9920直流比较仪电桥在计量回路电阻测试仪和直阻测试仪中的运用

介绍了直流大功率模拟电阻的原理,分析了直流大功率模拟电阻在计量中的运用,提出了使用9920匝比测量仪器时的接线方法。     

Effect of nonstoichiometry on Raman scattering of VO2 films

We report on Raman scattering of VO2 films prepared by radio frequency magnetron sputtering under different conditions. Our investigations revealed that the dominated Raman peaks shift towards high frequency for both V-rich and O-rich VO2 films, compared with the stoichiometry VO2 films. The experimental evidence is presented and the cause for nonstoichiometry dependence of Raman spectra of VO2 films is discussed.     

工艺参数对铀表面铝镀层热应力分布影响

为了防止铀的腐蚀，采用在铀表面磁控溅射镀铝，但使用中发现铝镀层内产生了较大的应力，影响镀层结合强度及使用性能。通常认为，薄膜内的应力有热应力和生长应力两种。文中通过改变沉积温度、镀层厚度以及镀层力学性能分数，研究它们对镀层热应力分布的影响，从而为改善铀表面铝镀层内热应力分布提供理论依据。     

聚氨酯泡沫塑料磁控溅射镀膜工艺

机械加工后的聚氨酯泡沫塑料，由于破坏了模塑成型的外表面膜层，材料本身多孔隙暴露在空气中，极易受潮、变形，孔隙吸附的气体对真空度有严格要求的镀膜造成极大困难，材质疏松不利于膜层结合，其低熔点的性质也使镀膜工艺的选择受到限制。采用合适的前处理技术和磁控溅射镀膜参数，可以在保证制造精度的前提下镀得一定厚度的不锈钢膜层，为该类产品提供有效的防护。     

射频溅射金属前驱体硫化法制备的Cu2ZnSnS4薄膜

采用射频溅射技术沉积Cu／Sn／Zn金属前驱体叠层结合硫化技术在玻璃衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4薄膜。X-射线衍射分析表明，通过优化制备条件可以获得单一黝锡矿结构且具有（221）择优取向的Cu2ZnSnS4薄膜。霍尔效应和紫外可见透过谱测量表明，样品的薄膜电阻、吸收系数和光学带隙分别达到0．073Ω·cm，10^4cm^-1和1．53eV，具有适合作为薄膜太阳电池吸收层应用的可能性。     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。     

ZD系列雨刷器永磁直流电动机电枢电流计算

ＺＤ系列永磁直流电动机在高速位置时电枢的两支路属不对称状态下运行。此时电枢两支路电流不平衡。文中介绍了两支路电流的关系式和电枢电流的计算方法。并用例题说明了方法的正确性。     

WOx/TiO2光催化剂的可见光催化活性机理探讨

采用磁控溅射技术在用浸渍提拉法制得的TiO2薄膜上，溅射氧化钨层,通过气相反应中光催化降解二甲苯的实验表明，WOx/TiO2薄膜具有可见光活性.通过UV-Vis吸收光谱、X射线光电子能谱（XPS）等方法对其可见光活性的机理进行探索.UV-Vis吸收光谱表明WOx,TiO2对可见光响应的范围有一定的扩展,吸收强度增加.XPS表明WOx/TiO2薄膜表面形成了明显的W杂质能级和Ti缺陷能级,这是WOx/TiO2在可见光范围有一吸收的主要原因,也是光催化剂具有可见光活性的必要条件之一，同时杂质能级的存在使半导体费米能级上移,载流子增加,光催化效率提高.