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81.
针对一般数字万用表测量200MΩ以内大电阻误差大、200MΩ以上大电阻无法测量的缺点,利用其输入电阻大、直流电压测量范围大的优点,研究出了能较准确测量200MΩ—几十GΩ大电阻的新方法,介绍了其测量原理。并对该法的测量范围和误差进行了分析。 相似文献
82.
低饱和场巨磁电阻金属多层膜Ni80Fe20/Cu的结构与磁电阻 总被引:1,自引:0,他引:1
采用磁控溅射方法,获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ni80Fe20/Cu金属多层膜,在室温下,其磁电阻和层间耦合状态随Cu层厚度的增加呈振荡变化,在Cu层厚度tCu=1.0nm,2.2nm时磁电阻出现2个峰值分别为19.4%和11.7%,饱和场约为6.4×10^4A/m和8×10^3A/m低温下(77K)磁电阻为33.2%和27.6%,系统地研究了NiFe层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响,用真空退火 相似文献
83.
简述了常温气敏陶瓷材料及高分子材料的制备方法、常温电阻型及振荡型元件的制造工艺及其气敏特性,最后探讨了元件的工作机理及今后的改进方法。 相似文献
84.
阐述了开关电器触头的接触电阻增大的原因及由此产生的后果,介绍了测量触头间接触电阻的方法,并提出了限制触头接触电阻增大的措施. 相似文献
85.
本文以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础,推导出RG-MOSFET一级近 下电流模型的解析表达式。并对其物理机制进行了分析讨论。 相似文献
86.
刘一林 《贵州师范大学学报(自然科学版)》1997,(4)
在R L C电压分布实验中,以镇流器作为电感元件是一个很方便的办法。但这种做法的缺点是准确度很差。对此,本文提出一个改进的可行方法。即将镇流器的功率损耗看成一个电阻的损耗 相似文献
87.
袁桂慈 《兰州理工大学学报》1996,(2)
在构件上布两片应变片构成半桥应变测量线路,构件在室温下不加载,且升降温后可自由膨胀,在此条件下测出构件在-23℃至66℃温度区间内的热输出曲线,为修正实测应变值提供了依据. 相似文献
88.
由电源、电感线圈、灯泡等元件所构成的闭合电路中,当电源断开时,由于电感线圈的自感作用,可使灯泡继续放光。本文论述了什么样的电路在此情况下,灯泡继续放光,并能出现较原来“更为明亮”的现象。 相似文献
89.
导电硅橡胶的线性电阻特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
研制了炭黑填充的线性导电硅橡胶,对炭黑填充的导电硅橡胶的电阻随炭黑含量变化及其线性特性进行了详细的研究,确定了最佳的炭黑含量,同时对其导电机理及实验结果作出比较合理的理论模型解释。 相似文献
90.
对合足够CO的空气中直热式烧结型气敏电阻的振荡现象进行了分析.结果表明,振荡周期及振荡幅度与CO浓度、热丝加热功率等因素有关, 相似文献