较缺乏;学生对计算机这一学科的认识不到位,学习态度不端正以及计算机方面的硬件设备配给不足也在一定程度上影响了教学效果的提高。     

少课时《工程制图》课程教学研究与探讨

根据教学改革出现的新情况,本文对少课时工程制图课程改革进行了研究、探讨,提出了相应的改革方法和对策。     

n型碲镉汞MIS器件动态存储时间研究

通过对动态存储时间的测量，分析了ｘ＝０．３１的ｎ型碲镉汞（Ｈ_1-xＣｄ_xＴｅ）ＭＩＳ器件的少子暗电流机理．理论计算和实验结果都表明，在其工作温度区域（～７７Ｋ），通过禁带中深能级中心辅助的间接隧道电流将限制器件的电学性能。 关键词：     

短脉冲激光加热模型的遴选原则

 利用推导出的1维半空间光致热弹性应力响应的精确解,对激光与材料相互作用的加热模型的选取进行了研究。理论分析和计算结果表明：常用的表面加热模型只有在热穿透深度远大于光吸收长度时有效,若将其应用于超短脉冲激光（ps以下量级）加热的情况,可能会导致较大的误差;皮秒和飞秒激光辐照的热效应须用体加热模型计算。     

伪随机编码超宽带短脉冲的探测能力研究

 为进行弱信号检测,研究在脉冲雷达中获得大信号时间宽度与信号带宽积的方法,利用伪随机编码方法调制超宽带短脉冲,可以在保持子脉冲信号带宽的情况下,以低功率发射长脉冲串类噪声信号,而提高信号的能量,提高探测距离。通过仿真实验得出,利用伪随机编码技术可以使超宽带信号具有更强的探测能力,可以在回波信号功率水平远远小于噪声水平（如信噪比5%）的情况下实现对探测目标的高保真成像。     

最概然分布的少粒子修正是必要的吗?

统计物理教材中推导最概然分布的过程存在数学缺陷,当粒子数较少时无法自圆其说.于是许多研究者利用更精确的公式对该推导进行少粒子修正.本文通过计算一维谐振子势阱中的理想玻色气体的基态布居数指出,经过少粒子修正后的结果与严格解反而相差更远.因此本文认为计算最概然分布时进行少粒子修正是没有必要的.     

非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET的二维解析模型

为了进一步提高深亚微米SOI (Silicon-On-Insulator) MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 的电流驱动能力, 抑制短沟道效应和漏致势垒降低效应, 提出了非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET. 在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构, 栅极由不同功函数的两种材料组成. 考虑新器件结构特点和应变的影响, 修正了平带电压和内建电势. 为新结构器件建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压二维解析模型. 模型详细分析了应变对表面势、表面场强、阈值电压的影响, 考虑了金属栅长度及功函数差变化的影响. 研究结果表明,提出的新器件结构能进一步提高电流驱动能力, 抑制短沟道效应和抑制漏致势垒降低效应, 为新器件物理参数设计提供了重要参考. 关键词： 非对称Halo 异质栅 应变Si 短沟道效应     

《强激光与粒子束》“全固态激光技术”专辑征稿启事

自1960年第一台激光器问世以来,我国的激光科学技术随之迅速发展,独立自主的在激光器有关理论、实验研究、应用领域开展了广泛而深入的研究,取得了辉煌的成就。全固态激光器集中了传统固体激光器和半导体激光器的优势于一身,具有体积小、重量轻、效率高、性能稳定、可靠性好、寿命长、易操作、运转灵便(连续/重复率/长/短脉冲)、易智能化、无污染等优点,成为目前最具潜力的新一代激光源之一,且是目前我国在国际上为数不多的从材料源头直到激光系统集成拥有整体优势的高技术领域之一,具备了在部分领域加速发展的良好基础。