超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4/超高分子量聚乙烯复合材料的输运性质

采用热压法获得了具有不同混合比例的超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4/超高分子量聚乙烯导电复合材料,并利用x射线衍射、扫描电子显微镜和标准四引线方法对复合材料的结构和低温电输运性质进行测量.实验结果显示,超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4颗粒随机分布在聚合物本体中,相互间没有连接构成网络结构.在正常态下,复合材料的电阻-温度变化曲线给出类半导体行为.但对应于超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4的超导转变温度Tc处,复合材料的电阻-温度变化曲线出现了极小值.室温下电阻率ρ随外加电场强度E的变化曲线测量结果表明,ρ-E曲线为一线形关系,随着电场强度E增加,电阻率ρ下降.文中对可能存在的导电机制进行分析,结果表明隧道贯穿模型可以很好地解释复合材料的导电机制.另外,外加电场强度E对复合材料的电输运特性有明显的影响.     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。     

微通道板及其发展趋势

回顾微通道板发展历史及各阶段的主要技术特征。综述自90年代以来国内外微通道板的研发和生产情况．     

电极电势φ对电化学反应速率的影响

讨论电极电势ψ与电化学反应速率之间的关系,并对电化学中经常遇到的概念、公式进行论述.针对ψ、η、 0、 t0、k、kt0、ψe、β等容易混淆的符号及含义,通过详尽推导,加以澄清,强调了电化学与动力学之间的联系.     

时域介电谱方法及其应用

提出了微分和二次微分时域介电谱方法。极化响应可描述为exp[-(t/τ)^α]类型若干个分得很开的峰,峰的线型决定α,它有1和1/2两个典型值.极化机构种类和峰的个数相等,峰高给出各机构对极化贡献的成份.响应时间τ由峰的位置定决,谱线的分离说明习惯设α=1而令τ有连续分布的看法缺乏根据,在石蜡中观察到温度升高时,指数增大,石蜡熔解过程中出现时域谱线分裂,从中可得到分子链运动的许多信息。     

电流变液的一类新型单链拉伸模型

本文通过对电流变液的边界层扩展研究，建立了一类新型单链拉伸模型，由此导出了系统屈服应力和等效单链力的计算公式，并将其计算结果与实验数据进行了比较。同时我们也给出了单链修理因子Ａｓ的计算结果与实验数据的比较。     

用Technicolor理论研究稀有辐射衰变Bc→Dsγ

在一代Technicolor(TCI)和带有一个无质量的标量二重态(TCⅡ)模型下,计算荷电的哥尔斯通粒子对衰变B_c→D_sγ的贡献,并把它们同标准模型的计算相比较,发现哥尔斯通粒子对电磁企鹅图的贡献很大(TCI下),在TCⅡ下贡献较小;而对弱湮没图的贡献可以忽略不计,还对同位旋三重态粒子π+p的质量进行了约束. 预言将来在LHC上能对不同模型下的分支比Br(B_c→D_sγ)的差异进行研究,进而对不同的模型进行检验.     

护环成型技术及质量控制的新进展

回顾了近年来在发电机护环各制造环节研究中所取得的主要成果,简要介绍了原材料冶炼、热成形制坯、强化性能三个关键工序攻关中取得的最新进展.针对当前生产中的难题和沿用工艺的缺点,开发的电渣熔铸坯料、包套冲挤(扩挤)热成形制坯新技术,能够解决热锻开裂、变形不均匀的难题,并可缩短工艺流程,提高产品质量与生产效益.研究的内增压或外增压液压胀形强化新方法,可以提高工艺过程的可控制性,并能扩大液压胀形的应用范围.     

电化学除油在电真空焊料生产中的应用

电真空器件对钎料有清洁性要求 ,影响贵金属钎料清洁性的主要原因是加工过程的油污 .提出采用电化学除油的方法来保证钎料的清洁性