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61.
测定了标题物Li+-CaxPb1-xTiO3 (缩写为Li-CPT, 其中x=0.35, Li/Ti=1.0%, mol/mol, 850 ℃/h)的激光拉曼光谱(LRS)和激光显微组织, 并与湿敏性能极差的纯钛酸铅PbTiO3 (缩写为PT)以及不同钙掺杂量的钛酸铅CaxPb1-xTiO3 (缩写为CPT, x=0.08, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40)的LRS进行比较, Li-CPT以及CPT的LRS与PT的LRS相比有很大差别,仅在75, 125, 190, 273和585 cm-1出现五个谱峰. 应用“软模理论”将其分别归属于PT四方晶相的五个特征单模E(1TO), A1(1TO), E(2TO), B1+E和A1(3TO)的红移及宽化, PT的其它五个特征单模在Li-CPT及CPT的谱图中完全消失或被淹没. 对于这种拉曼活性的降低, 可以根据“软模理论”与晶格畸变作用的关联加以解释. Pauling离子半径较小的Ca2+的掺杂, 等价取代了半径较大的Pb2+的晶格位置, 降低了四方晶相畸变度δ=c/a和不对称性导致的各向异性, 不单消除了薄膜冷却时位移型相变可能引起的破裂, 而且改变了晶格中氧八面体“TiO6”及十二面体“PbO12”的几何结构和电荷分布, 改变了晶格c轴上M-O (M=Ti, Pb)键的化学环境, 直接阻尼了M—O键的伸缩振动软模, 减小了电偶矩及其自发极化, 使Li-CPT的振动模的拉曼活性大大降低, 因此LRS提供了一种表征晶格畸变的有效方法, 反过来也佐证了“软模理论”可以用来解释拉曼光谱. 相似文献
62.
高分辨率磁旋转编码器磁鼓材料的研制 总被引:3,自引:0,他引:3
采用磁浆涂布工艺制作了磁鼓涂层材料.研究了不同组分的配方对磁鼓涂层材料性能的影响,制备出性能良好的磁鼓.对Φ32~40mm的磁鼓进行了充磁测试,写入了128和256对极.采用金属薄膜磁电阻传感探头检测磁鼓表面分布磁场,信号通过电路放大、整形后接入示波器和计数器,结果显示输出信号波形良好,计数完整. 相似文献
63.
64.
以苯乙烯-马来酸酐共聚物钠盐(Na-SMA)为湿敏材料,采用浸涂的方法,在小型叉指金电极上成膜,制备了高分子电阻型湿度传感器.研究了浸涂液组成对传感器响应特性的影响.研究表明,随着浸涂液中Na-SMA浓度的提高,元件的电阻、湿滞降低;而随着浸涂液中聚乙烯醇(PVA)浓度的提高,元件的电阻降低,湿滞增加. 相似文献
65.
王中元 《湖北师范学院学报(自然科学版)》2005,25(3):60-62
常用的补偿法测电阻是通过电压补偿法来实现的。本文将通过分析、演变,巧妙设计出一种使用电流表,电压表进行电流补偿的测电阻的方法,通过实验测量的有关数据进行误差分析与计算。 相似文献
66.
采用固相烧结方法制得了具有K2NiF4结构的SrNdCoO4陶瓷,并对其磁性能进行了系统研究.结果发现,其磁化强度(M)分别在200K与20K附近随温度降低而迅速增大;150K,200K与275K下的磁化强度-磁场强度(H)曲线分别表现出铁磁性、超顺磁性及顺磁性的特征,表明SrNdCoO4陶瓷在200K附近发生顺磁-铁磁相变,引起磁化强度的迅速增大;在20K附近的磁化强度迅速增大也可从相应温度的M-H曲线特征得到解释.此外,对不同磁场强度时磁阻的温度依赖性以及两个特殊温度点20K与200K处磁阻的磁场强度依赖性进行了评价,得到一些有趣的结果.作者就以上的磁性能评价结果作了详尽分析. 相似文献
67.
分析了现有检测直流系统接地故障方法存在的死区,建议用综合判据,即通过检测正负母线电压,检测正负极绝缘电阻,检测支路漏电流来监视及查找直流系统的故障。 相似文献
68.
文章介绍了锁定放大器的功能特性,设计了用其精确测量热敏电阻温度特性的测量电路,并进行了测试、分析,得出了热敏电阻阻值随温度变化的关系曲线。 相似文献
69.
1 引言平时我们测伏安特性都是用电流表和电压表。用电压表测元件两端的电压 ,用电流表测通过元件的电流 ,而后再利用坐标纸在U -I平面上描点 ,然后将所描点用平滑曲线连结起来 ,得到所测伏安特性。现在我利用双踪示波器 ,直观地将伏安特性显示出来。下面就线性电阻、非线性电阻、理想直流稳压电源和实际直流稳压电源的伏安特性用示波器进行观测2 原理与说明一个二端元件的特性 ,用元件两端的电压u和通元件的电流i之间的关系f(u ,i) =0表示 ,这种关系通常称为元件的伏安特性。2 .1 线性电阻元件的伏安特性服从殴姆定律 ,画在u -… 相似文献
70.
电爆炸过程导体放电电阻的一种计算模型 总被引:7,自引:0,他引:7
电爆炸过程是电热炮等离子体发生器工作中重要的组成部分。该文将电爆炸过程分为5个阶段加以讨论,同时应用了等离子体电导率的计算模型以及脉冲功率源放电回路模型,最终建立了可以应用于等离子体发生器数值模拟的电爆炸过程导体放电电阻的计算模型。 相似文献