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72.
74.
平原农田防护林杨树生长模型及应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
应用MATLAB6.5软件,采用经典理论生长方程Logistic方程、Richards方程、单分子式(Mitscherlich)方程对苏北平原建湖县农田防护林I-72杨的平均高、优势高、平均胸径、平均材积生长数据进行曲线拟合.结果表明,Logistic方程拟合胸径、平均高生长效果最好,而Richards方程拟合优势高、材积生长效果最好,并运用拟合模型结果进行立地质量评价和成熟龄确定. 相似文献
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采用气相沉积技术在Si衬底上生长了Zn-Zn2SiO4芯-壳结构纳米同轴线阵列。根部呈笋状的纳米同轴线,直径约100nm,长度可以超过10μm;同轴线芯直径约50nm、壳层厚约25nm。通过X射线衍射的表征以及能量色散谱的线扫描,确定纳米同轴线的芯为Zn,壳层为Zn2SiO4。我们提出了一种新的生长机制,同时也为生长均匀的纳米同轴线提供一种新的技术。观察阴极荧光谱发现,纳米同轴线有三个主要发光带:强度最大的中紫外300nm发光、较弱的可见光区560nm以及红外谱区865nm的发光。对纳米同轴线截面的300nm发光峰观测发现,中紫外发光来源于Zn2SiO4壳层。正是这种同轴线的结构,使得其具备特殊的光学性质。 相似文献
76.
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品,实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品,其PL谱的带边峰却很弱,这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系,同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS/沟道结果。 相似文献
77.
78.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer
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GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
79.
生长曲线模型中回归系数阵的极大似然估计的精确分布 总被引:2,自引:0,他引:2
对于生长曲线模型,基于理论发展和应用效果的考虑,本文引入了Gauss型误差.在此误差下,本文研究了模型中回归系数阵的极大似然估计的精确分布,求出了此分布的密度和特征函数. 相似文献
80.
本文研究了曼氏无针乌赋的怀卵量及生殖力。结果表明:1)曼氏无针乌贼的怀卵量为832—7925粒(平均2,366粒);个体绝对生殖力为155—1590粒(平均447粒);个体相对生殖力 r/L 为5—44粒(平均15粒);个体相对生殖力 r/W为4—25粒(平均9粒)。2)怀卵量和个体绝对生殖力与胴长、纯体重及缠卵腺重之间的关系均为直线正相关。相对生殖为 r/L 与胴长呈直线正相关,相对生殖力 r/W 与纯体重呈直线负相关。 相似文献