晶格失配对异质外延超薄膜生长中成核特性的影响

利用动力学蒙特卡罗方法模拟了异质外延超薄膜生长中的成核过程.研究了薄膜与衬底的晶格失配对超薄膜生长中成核密度、平均核尺寸、标度关系及生长模式的影响.结果发现产生压（张）应变的晶格负（正）失配使生长过程更早（迟）从成核区进入过渡区，失配越大，这一效应越明显.在相同的沉积条件下，负失配导致超薄膜形成较低的成核密度与较大的平均核尺寸，而正失配则相反.成核密度满足标度关系Ns≈(F/D)χ，随着失配度从-0.04增加到0.02，标度系数χ从0.37逐渐减小到0.33，对应超薄膜生长过程从包含二聚体扩散模式转变到无 关键词： 薄膜生长 成核 晶格失配 蒙特卡罗模拟     

碳黑颗粒生长模型的初步研究

本文利用反应类(Reaction Class)概念和矩(Moment)方法,研究了层流预混甲烷火焰中碳黑颗粒的成核与长大过程。模型综合考虑了颗粒的成核、颗粒间由于碰撞的聚合、以及气态组分在颗粒表面的生长。通过数值计算预报了碳黑颗粒平均粒径、总表面积、体积分数和数密度,以及萘(A4)和乙炔(C2H2)在颗粒表面的增长速率。     

a-Si:H薄膜及MWECR-CVD制备技术

文章回顾了a—Si：H薄膜的发展历程，并介绍了其近10年的研究状况、为提高a—Si：H薄膜的沉积速度，还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR—CVD)技术，该技术的特点是：不含电极，可避免电极溅射造成的污染；等离子区离子密度高，对硅烷能高度分解，从而可显著提高薄膜生长速率；改变磁场位形和结构，可改变等离子体分布及轰击基片离子的能量，文章还分析了其制备a—Si：H薄膜存在的问题，提出了今后的研究方向。     

空间晶体生长

 无论在陆地、海洋还是天空,地球上的物体,包括我们人类,一直在一个G₀决定的重力下存在着、发展着。人们似乎习惯了这样的环境,要想摆脱重力影响倒成了不可思议的事情.然而,一些科学工作者从高处跌落的瞬间“失重”现象中受到了启迪,开始思考如何在材料制备中利用近地空间的特殊环境,探索晶体生长研究的新途径.     

自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究

介绍了最新发展的粒子数混合超快光谱测量技术,以及采用该技术对自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学的研究结果.实验发现,自组织InAs/GaAs量子点结构的发光寿命大约为1ns,与InAs层厚度关系不大;激子寿命与温度有一定的关系,但没有明显的实验证据表明与量子点的δ态密度有关;用粒子数混合技术,实验上可直接观察到量子点中载流子在激发态能级的态填充过程. 关键词：     

He-Ne激光诱变的香菇变异株遗传稳定性分析

对三株香菇菌种采用He-Ne激光(λ=6328nm)进行两次照射,筛选出三株比出发菌株菌丝生长速率分别提高173%、737%和426%的变异株,经传代培养及酯酶同工酶谱分析,变异株具有良好的遗传稳定性表明激光作为微生物新型诱变因子与传统化因子相比,具有正变率高、回复突变率低、遗传稳定性好的特点.     

有限元技术用于研究熔体生长中的小面化现象

开发了一种基于边界保角变换技术的有限元方法来处理自由边界问题,并成功地将其用于晶体定向生长过程中的界面动力学影响的研究。所建立的基于石榴石熔体生长过程的各向异性的界面动力学模型可导致相界面上小面的出现。讨论了界面动力学模型中的最大偏移角θｍａｘ对小面的形状和计算误差的影响,给出了一种十分有效地降低计算误差的措施：在模型方程中适当计人表面张力的影响。     

基于HRTEM和Raman分析定向多壁碳纳米管阵列的生长机理

以二茂铁、二甲苯为前驱体,石英为衬底,在850 oC的管式炉内采用化学气相沉积法制备出了定向碳纳米管阵列. 高分辨透射电子显微镜和拉曼光谱的结果表明：碳纳米管阵列具有良好的定向性和多壁管状结构,石墨化程度高,并且只在表面存在少量单壁碳纳米管.定向多壁碳纳米管阵列的生长模式为“底部”生长模式,即在生长的初期,当催化剂颗粒较小时,析出的碳原子生成了单壁碳纳米管或与其性质类似的多壁碳纳米管(一般层数小于5层);催化剂颗粒逐渐长大后,大量的碳原子析出后生成了普通的多壁碳纳米管,从而形成了单壁碳纳米管只存在于碳纳米管阵列膜表面和多层碳纳米管膜表面与界面的现象.     

YBCO晶须制备新工艺与生长机理

本文首先提出了由ＹＢＣＯ的熔融织构样品经高温热处理制取ＹＢＣＯ晶须的新工艺，采用ＳＥ几ＳＡＤ等手段研究了热处理温度制度及不同母体对ＹＢＣＯ晶须生长的影响，确定了制备ＹＢＣＯ晶须的工艺参数，所得ＹＢＣＯ晶须的长度可达２．５ｍｍ，晶须宽度在２０－５０μｍ之间，探讨了由ＹＢＣＯ熔融织构样品制取其晶须的生长机理。     

钆在MgO（110）薄膜上的吸附

为研究钆在ＭｇＯ薄膜表面吸附的特性，首先在经硫代乙酰胺（ＣＨ３ＣＳＮＨ２）处理的ＧａＡｓ（１００）表面外延生长Ｐ型半导体ＭｇＯ（１１０）薄膜，然后利用同步辐射光电子能谱研究钆在此表面的吸附，结果发现由于Ｇｄ／ＭｇＯ界面的能够弯曲使Ｍｇ２ｐ向高结合能端位移０．４ｅＶ，而且从实验结果推断，钆与衬底反应很弱，并且主要以团簇的形式吸附。