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21.
用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In0.53Ga0.47As(85?)/Al0.4
关键词: 相似文献
22.
Jindun Liu A. J. B. Kemperman G. H. Koops M. Wessling 《中国颗粒学报》2006,4(2):98-102
A novel method of fabricating composite mosaic membranes was studied on the basis of interracial polymerization (IP) by coating a thin selective layer onto the surface of a micro-porous hollow-fiber membrane, in which, 2,5-diaminobenzene sulfonic acid was used as one monomer of the IP reaction, and a mixture of trimesoyl chloride (TMCI) and 4-(chloromethyl) benzoyl chloride as the other monomer. Through the IP reaction a thin selective layer with negatively charged groups could be first formed on the polyethersulfone (PES) support membrane. Then trimethylamine solution was introduced to modify the IP layer through a quaternization reaction. Thus the selective layer of this composite membrane contained both negatively charged and positively charged groups to perform the mosaic functionality. Characterization of the composite mosaic membranes was carried out through permeation experiments using different inorganic salts and dyes. The experimental results showed that the membranes could permeate both mono- and bi-valent inorganic salts, but reject larger organic molecules. Such a mosaic membrane is potentially useful for the separation of salts from water-soluble organics, especially in dye and textile industries. 相似文献
23.
24.
采用Monte Carlo模拟方法研究了多嵌段聚合物在A/B/嵌段聚合物三组份体系作为相容剂使用的有效性.占总体积19%的A组份在体系中为分散相.模拟结果显示了两嵌段和多嵌段聚合物在界面上的聚集行为,以及如何影响这个不相容体系的相形为.两嵌段聚合物趋于直立在相界面上,而多嵌段聚合物更容易横跨在相界面上并占据较大的界面积.从而导致多嵌段聚合物更有效的阻止体系相分离的发生. 相似文献
25.
载能离子穿过固体界面引起界面原子迁移使界面原子混合和物质成分变化,从而导致界面发生材料相变。简要介绍了载能离子辐照引起金属/绝缘体界面混合效应及相变现象的主要实验研究进展、低能离子和高能离子辐照引起金属/绝缘体界面现象差异,并对离子辐照引起界面混合及相变的机制进行了初步探讨。When penetrating an interface between two kind of solids, energetic ions can induce atomic diffusion at both sides of the interface and then result in intermixing, atom re-distribution or composition change, as well as phase transformation. Main progress on the study of intermixing and phase change at metal/insulator interface induced by energetic ion irradiations, the difference of phenomena occurred at metal/insulator interfaces induced by high-and low-energy ions were briefly reviewed. Furthermore, the possible mechanisms related to intermixing and phase change at metal/insulator interface produced by energetic ion irradiations were also discussed in short words. 相似文献
26.
三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行. 相似文献
27.
临汾凹陷区主要活动断裂卫星影像分析 总被引:1,自引:0,他引:1
杜云洁 《科技情报开发与经济》2005,15(14):137-138
论述了活动断裂的一般影像特征,对临汾凹陷区主要活动断裂构造的卫星影像进行了分析,从而论证了应用卫星影像可以查明活动断裂的具体特征、力学性质及活动方式等,使人类进一步认识断裂构造的活动规律,将其所造成的自然灾害损失降至最低。 相似文献
28.
采用热处理方法提高MEH-PPV单层聚合物有机发光二极管发光性能的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
对以MEH-PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管(OLED)器件在最佳条件下进行真空热处理,并用金相显微镜观察施加电压后器件的阴极表面形貌。发现处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少。器件的发光性能显著提高。与未经处理的器件相比,最大相对发光强度提高了一个数量级、启亮电压降低了2.0V,半寿命提高了12.7倍。初步分析表明热处理方法提高器件发光性能的主要原因在于有效地减少了器件在工作过程中由于焦耳热产生的某些气体,从而减少阴极表面气泡及黑斑的出现,另一方面,热处理方法也增强了有机发光层与阴极接触界面的结合力,提高电子注入水平。 相似文献
29.
半导体异质结界面能带排列的实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。 相似文献
30.
用600keV的Kr~ 离子轰击Al/Cr双层薄膜样品进行界面原子反应及相互混合的研究。实验样品是在单晶硅上蒸镀约500nm厚的铝膜,相继再蒸上所需厚度的铬膜而制成的。轰击剂量为2.0×10~(15)-2.5×10~(16)Kr~ /cm~2。用2.0MeVa粒子对轰击前后的样品进行了卢瑟福背散射(RBS)分析,发现界面处有明显的原子混合存在;当轰击剂量≥1.0×10~(16)Kr~ /cm~2时,RBS谱出现有明显的坪台,经拟合计算和x射线衍射(XRD)测量证实确有化合物Al_(13)Cr_2存在;还分别得到了原子混合量及混合效率与轰击剂量的关系;最后对界面处的原子混合机制进行了讨论。 相似文献