利用背面Ar+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性

研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（n-MOSFET)线性区的特性，用低能量（550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面，能有效地改善其线性区的直流特性，如跨导，沟道电导，阈值电压，表面有效迁移率以及低频噪声等，实验结果表明，随着轰击时间的增加，跨导，沟道电导和表面有效迁移率光增大，然后减小，阈值电压先减小，随后变大；而低频噪声在轰击后明显减小，实验证明，上述参数的变化是硅－二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。     

电力有源滤波器的原理与应用

简要介绍了电力有源滤波技术的基本原理，阐述了电力有源滤波器的几种主要控制策略：分析了电力有源滤波器技术的国内外发展状况，并简单介绍了应用时应考虑的一些问题．     

ITO透明半导体膜的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。     

利用遗传算法辅助设计数字滤波器

介绍了一种改进的遗传算法，并讨论了其特性和运行机理．主要研究了利用此算法辅助设计低通数字滤波器的方法和步骤．仿真实验结果表明，遗传算法用于数字滤波器设计具有良好的优越性和潜在的应用前景     

有源自适应消声系统实施问题的分析

本文通过对有源消声系统实施问题的分析,提出了有源自适应消声系统设计中系统采样频率及A/D、D/A和计算机字长的选用方法.     

有源消声耳罩的设计研究

本文对有源消噪电路的设计进行了分析研究,并采用单通道有源消嗓电路,实现了320Hz—510Hz.频率范围内3dB以上的消声效果.根据理论上分析和实际模拟消声电路设计和实验,对有源消声提出了改进建议.     

有源滤波器的设计及其应用

介绍一种基于查表法与计算机辅助计算相结合的方法来设计一种带宽（０３～３１）ＫＨＺ的宽带有源滤波器．其带内波动约小于１５ｄＢ．在３１０ＨＺ以下的１／２倍频程处和３１ＫＨＺ以上的倍频程处的衰减均≥５５ｄＢ．还介绍一种在解调器中作滤波放大用的有源滤波器，其带宽为（４～６）ＫＨＺ，增益≥２５．     

德国Lenze公司47系列直流调速控制器的研究

本文对德国Lenze公司47系列直流调速控制器进行了系统的分析研究，其触发电路较具特色，值得学习与借鉴。     

推挽式零电压开关多谐振高频变换器的直流稳态分析

将零电压开关多谐振技术应用于推挽变换器电路，提出了一种推挽式零电压开关多谐振高频变换器（ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ）电路方案，较全面、完整地对其稳态工作模式和直流特性进行了分析，发现了变换器正常运行的４种工作模式。用自编制的ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ的计算机仿真程序，仿真研究了ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ电路中各处电压、电流的稳态变化规律以及电路的直流电压增益与开关频率的变化特性。设计并实现了输入４８Ｖ、输出５Ｖ、功率５０Ｗ的离线式ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ实验电路，通过实验验证了理论分析的正确性。     

直流电动机锁相系统速度内环的设计

锁相系统是一个能够跟踪输入信号频率和相位的闭环自动控制系统，为了获得较好的动特性和较高的稳态精度，在直流电动机锁相系统中可采用数字模拟混合系统方案，即采用双环结构，外环是鉴频鉴相环，内环是速度环。实验证明，采用速度内环是高精度宽调速的可行方案。