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Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer: Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices
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We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory. 相似文献
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硬盘驱动器巨磁电阻(GMR)磁头:从微米到纳米 总被引:7,自引:0,他引:7
近年来电脑硬盘存储密度的飞速增长(年增长100%)已超出摩尔定律的预言.这种惊人的高速增长中,最关键的因素是自旋阀纳米多层膜结构,即巨磁电阻(GMR)读传感器磁头的应用.事实上,巨磁电阻磁头读传感器(reader sensor)已经实现由微电子器件向纳米电子器件转化,并且形成大规模产业.这一过程包含了自旋电子学、材料科学、微电子工程学、化学、微机械力学和工程学等诸学科和相关微加工技术综合性挑战极限,进入纳米科技领域实质性进步. 相似文献
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1引言在RIAf串联iff振实验中,由于电感线圈和直流电阻箱(因高频电阻箱价格高、取材困难,众多教科书上往往以直流电阻箱取代)所引起的交流损耗电阻的影响,使Q的计算值总是大于它的测量值,如何克服交流损耗电阻所带来的不可忽略的影响,已有许多文献介绍了他们的尝试.以厂是我们对这些问题的看法和探讨;其一,“替代法””‘是在电路谐振时,用一个直流电阻箱替代原谐振电路,选择某一阻值,使电阻箱端电压恢复到原电路谐振状态时的数值,则电阻箱示值即为电路总损耗电阻.实验中我们发现,受电表灵敏度的限制,在替代过程中有数欧… 相似文献
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在传统金属导体温度系数测量中对于金属丝的加热通常采用了水浴加热法或油浸加热法。这两种方法存在着短路、产生不良气体污染、温度测量不精确等缺点。首次使用了数显温度可控的功率电阻作为金属丝的加热源,在测量中采用了双臂电桥、金属丝的四端电阻接线方式,不仅实现了金属丝的温度可控性和实时测量性,而且将测量精度提高到3%以内。 相似文献
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通过实验分析确立了把光纤电阻作为衡量气密性碳涂覆光纤通过2%应变筛选的过渡标准。要拉制2%应变筛选的碳涂覆光纤,其电阻值应小于30kΩ/cm。 相似文献
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孔繁庄 《徐州师范大学学报(自然科学版)》1988,(1)
本文主要对杨介信、陈国英编写《普通物理实验(二、电磁学部分)》“用惠斯通电桥测电阻”实验中δR_(x0)=(R_4/R_3)δR_2的含意等五个问题,提出自己的不同看法。 相似文献
50.
炭黑填充聚乙烯材料电阻—温度特性研究 总被引:8,自引:1,他引:8
研究了炭黑/聚乙烯导电复合材料的PTC特性及在不同条件下的电阻变化。发现PTC特性与体积膨胀及聚乙烯晶相的熔融有许多一致性。认为材料的体积膨胀及聚乙烯晶相熔融时炭黑颗粒均匀化扩散导致了电阻随温度上升。在较高温度下,炭黑颗粒在分子链段热运动的推动下会发生相对聚集使电阻不断减小,这是材料出现NTC现象的原因。材料总的电阻温度特性是体积膨胀、炭黑向聚乙烯熔融区扩散及相互聚集三个因素共同作用的结果。 相似文献