用Technicolor理论研究稀有辐射衰变Bc→Dsγ

在一代Technicolor(TCI)和带有一个无质量的标量二重态(TCⅡ)模型下,计算荷电的哥尔斯通粒子对衰变B_c→D_sγ的贡献,并把它们同标准模型的计算相比较,发现哥尔斯通粒子对电磁企鹅图的贡献很大(TCI下),在TCⅡ下贡献较小;而对弱湮没图的贡献可以忽略不计,还对同位旋三重态粒子π+p的质量进行了约束. 预言将来在LHC上能对不同模型下的分支比Br(B_c→D_sγ)的差异进行研究,进而对不同的模型进行检验.     

埋地压力管道腐蚀泄露的几种检测监控技术

利用电磁检测技术来监控管道的腐蚀和泄漏已经十分普遍。目前各个油田以及燃气公司都在使用这些技术。依据电磁学原理创造的检测方法很多，主要有标准管地电位法、涡流法、变频选频法、直流电压梯度法等，     

电磁加载下的高能量密度物理问题研究

1物质的高能量密度状态文中所述的高能量密度状态是指物质由于受到外界能量输入或自身能量转换,使其内能增大而造成的高压力、高密度和高温度状态。能量的体积密度的量纲等同于压力的量纲,由此可知内能增加量为1MJ/cm3时,物质内部的压力约为1TPa量级。通常认为在高能量密度状态下,固体物质的可压缩性应有显著影响,气态物质应达到接近极限压缩的程度,相当于0.1TPa或0.1MJ/cm3的内能密度。密度为0.01g/cm3的物质被加热到100eV,其压力则为0.1TPa,对氢气而言比能量约10MJ/g。高能炸药PBX-9404的化学反应能密度约为0.0096MJ/cm3,爆压为36…     

电源多级过电压保护的电磁暂态分析

本文在对低压交流电源多级过电压保护装置核心器件——氧化锌压敏电阻进行残压计算和试验的基础上，确定了氧化锌压敏电阻的计算模型，根据这一模型，采用电磁暂态计算程序（ＥＭＴＰ）对交流电源多级过电压保护装置的保护性能以及各级参数配合进行了分析．     

利用量子么正变换引起拓扑项的可移性求微扰项对Berry相因子的贡献

利用量子么正变换引起拓扑项的可移性，求出了一维无限深运动边界方势阱在压缩变换中出现的微扰项在一级近似下对Ｂｅｒｒｙ相因子的贡献。     

控制继电器在高压开关柜上的应用

由于轧网车间高压电机控制部分,中间环节多,线路较复杂,且线路有部分老化,时常出现故障,不便于维护,在改用控制继电器后,不但简化了线路,而且很可靠,为生产提供了有力的保证.     

用扩展电阻法研究陶瓷微区电导性能

本文把扩展电阻法应用于陶瓷微区电导性能研究.建立了微区的定位标识系统,可精确、方便地对选定的微区进行电导性能及组分的重复测定.该方法在研究Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3、ZnO及BaTiO_3半导体瓷应用中得到有意义的结果.     

思维的数学基础──罗素“悖论”真是悖论吗？

作者认为，客现世界由物质组成；时间和空间是物质存在的基本形式，是不可分割的整体；人类思维中的任何抽象、思辩、描述、表达，…等等，都不可能是超时空的。但作为研究客观世界抽象规律的数学，其基础却尚未反映出这一本质属性。这可能正是离散与连续关系所蕴含的矛盾至今不能解决的基本原因。也是“集合论”体论的根源所在。因此，“悖论”之所以为体论，根源就在于思维基于绝对时空背景下的惯性；悖论的意义也在于其揭示了当前数学基础的绝对时空性质。     

一种新型有机电致微腔结构的双模发射

采用结构Glass／DBR／ITO／NPB／NPB：Alq／Alq／Al制作了有机微腔电致发光器件。将空穴传输材料与发光材料以一定比例混合作为发光层，为了便于对比，在不改变有机层的膜厚的情况下同时制作了传统的异质结微腔器件，发现两种器件的发光光谱有很大不同，器件的复合效率与传统的异质结器件相比也得到了很大提高，这是因为将两种有机材料混合能消除界面势垒，提高器件的复合效率，从而提高了器件的发光性能，实现了微腔双模发射，且两个模式的半峰全宽分别为8nm和12nm。通过进一步优化器件结构可以实现微腔白光发射。     

MeV微集团束与物质的相互作用

简述了有关MeV微集团离子束与物质表面相互作用研究的概况．介绍了在北京大学技术物理系和重离子物理所１．７ＭＶ串列加速器上开展的有关实验研究及取得的初步结果． The recent development on investigation of MeV microcluster beam interaction with matter is outlined. And based on 5SDH 2 Pelletron of Peking University, some relative experimental results, such as identification and Rutherford backscattering measurement of MeV carbon cluster ions, stopping power of MeV silicon microcluster ions in Al film, damage producted in silicon by MeV silicon microcluster irradiation, etc. are briefly introduecd.